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蘇州納米所研製新型氮化鎵半導體雷射器
自1996年日本日亞公司研製了國際首支GaN基雷射器以來，GaN基雷射器性能得到了巨大提升，單顆晶片連續輸出功率已超過7瓦，然而其電光轉換效率仍然較低(<50%)，遠小於GaAs基雷射器的電光轉換效率(≈80%)。究其主要原因是GaN基雷射器的串聯電阻較大、熱阻較高，導致工作電壓和工作結溫較高，最終嚴重影響了器件性能和可靠性。
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...上發表有機聯硼化合物在半導體氧化物改性及能源轉換方面的新應用
有機聯硼化合物一直在有機合成領域大顯身手，「跨界」到能源轉換方面也有新應用。結果顯示使用有機聯硼分子負載到半導體氧化物的界面上能產生新的界面態，這種界面態對光電性能有很好的改善作用。相應的光電器件和太陽能電池器件性能均有明顯提升（圖6）。值得一提的是，這種方法產生的表面Ti3+是目前為止世界上最穩定最耐受氧氣的三價鈦可見光活性中心。所製備的器件半年以後性能沒有絲毫減退。相關論文發表在最新一期的iScience上。
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『石墨烯 合成』新方法能夠在金屬氧化物表面上合成納米石墨烯
德國、美國及波蘭、盧森堡的研究人員發現了一種在金屬氧化物表面形成納米石墨烯的方法。基於碳的納米結構是用於納米電子學的有前途的材料。然而，它們通常需要在非金屬表面上形成，迄今為止，這一直是材料學的一個挑戰。
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中科院發現取向生長金屬納米粒子新方法
編者按：傳統製備金屬離子的方法包括等離子體法、雷射加熱蒸發法、惰性氣體蒸發冷凝法、液相法製備納米金屬粒子等等。日前，中科院新疆理化技術研究所研究人員發現一種在氧化物基底上原位、取向生長金屬納米粒子的新方法。相關成果發表於美國《材料化學》雜誌。
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北大排列高密度半導體碳納米管,電子學性能超同尺寸矽基器件
半導體碳納米管首次在真實電子學表現上超越相似尺寸的矽基CMOS器件和電路。目前，電子行業所設計的邏輯電路最主流的是互補性金屬氧化物半導體（CMOS）技術，由P型和N型MOS電晶體組合而成。其中，連接源區和漏區，稱作「溝道」的一層薄半導體非常重要。根據「摩爾定律」的著名描述，當價格不變時，集成電路上可容納的元器件數目約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也提升一倍。
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蘇州納米所在矽襯底InGaN基半導體雷射器研究方面取得進展
蘇州納米所在矽襯底InGaN基半導體雷射器研究方面取得進展 2016-08-18 蘇州納米技術與納米仿生研究所 針對這一關鍵科學技術問題，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員楊輝領導的III族氮化物半導體材料與器件研究團隊，採用AlN/AlGaN緩衝層結構，有效降低位錯密度的同時，成功抑制了因矽與GaN材料之間熱膨脹係數失配而常常引起的裂紋
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超短碳納米管電學性能研究取得進展
自1991年被發現以來尤其是在納米電子學領域，由於單壁納米碳管隨直徑和手性的不同，可以具有金屬或半導體的導電特性，將可能取代傳統的矽電子器件，獲得更高的效率與集成度。但是隨著納米電子器件尺寸的進一步縮小，碳管的長度對電學性能的影響逐漸成為人們所關注的問題。 中國科學院蘇州納米所所陳立桅研究員課題組長期從事單壁碳納米管的電學性能研究。
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高密度半導體陣列碳納米管研究獲突破—新聞—科學網
圖4 碳管高速集成電路 北京大學信息科學技術學院電子學系/北京大學碳基電子學研究中心、納米器件物理與化學教育部重點實驗室教授張志勇—彭練矛課題組發展全新的提純和自組裝方法，製備高密度高純半導體陣列碳納米管材料
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Adv.Mater.綜述:雷射輻照金屬氧化物薄膜和納米結構
關於雷射輔助加工金屬氧化物陶瓷的的最新研究進展也做了介紹。圖2 金屬氧化物薄膜和納米結構中的雷射誘導現象及其在各種功能器件中的應用金屬氧化物呈現出獨特的且廣泛的物理和化學性能，從而在科學和技術發展上引起人們廣泛的關注和興趣。
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蘇州納米所高粘度油水分離研究取得新進展
蘇州納米所高粘度油水分離研究取得新進展 2016-05-18 蘇州納米技術與納米仿生研究所 然而，因海洋漏油、工業廢油和生活用油等產生的含油廢汙水也嚴重破壞生態環境、危害人類健康，成為人類生存發展的新挑戰，油水分離也成為全世界共同的研究課題。在油水分離中最令人頭疼的難題之一是原油、重油等高粘度油的分離或漏油處理，該類油極易粘附並汙染分離材料和設施，造成其功能失效，很多超浸潤材料也不能倖免。
