泛林集團發布應用於EUV光刻的技術突破

2021-01-07 電子產品世界

近日，泛林集團發布了一項用於EUV光刻圖形化的幹膜光刻膠技術。泛林集團研發的這項全新的幹膜光刻膠技術，結合了泛林集團在沉積、刻蝕工藝上的領導地位及其與阿斯麥 (ASML) 和比利時微電子研究中心 (imec) 戰略合作的成果，它將有助於提高EUV光刻的解析度、生產率和良率。泛林集團的幹膜光刻膠解決方案提供了顯著的EUV光敏性和解析度優勢，從而優化了單次EUV光刻晶圓的總成本。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202002/410409.htm

由於領先的晶片製造商已開始將EUV光刻系統應用於大規模量產，進一步提升生產率和解析度將幫助他們以更合理的成本抵達未來的工藝節點。泛林集團全新的幹膜光刻膠應用和顯影技術可以實現更低的劑量和更高的解析度，從而增加生產率並擴大曝光工藝窗口。此外，通過將原材料的用量降低至原來的五分之一到十分之一，泛林集團的幹膜光刻膠技術不僅為客戶大幅節省了運營成本，同時還為環境、社會和公司治理提供了一種更加可持續的解決方案。

「經過阿斯麥及其合作夥伴20餘年的持續研發，EUV目前已應用於晶片的大規模量產，」阿斯麥總裁兼執行長Peter Wennink表示，「通過和泛林集團、比利時微電子研究中心的密切合作，我們致力於讓這項技術日趨成熟並得以擴展。這項在幹膜光刻膠技術上的戰略合作支持晶片製造商用更低的成本實現更高性能晶片的創新，釋放技術的潛能以造福社會。」

「這一技術突破是協作創新的完美典範，也充分展現了泛林集團與阿斯麥、比利時微電子研究中心極具價值的合作如何持續為客戶及行業創造新的效益，」泛林集團總裁兼執行長Tim Archer表示，「泛林集團一直在沉積和刻蝕工藝上處於領先地位，這一新機會使我們得以將圖形化解決方案直接擴展至光敏光刻材料，這令人非常激動。這種新能力展現了泛林集團全面的圖形化策略，率先通過多重圖形化解決方案推動行業實現器件的小型化，現在則可以通過提升EUV光刻的生產率和性能來推動這一目標。」

泛林集團正與多家晶片製造商通力合作，以解決這項幹膜光刻膠技術應用於EUV光刻上的關鍵挑戰。這一全新的幹膜光刻膠技術使高級邏輯和存儲設備得以繼續小型化。

「優化圖形工藝需要各種各樣的技術，比利時微電子研究中心和幾家重要的業內夥伴多年來一直保持緊密合作，在圖形化工藝的開發上處於領先地位，」比利時微電子研究中心總裁兼執行長Luc Van den hove談到，「幹膜光刻膠將會成為推動EUV光刻進一步應用以及技術路線圖加速發展的關鍵技術。我們和泛林集團、阿斯麥共同合作，旨在優化幹膜光刻膠技術以實現其最佳性能。」


