使用Tosca 400和SAXSpoint 2.0系統來表徵垂直基底的多孔結構聚合物薄膜。
相關性:聚合物研究、膜、多孔材料
Anton Paar –讓膜研究更易進行
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納米孔膜具有高超的潛力,如:現代電池和能量轉換應用,以及水處理領域。這類樣品的孔隙結構的表徵對它的性能是極其重要的。這裡我們展示的是對厚度為100 nm,垂直矽基底的多孔高分子膜的表徵。
掠入射小角X射線散射(GISAXS)是一種用於分析納米尺度表面結構的高度靈敏的測量方法,給出一個大樣品面積上的平均信息。
原子力顯微鏡(AFM)能提供局部表面結構的高空間解析度的直接可視信息。
這使得兩種方法在納米結構表面表徵上完美互補。
Fig. 1: 納米多孔PE/PEG薄膜水平方向一維切面的二維GISAXS圖樣(左)和 AFM形貌圖(右)。
左邊的圖是用SAXSpoint 2.0系統研究結構的 GISAXS圖樣。從反射圖上計算得到孔-孔間距大約50 nm。從相應的反射位置(見插圖)看,孔的六方排布可見。
右邊的圖顯示的是相應的AFM形貌圖,使用Anton Paar新的AFM Tosca 400獲得。它證實了孔是六方排序,周期性50 nm和平均孔直徑為20 nm。
樣品由汪勇(南京工業大學)提供
Tosca 400 – 高度自動化工業AFM提供卓越的圖片解析度和高樣品通量。
SAXSpoint 2.0 – 多用途點準直SAXS儀器,提供高解析度和光通量,使得它成為膜研究的完美工具。