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《印刷碳納米管薄膜電晶體技術與應用》出版
、崔錚主編的《印刷碳納米管薄膜電晶體技術與應用》一書由高等教育出版社出版。 這是國內第一本印刷碳納米管薄膜電晶體領域的專著。該書圍繞「碳納米管」「印刷」和「薄膜電晶體」三個中心展開，共有九章，包括印刷電子、印刷薄膜電晶體和碳納米管電晶體發展歷程；碳納米管和印刷薄膜電晶體基礎知識；印刷半導體碳納米管墨水、導電墨水和介電墨水；印刷碳納米管薄膜電晶體構建技術；印刷碳納米管薄膜電晶體性能優化；印刷碳納米管薄膜電晶體應用（如邏輯電路、可穿戴電子以及類神經元電子器件方面的應用）；其他類型碳納米管電晶體和應用以及印刷碳納米管薄膜電晶體的發展趨勢等
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北大在碳納米管薄膜電晶體數字電路應用的探索中取得重要進展
半導體碳納米管被認為是構建納米電晶體的理想溝道材料,有望推動未來電子學的發展。在過去的二十多年間,基於碳管的器件和電路得到廣泛研究,並在器件物理、性能研究探索、電路製備等領域取得了巨大進展。碳基電子學的進一步發展,特別是碳基集成電路的實用化推進,很大程度上依賴於大面積製備、高半導體純度的高質量碳納米管材料。
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史上最大碳納米管晶片問世:14000個碳納米管電晶體,造出16...
我們不斷縮小矽基處理器功能帶來的可能性似乎已成為過去時，材料科學家如今正在考慮如何製造新型晶片，突破矽晶片的種種限制。在這個過程中，碳納米管成為了一個重要的選擇，它自然地以半導體形式存在，具有出色的電性能，並且非常小。
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碳納米管基鐵電場效應電晶體有優異存儲特性
(a) 碳納米管基鐵電場效應電晶體結構示意圖 碳納米管獨特的結構和電學性質為其電子器件應用提供了巨大潛力。最近幾年來，中國科學院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室表面物理實驗室/研究部SF1組將碳納米管的優點和鐵電薄膜的性質相結合，與微加工實驗室合作，研製成功了以外延鐵電薄膜為柵介質的單壁碳納米管場效應電晶體，開發出一種基於碳納米管的鐵電場效應電晶體存儲器件單元。
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MIT:碳納米管電晶體「工業化」生產方法
但是，隨著封裝在集成電路中的電晶體數量的增加，似乎並沒有以歷史速度提高能源效率，這種趨勢可能已接近尾聲。碳納米管場效應電晶體(CNFET)比矽場效應電晶體具有更高的能源效率，可用於構建新型的性能更優異的三維微處理器，是用於開發節能計算的有前途的納米技術。但是迄今為止，它們大部分都存在於「手工」空間中，在學術實驗室中少量製作，無法滿足商業領域對CNFET高密度、快速製備、低成本的需求。
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物理所等基於碳納米管薄膜的柔性儲能器件研究取得進展
為了解決這一問題，他們發展了傳統的轉移印刷技術，提出了一種基於靜電吸附的減薄碳納米管薄膜的方法——重複轉移印刷法，通過利用離子靜電吸附效應提高低表面能基底的表面能，使得碳納米管薄膜可以從高表面能的基底轉移到原本表面能較低的基底上。結合具有特殊二維網絡結構的碳納米管薄膜與靜電吸附重複轉移印刷法，可在PET襯底上得到不同厚度甚至近於亞單層的超薄碳納米管薄膜，透明度可達90%以上。
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天津工大研製新型碳納米管導電薄膜
傳統發光器件的導電薄膜多採用ITO薄膜，但其在沉積時要求真空度高，生產成本較高，柔性差，並且粘附性能不好，剛性易碎，限制了其在柔性顯示領域的廣泛應用。碳納米管(CNT)導電薄膜作為性能更好的替代品，在導電、透光，強度和柔性方面都呈現良好的特性，少量的CNT就可以形成一層隨機的網絡結構的CNT柔性透明導電薄膜，可以代替傳統的ITO薄膜應用在未來的柔性可穿戴設備當中。
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柔性碳納米管薄膜天線:有望應用於5G網絡!
導讀據美國萊斯大學官網近日報導，該校研究人員的研究表明，由碳納米管薄膜製成的天線，不僅在無線應用方面與銅製天線一樣高效，而且更堅韌、更柔性，基本上可以塗到器件上。然而，為了滿足可穿戴設備、植入式設備、航空航天等新應用的需要，科學家們正在利用石墨烯、二維材料、碳納米管等新型材料開發出更具柔性、更輕、更低成本的新型天線。
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美國麻省理工學院研製出新型碳納米管微處理器
導讀據美國麻省理工學院（MIT）官網近日報導，該校研究人員用碳納米管電晶體製作出一款新型微處理器。該微處理器被廣泛認為是比傳統矽處理器更快速、更綠色的替代品。背景電晶體，是人類現代歷史中最偉大的發明之一。現代電子設備例如電腦、智慧型手機、智能硬體等，都離不開電晶體。
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向碳基晶片更進一步:臺積電、斯坦福等聯手開發碳納米管電晶體新...
