FLOSFIA 開發GaO MOSFET溝道遷移率遠超商用SiC

2020-12-03 愛集微APP

集微網消息（文/Yuna），據EE Times Japan報導，京都大學投資的科技初創公司FLOSFIA在12月11日-13日召開的「SEMICON Japan 2019」上展示了GaO功率器件和評估板，並計劃於2020年進行全球範圍內首次GaO肖特基勢壘二極體的量產。

GaO作為功率半導體材料雖然導熱性較差，但其帶隙（約4.8eV）超過碳化矽（約3.4eV），氮化鎵（約3.3eV）和矽（1.1eV）的帶隙，可以在改善電動汽車、太陽能和其他形式的可再生能源方面發揮關鍵作用。

FLOSFIA專門從事霧化學氣相沉積（CVD）成膜，致力於開發低損耗功率器件。2015年成功開發了一種二極體，能夠比碳化矽降低86%的電阻。2016年的研究中克服了GaO無法製造P型半導體的缺點，成功通過使用氧化銥製成了P型層，並做成了GaO電晶體。並且通過從密度較小的氣體通過結晶的方法製作GaO，成功克服GaO技術的高成本問題。

關於MOSFET（金屬氧化物半導體場效應電晶體），FLOSFIA方面稱目前常關型GaO MOSFET的溝道遷移率已遠遠超過了商用SiC。和SiC擁有同等水平或以上性能的GaO MOSFET價格也會更便宜。計劃於2020年提供樣品，2021年投入使用。（校對/holly）

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