據新京報報導稱，中國的14納米晶片已經達到國際標準投入量產。隨著中國N+1技術的不斷推進，中國的晶片生產也不再需要EUV，半導體行業更是風生水起，受制於人的時代已經成為過去。
中國半導體行業
自改革開放以來，中國也加速推進了現代化進程，但是中國的半導體行業一直存在技術上的短板，晶片更是一直依賴於歐美國家。隨著美國近年來對中國的打壓和制裁手段越來越強硬，近期更是頒布了政策，聯合西方國家禁止對中國在晶片的出口，中國的多個企業也是受到了極大的衝擊，半導體行業更是遭到了前所未有的瓶頸。中國不得不踏上一條自主研發的道路。為了能夠早日滿足市場需求實現自給自足，中國具備晶片生產的企業全部都聯合起來，共同面對此次的困境。
中國還對此出臺了相應的政策，鼓勵中國半導體晶片產業的發展，不僅減免了該領域的稅收，還提供了人才和資金方面的支持。甚至還對此下達了命令，要求在5年後能夠實現中國晶片自產達到7成以上。這對我們來說是一次挑戰也是一次機遇，如果不是美國的制裁，中國的半導體製造行業也不會發展的如此迅猛，在壓力之下迸發出新的活力。
中國晶片進程
中國近期完成了技術上的突破，中芯國際推出的N+1晶片更是在技術上有了重大變革，不再需要使用EUV。要知道美國不僅禁止了晶片出口連同光刻機也禁止了。中國的困境也隨著N+1晶片的推出迎刃而解。據了解N+1計劃目前還在不斷推進，而14nm已經進入量產，水平目前也達到了國際規定。今後也將繼續提升技術手段提高市場競爭力，以此來吸引更多的國內外客戶進行投資。現如今中國的晶片性能在各方面都得到了升級優化，在功耗上也是大大減小了。
同樣中國中科院也響聽國家的號召，開始對光刻機進行技術上的攻堅，雖然中國的技術和國外頂級光刻機還有很大的差距，但是發展已見雛形。中科院官網此前也發布了一個論文，論文表示目前中科院研究的光刻技術在405nm波長的雷射實現了重大技術突破，目前也已經俱備了5nm的線寬工藝。這也意味著中國的光刻機技術從理論到商業上的轉化，相信再過不久就能看到更多的成果。中國的光刻機也將上一個新臺階。
中國半導體未來行業發展
事實上，美國對中國半導體行業實行封鎖後，越來越多的美國媒體對此表示深深的擔憂，雖然美國在一定程度上影響了中國的產業發展，但是中國的發展勢頭更是出乎他們意料。美國此前的脫鉤計劃以及此次對中的政策目的就是為了鞏固自身的地位，讓製造業發展重新流回美國，但是數據顯示和他們說的完全相反，大量的企業反而在不斷的外流，其中就包括了半導體行業。按照這樣的發展趨勢，美媒也是對此坦言中國在十年後很有可能會超越美國，成為半導體製造大國。
中國作為人口大國，製造業本就發達。隨著中國在半導體行業的不斷創新突破，國家政策的大力支持。中國在該行業上的福利待遇更是遠高於美國和西方國家的採取的大規模稅收政策。久而久之晶片製造業的發展也會逐步向亞洲轉移，美國已經阻擋不了亞洲地區晶片製造業的發展。
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