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2020中科院蘇州納米所梁偉團隊招聘公告
2020中科院蘇州納米所梁偉團隊招聘公告已公布，計劃招聘3人。報名方式：郵箱報名。報名時間：招滿為止。江蘇公務員考試網現將其公布如下： 2020中科院蘇州納米所梁偉團隊招聘公告 本課題組因工作需要，計劃招聘如下人員： 一、招聘崗位及相關要求： 1、光電子方向博士後，1名 研究領域： 1)基於FP腔，光纖FP
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蘇州納米所GaN核電池研究取得新進展
相對於常規的窄帶半導體核電池（如Si、GaAs等），GaN貝塔伏特效應核電池具有更高的輸出功率和轉換效率優勢，是新一代新型核電池的後起之秀。中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米加工平臺陸敏副研究員及其團隊使用以藍寶石為襯底的GaN晶片，經過不懈的理論模擬和微加工工藝的摸索，終於成功研製出GaN核電池原型器件。
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背後的力量 華雲數據助力中科院蘇州納米所搭建新一代IT基礎設施平臺
「新基建」的大力推進推動了政府和企業走向全業務數位化、全產業數位化、全價值鏈數位化的進程。目前，隨著雲計算、大數據、5G等新一代信息技術的發展，很多機構希望將工作負載遷移到雲端，並搭建一個在現在和未來幾年都更有效的IT框架，提高基礎設施的效率。中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所（以下簡稱中科院蘇州納米所）就是其中之一。
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蘇州醫工所提出納米碳點螢光增強的方法
蘇州醫工所提出納米碳點螢光增強的方法 2014-12-24 蘇州生物醫學工程技術研究所 【字體 蘇州醫工所醫用微納技術研究室郭振博士提出了一種納米碳點螢光增強的方法：通過自由基連結碳納米點實現了螢光發射的增強（如圖
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...我校王鳳雲課題組在金屬氧化物納米纖維場效應電晶體方面的新進展
新聞網訊 近日，我校特聘教授王鳳雲課題組與香港城市大學何頌賢副教授課題組合作，利用廉價易行的靜電紡絲法製備了形貌可控、大面積Mg摻雜In2O3納米纖維薄膜FET，這一成果以「High-performance enhancement-mode thin-film transistors based
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納米領域的院士盤點（上）
大大降低了非氧化物納米結晶材料的合成溫度；將γ射線輻照法，發展為製備納米材料的新方法；發展了複合溶劑熱方法，可控生長納米結構。編著了教材《結晶化學導論》。曾獲國家自然科學獎二等獎、中國科學院自然科學獎一等獎和安徽省重大科技成就獎。
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中國科大納米技術與納米仿生學院揭牌儀式在蘇州納米所舉行
中國科大納米技術與納米仿生學院揭牌儀式在蘇州納米所舉行 2016-05-27 蘇州納米技術與納米仿生研究所 中國科學技術大學校長萬立駿和蘇州納米所所長楊輝為學院揭牌。 楊輝致歡迎辭，介紹了蘇州納米所和中國科大合作的歷程，共建「納米技術與納米仿生學院」是秉承「全院辦校，所繫結合」的辦學方針所取得的階段性成果，雙方將持續在科研、教學、人才培養和隊伍建設等方面深度融合，共同推進中國科大「雙一流」的建設工作。
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Chem:原位SERS研究金屬氧化物納米粒子表面光催化氧化
近年來，隨著等離激元金屬納米結構合成與組裝技術的飛速發展，SERS被廣泛應用於檢測金屬表面的催化反應。而金屬氧化物材料SERS活性不佳，因此使用SERS檢測其表面的化學反應鮮有報導。金屬氧化物納米顆粒由於其表面能較高，在傳統製備過程中很容易團聚且產物粒徑不均勻，很難有效地對其進行下一步定向組裝和功能化等。
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IBM展示32納米High-K製程 性能比45納米提升35%
IBM展示32納米High-K製程 性能比45納米提升35% (ST)、特許半導體(Charter Semiconductor)、飛思卡爾(Freescale)、三星(Samsung)和東芝(Toshiba)日前宣布，已在IBM位於美國紐約州East Fishkill的300mm晶圓廠，成功展示了32nm High-K金屬柵極製程技術，號稱可提供在性能與耗電上超越其他同業的解決方案。
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矽半導體的完美替代品?中國碳納米管新研究登上《自然》子刊
矽半導體的完美替代品？ 電子工程領域一直有一種說法，到2020年底，矽互補金屬氧化物半導體問題在於，現實難以佐證這種說法，到目前為止，還沒有一種替代材料既能有效地維持新設備的計算能力，又具備良好的能源效率。當然，在過去幾年中，全球科學家們也為這件事做了不少準備，至少有幾種可能可以替代CMOS器件的產品已經提出。其中最有潛力的當屬基於碳納米管(CNT)的電子器件。