眼看著摩爾定律極限將至，下一步突破，恐怕就要看碳納米管的了。畢竟，晶片製造工藝達到5nm，就意味著單個電晶體柵極的長度僅為10個原子大小。而碳納米電晶體的直徑僅為1nm。但從1998被提出至今，碳納米管晶片仍存在一系列設計、製造和功能上的問題，比如其在邏輯電路中充當開關時的控制問題。現在，由臺積電首席科學家黃漢森領導，來自臺積電、史丹福大學和加州大學聖地牙哥分校的研究人員，提出了一種新的製造工藝，能更好地控制碳納米管電晶體。
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高密度半導體陣列碳納米管研究獲突破—新聞—科學網
圖4 碳管高速集成電路 北京大學信息科學技術學院電子學系/北京大學碳基電子學研究中心、納米器件物理與化學教育部重點實驗室教授張志勇—彭練矛課題組發展全新的提純和自組裝方法，製備高密度高純半導體陣列碳納米管材料
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碳納米管複合薄膜/矽異質結太陽能電池研究獲進展
宏觀碳納米管薄膜具有良好的力學、電學、光學等性質，而且是柔性的。通過調節生長參數，可以獲得高透光率（可達95%）、高電導率（105 S m-1）的碳納米管薄膜。碳納米管和矽可以在室溫下形成p-n結，無需傳統矽基太陽能電池中的高溫摻雜，這種新型的低成本太陽能電池易大規模生產，具有非常廣闊的應用前景。
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...全球首款可編程碳納米管晶片問世,RISC-V架構,14000+電晶體
它是迄今基於碳納米管的CMOS邏輯最複雜的集成，擁有14000多個電晶體，基於RISC-V架構，可執行與商用微處理器相同的任務。在測試中，它還執行了經典的「Hello World程序」：「Hello, World! I am RV16XNano, made from CNTs.」
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納米結構的柵極電介質:有助提升有機薄膜電晶體穩定性!
導讀近日，美國喬治亞理工學院的科研人員開發出一種納米結構的柵極電介質。它為有機半導體拓展應用於薄膜電晶體，掃清了最主要的障礙。它不僅可以保護有機半導體，還可以使得電晶體達到前所未有的穩定性。不同於傳統的矽基無機電子器件，它是由碳基的高分子和小分子材料製成。有機電子器件的優勢包括：廉價、輕量、柔性等等。此外，有機電子器件的應用前景也非常好，例如：太陽能電池、存儲器、薄膜電晶體、電致變色薄膜、生物電子等等。
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向碳基晶片更進一步：臺積電斯坦福聯手開發碳納米管電晶體新工藝
畢竟，晶片製造工藝達到5nm，就意味著單個電晶體柵極的長度僅為10個原子大小。而碳納米電晶體的直徑僅為1nm。現在，由臺積電首席科學家黃漢森領導，來自臺積電、史丹福大學和加州大學聖地牙哥分校的研究人員，提出了一種新的製造工藝，能更好地控制碳納米管電晶體。
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向碳基晶片更進一步:臺積電斯坦福聯手開發碳納米管電晶體新工藝
眼看著摩爾定律極限將至，下一步突破，恐怕就要看碳納米管的了。畢竟，晶片製造工藝達到5nm，就意味著單個電晶體柵極的長度僅為10個原子大小。而碳納米電晶體的直徑僅為1nm。並且，導電更快、效率更高。但從1998被提出至今，碳納米管晶片仍存在一系列設計、製造和功能上的問題，比如其在邏輯電路中充當開關時的控制問題。
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MIT開發出基於碳納米管FET的RISC-V微處理器
c3sEETC-電子工程專輯由於矽技術不再遵循歷史規律發展，業界已經對矽以外的納米技術進行了大量研究。儘管基於碳納米管場效應電晶體（CNFET）的數字電路提供了一種顯著提高能效的方法，但因為無法完全控制碳納米管中固有的納米級缺陷和可變性，阻礙了其在超大規模集成系統中的應用。
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首款碳納米管通用計算晶片問世!5倍於摩爾定律,網友:這是絕技
我是 RV16XNano，由碳納米管制成。」這句話，出自MIT研究團隊發明的16位碳納米管晶片執行的程序。是的，你沒有看錯，他們用與矽相同的製作工藝，基於碳納米管做出了具有完整架構的晶片，還與世界打了招呼。剛剛，Nature刊發了這一研究成果，並發表相應的新聞、評論進行重點推薦。碳納米管，被認為是替代矽材料首選，而且比矽導電更快，效率更高。
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碳納米管:「特立獨行」的神奇材料
近期，國外一所學院的研究人員利用碳納米管制造出一款材料，可吸收99.96%以上的入射光，堪稱材料家族中的「黑洞」。無獨有偶，同樣是碳納米管材料，研究人員利用超過1.4萬個碳納米管電晶體，製造出16位微處理器晶片，並向世界發出了「Hello, World」的信息。碳納米管，作為一種擁有特殊結構的一維量子材料，具備諸多超乎尋常的力學、電學、熱學等物理性能和化學性能。
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碳納米管可控制備的過去、現在和未來
應用方面，碳納米管添加劑則扮演著基於高強度/高導電性質的工業添加劑，沒有發揮碳納米管的主導作用。結構決定性質，製備決定未來。充分發揮碳納米管材料的優異性質和在應用中的主導作用，乃至尋找到碳納米管殺手鐧級的應用，碳納米管的結構控制製備將是關鍵的一步。