相關焦點

  • 泛林和ASML研發EUV新技術 可減少90%光刻膠用量
    近日，美國泛林公司宣布與 ASML 阿斯麥、 IMEC 比利時微電子中心合作開發了新的 EUV 光刻技術，不僅提高了 EUV 光刻的良率、解析度及產能，還將光刻膠的用量最多降至原來的 1/10 ，大幅降低了成本。
  • 半導體刻蝕技術新突破!泛林解決方案正式發布
    集微網消息（文/小山）近日，泛林集團發布了革新性的等離子刻蝕技術及系統解決方案Sense.i 平臺，旨在為晶片製造商提供先進的功能和可擴展性，以滿足未來的創新需求。泛林集團全新的Sense.i刻蝕系統提供行業領先的生產率和創新的傳感技術以泛林集團行業領先的Kiyo和Flex工藝設備演變而來的核心技術為基礎，Sense.i平臺提供了持續提升均勻性和刻蝕輪廓控制所必需的關鍵刻蝕技術，以實現良率的最大化和更低的晶圓成本。
  • 泛林集團在晶片製造工藝的刻蝕技術和生產率上取得新突破
    近日，泛林集團發布了一項革新性的等離子刻蝕技術及系統解決方案，旨在為晶片製造商提供先進的功能和可擴展性，以滿足未來的創新需求。隨著半導體器件的尺寸越來越小，深寬比越來越高，Sense.i平臺的設計旨在為未來的技術拐點提供支持。基於泛林集團的Equipment Intelligence®（智能設備）技術，具備自感知能力的Sense.i平臺使半導體製造商能夠採集並分析數據、識別模式和趨勢，並指定改善措施。Sense.i平臺還具備自主校準和維護功能，可減少停機時間和人工成本。
  • 荷蘭巨頭1nm光刻機迎新突破!中國訂購的EUV光刻機呢?
    據TechWeb網站11月30日最新報導，近日荷蘭光刻機巨頭阿斯麥（ASML）又送來一則好消息，該司已經與比利時半導體研究機構IMEC共同完成了1nm光刻機的設計工作。然而，這家荷蘭企業的光刻機製造技術卻變得重大突破之際，我國晶片製造巨頭——中芯國際自阿斯麥訂購的EUV光刻機至今卻還未到貨。據悉，中芯國際於2018年自阿斯麥（ASML）手上購買了一臺價值約1.2億美元（折合約7.9億元人民幣）的EUV光刻機。
  • 荷蘭ASML突破1nm光刻機,那中國訂購的EUV光刻機呢?
    ASML突破1nm光刻機目前世界上等級最高，技術最尖端的光刻機設備是EUV光刻機。這類光刻機用波長在10到14nm的極紫外光作為光源，幾乎每一個EUV光刻機的零部件都至關重要。甚至有的零部件想要調試完成，需要經過上百萬次的試驗，花費十年時間也不為過。
  • 中芯國際斥資6億美元向泛林購買設備 用於擴大公司產能
    【TechWeb】2月19日消息，中芯國際昨晚發布公告稱，斥資6億美元向泛林購買設備。泛林中芯國際表示，已就本公司購買將用於生產晶圓的產品，和泛林團體訂立購買單。產品包括由蝕刻工具組成的資本設備。購買單的總代價為600,842,907美元。
  • 中科院研發者回應5納米光刻技術突破ASML壟斷
    圖截自官網ACS官網消息一經發出，外界一片沸騰，一些媒體稱此技術可以「突破ASML的壟斷」、「中國芯取得重大進展」，「中國不需要EUV光刻機就能製作出5納米製程的晶片」。該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前告訴《財經》記者，這是一個誤讀，這一技術與極紫外光刻技術是兩回事。
  • 中科院研發新型雷射光刻技術:不用EUV 直擊5nm
    荷蘭ASML公司是全球唯一能生產EUV光刻機的公司，他們之前表態7nm以下工藝都需要EUV光刻機才行。現在中科院蘇州納米所的團隊開發了一種新的雷射光刻技術，不需要使用EUV技術就可以製備出5nm特徵線寬。
  • 中國將突破ASML在極紫外光刻技術上的壟斷?
    打開APP 中國將突破ASML在極紫外光刻技術上的壟斷？ 雪花 發表於 2020-12-02 10:10:18 近日，中國科學院官網上發布的一則研究進展顯示，該團隊研發的新型5nm超高精度雷射光刻加工方法，隨後這被外界解讀為，已經5nm ASML的壟斷
  • ASML突破1nm光刻機,留給國產光刻機的時間還有多久?
    值得注意的是，根據IMEC公司執行長兼總裁Luc Van den hove的透露，IMEC公司與ASML公司緊密合作，將推進下一代高解析度EUV光刻技術。所以，這裡的1nm其實指的是電晶體柵極寬度1nm，光刻機本身採用的是波長指標，目前最先進的光刻機就是基于波長13.5nm的EUV（極紫外光刻機）。但是不論怎麼說，ASML公司此次確實是完成了1nm光刻機的設計突破。那麼如此一來，留給國產光刻機的時間還有多久呢？
  • 中科院突破5nm光刻技術壟斷?事實殘酷卻又是把雙刃劍
