化學氣相沉積鍺銻碲化物相變存儲器的商業化取得重大進展

2020-11-30 電子產品世界

　　ATMI公司(NASDAQ:ATMI)和Ovonyx公司今日宣布，雙方在採用化學氣相沉積(CVD)工藝商業化生產基於鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)方面取得突破性進展。兩家企業正在合作開發的項目獲得重大進步，該化學氣相沉積生產的基於鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)不僅能夠實現按比例縮小，而且是一種具有成本競爭力的存儲器技術。由於具有獨特的性能，相變存儲器(PCM)是存儲器體系中的新生代產品，且是NOR型快閃記憶體的替代性產品;PCM還能擠佔相當大部分先進技術節點的DRAM的市場。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/112376.htm

　　此項研究在高長寬比的相變存儲器單元中實現了均勻沉積，與在可比的器件結構上濺射沉積GST 225相比，顯示出了良好的電學特性。結果包括各種CVD合金的沉積，設定速度低於50納秒(ns)，典型耐受時間為108到1010個周期，100°C以上時數據保留時間為10年。最新合作研究的成果將作為同行評審的技術論文發表在九月份的《Electron Device Letters》上，重點介紹器件的電學性能。ATMI還將在歐洲\相變與Ovonics研討會(E/PCOS)上宣讀一篇關於化學氣相沉積工藝的論文。

　　「基於鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)仍然顯示出顯著的商業化潛力，是NOR型快閃記憶體和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術，」ATMI的執行副總裁與微電子事業部總經理Tod Higinbotham表示，「不過，在實現更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰之一，便是缺乏能夠生產可進一步調低復位電流的完全密閉單元。降低復位電流可降低存儲器的耗電量，延長電池壽命和提高數據帶寬，這對於當前以數據為中心的、高度可攜式的消費設備來說都是很重要的特徵。」

　　兩家公司計劃向半導體產業授權這些技術，ATMI將提供相關的前驅材料和沉積技術，進一步推動和促進PCM高性能存儲應用的商業化。ATMI將於2010年第四季度在300mm晶圓上展示CVD GST技術。

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