根據臺積電的工藝路線圖，2020年Q3季度就要試產5nm工藝了，這一代工藝會全面應用EUV光刻技術。除了光刻機之外，蝕刻機也是半導體工藝中不可缺少的一步，在這個領域中國半導體裝備公司也取得了可喜的進步，中微半導體的5nm蝕刻機已經打入臺積電的供應鏈。
日前在首屆臨港新片區投資論壇上，中微半導體設備公司董事長兼執行長尹志堯博士提到了該公司的進展，指出中微半導體正在跟隨臺積電按照摩爾定律的發展走，後者的3nm工藝已經研發一年多了，預計2021年初就要試產。
尹志堯博士表示中微半導體也在跟著這個路線走，目前已經做到了5nm——尹志堯博士創立的中微半導體主要是蝕刻機、MOCVD等設備，它們與光刻機一併被稱為半導體工藝三大關鍵設備，而這裡說的5nm指的是用於5nm工藝的等離子蝕刻機。
等離子體刻蝕機是晶片製造中的一種關鍵設備，用來在晶片上進行微觀雕刻，每個線條和深孔的加工精度都是頭髮絲直徑的幾千分之一到上萬分之一，精度控制要求非常高。
半導體工藝的技術水平是由光刻機決定的，所以中微半導體做5nm蝕刻機並不等於能做5nm光刻，但是這個領域的進展依然意義重大，先進的蝕刻機售價也要數百萬美元，而且一條生產線要使用很多臺蝕刻機，總價值依然不可小覷。
根據中微半導體的2019年上半年財報，該公司1-6月實現營收8.01億元，同比增長72.03%；歸屬於上市公司股東的淨利潤3037.11萬元，與上年同期相比扭虧為盈。（來源：快科技）
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