    中科院突破5nm光刻技術壟斷？《財經》新媒體近日的報導道出了事實真相：今年7月，中科院蘇州所聯合國家納米中心在《納米快報》上發表了題為《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》的研究論文，介紹了該團隊研發的新型5 納米超高精度雷射光刻加工方法。該論文的通訊作者博士生導師劉前特別強調，「不用EUV光刻機就能造成5nm晶片」是一個誤讀，超解析度雷射光刻技術與極紫外光刻技術是兩回事。
  • 韓國EUV技術獲重大突破!國產光刻機「前狼後虎」,如何破局?
    EUV光刻機是光刻機在發展過程中的第五代產品，它的最小工業節點到了22nm-7nm，其製造技術極具複雜，是世界上最先進的光刻機設備。近日，韓國光刻機工藝迎來了新突破。據報導，以三星為代表的韓國企業進行了深入的研究和開發，在EUV光刻技術上一直不斷縮小和其他國家企業之間的差距。基於對EUV光刻機的攻破，三星近期正式推出了Exynos1080晶片，這是韓國巨頭首款基於5nm工藝的SoC晶片。
  • 冰刻技術在理論和技術上,能不能實現現在的EUV光刻機的精度?
    冰刻技術完全可以實現與EUV光刻機相當的精度。只不過要實現這個精度，必須讓電子束直寫光刻機的的解析度達到納米級別才行。其實「冰膠+電子束」的效率是遠遠比不上「光刻膠+光刻機」的。從製造效率上來看，這種冰刻技術是不如光刻機的。而冰刻的解析度主要取決於電子束刻機，雖說電子束直寫光刻機的精度已經達到了10納米左右甚至以下的精度，但是國內電子束直寫光刻機的精度在1微米，還沒有達到納米級別。事實上，冰刻技術只是將化學的光刻膠換成了水蒸氣而已。早在2018年，就發布了冰刻系統，這次的冰刻則是其升級版，主要就是將原料生產為成品。
  • EUV光刻機進口無望,國產晶片將何去何從?
    打開APP EUV光刻機進口無望,國產晶片將何去何從?據悉，三星電子採用的是GAA技術（環繞閘極技術），與臺積電的FinFET工藝有所不同。 三星電子突破3nm，臺積電，三星兩強相爭，國產晶片面臨的差距再次拉大。根據此前荷蘭光刻機製造商阿斯麥的表態，DUV光刻機無需獲得美國批准，但是EUV光刻機暫時不在此列。這也意味著國內將很難獲得EUV光刻機，國產晶片新工藝製程研發受阻，止步於7nm製程。
  • 美國禁止出口5納米光刻機技術,我國EUV光刻機無望
    美國禁止出口5納米光刻機技術，我國EUV光刻機無望。近日，美國商業管制清單新增加了六項新內容：1，混合增材製造/計算機數控工具；2， 特定的計算光刻軟體；3，用於為5nm生產精加工晶圓的某些技術；4， 有限的數字取證分析工具；
  • 光刻技術概述及光刻技術的原理
    2000年以來，在光學光刻技術努力突破解析度「極限」的同時，NGL正在研究，包括極紫外線光刻技術，電子束光刻技術，X射線光刻技術，納米壓印技術等 除此之外，根據光的幹涉特性，利用各種波前技術優化工藝參數也是提高解析度的重要手段。這些技術是運用電磁理論結合光刻實際對曝光成像進行深入的分析所取得的突破。其中有移相掩膜、離軸照明技術、鄰近效應校正等。運用這些技術，可在目前的技術水平上獲得更高解析度的光刻圖形。 20世紀70—80年代，光刻設備主要採用普通光源和汞燈作為曝光光源，其特徵尺寸在微米級以上。
  • 1納米EUV光刻機要來了!
    imec執行長兼總裁Luc Van den hove做了主題演講，概述了該公司的研究，該公司和ASML密切合作，共同開發了下一代高解析度EUV光刻技術，即High NA EUV。他強調說，通過將光刻技術投入實際使用，摩爾定律將不會終止，並且該工藝將繼續改進到1 nm或更小。
  • 取得突破!中國成功研發出2納米晶片,光刻機的技術何時能突破
    我國為了能夠有一些更好的發展，現在其實有很多方面的努力，在現在的發展過程當中是有很多新技術的匯入的，而這樣的技術匯入就有很多的一些科技領域。
  • 250瓦EUV光源成就EUV微影技術新突破,EUV微影技術將大量生產
    儘管所花的時間與成本幾乎比所有人預期得要多，半導體產業終於還是快要盼到極紫外光(extreme ultraviolet，EUV)微影技術的大量生產──在近日於美國舊金山舉行的2017年度Semicon West半導體設備展，微影設備大廠ASML宣布該公司已經達成了最重要且長期難以突破的裡程碑：250瓦(watt)的EUV光源。
  • 泛林:業績不斷創新高,傾力中國半導體製造
    近日，晶圓設備製造商泛林(Lam Research)集團在京舉辦了媒體交流會，公司副總裁兼中國區總經理劉二壯博士和中國區首席技術官周梅生博士介紹了公司的業績和當前半導體製程的趨勢等