導讀
最近,韓國科學技術院的科研團隊開發出一種超柔性的有機閃速存儲器,它可彎曲到低至300μm的半徑。這種存儲器不僅具有與現有工業標準相同的編程電壓,而且具有相當長的數據預計保留時間。
關鍵字
存儲器、材料、有機、柔性、可穿戴
背景
快閃記憶體是一種長壽命、非易失性、基於電晶體的存儲器,也就是說它在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息。在我們日常生活中,它已經成為大多數電子系統中不可或缺的部分。快閃記憶體的運行機制簡單,易於集成到 NAND 或者 NOR 陣列架構中,已經被認為是目前為止最成功、最主流的非易失性存儲器技術。
與其他計算機設備一樣,存儲器也具有柔性化的發展趨勢。筆者曾介紹過,法國斯特拉斯堡大學、國家科學研究中心(CNRS)、柏林洪堡大學 、斯洛維尼亞新戈裡察大學的研究人員組成的研究團隊開發出一種柔性、非易失的、由有機納米材料組成的光學存儲薄膜電晶體器件。
(圖片來源: Paolo Samori/法國斯特拉斯堡大學& CNRS)
來自柏林洪堡大學的團隊成員 Stefan Hecht 表示:
「通過其他有機元器件(有機發光二極體和有機場效應電晶體)實現電子設備,是重要的一步,因為整個系統會因為有機電子的優勢而受益。」
儘管有機電子設備的研究初期顯得非常有前景,然而該領域的整體進展已經遠遠落後於薄膜電晶體(TFTs)或其他基於柔性材料的設備。
這項技術一直以來就極具有挑戰性,特別是開發同時具有高度柔性和良好性能的快閃記憶體,原因主要是缺乏負責貫穿和阻擋電荷的柔性介電層。
創新
最近,韓國科學技術院(KAIST)的科研團隊研發出一種超柔性的有機閃速存儲器,也稱「快閃記憶體」( flash memory ),它可彎曲到低至300μm的半徑。這種存儲器不僅具有與現有工業標準相同的編程電壓,而且具有相當長的數據預計保留時間。
電氣工程學院教授 Seunghyup Yoo 與化學和生物工程系教授 Sung Gap Im 領導的一個聯合研究團隊表示,他們的存儲器技術可應用於非傳統的襯底,例如塑料和紙張,表現出這項技術具有廣泛應用的可行性。
這項論文發表於 9月28日的 《自然通信》( Nature Communications )雜誌,論文的領導作者是 Seungwon Lee 博士和 Hanul Moon 博士。
技術
大多數聚合物介電層製備所用的溶液澱積工藝,使得它們很難應用於快閃記憶體。這是由於形成雙層介電結構的複雜性,而雙層介電結構是快閃記憶體操作的關鍵。然而,研究團隊嘗試通過引發式化學氣相沉積(iCVD)生長的聚合物絕緣子薄膜,克服這些障礙實現高度柔性的快閃記憶體。
引發式化學氣相沉積(iCVD)方法是一種綠色新型的功能高分子薄膜製備方法。結合傳統的液相自由基聚合反應與化學氣相沉積技術,iCVD方法將聚合所需的引發劑和功能單體氣化引入腔體,在較低加熱溫度下誘導引發劑裂解,使單體聚合成高分子薄膜沉積於襯底上。沉積過程中襯底溫度控制在室溫範圍,因此不會傷害其性能。與傳統液相製備過程相比,iCVD法製得薄膜緻密均勻、厚度可控,且適用於任何材質的襯底;與PECVD等高能氣相法相比,其條件溫和、過程可控,且可完美保留所需官能團。
引發式化學氣相沉積(iCVD),之前被認為是適合製造柔性TFTs 聚合物的氣相生長技術。而這項研究進一步顯示:這些基於iCVD的聚合物絕緣子,經過合理設計和材料選擇後,也會對快閃記憶體產生極大貢獻。使用傳統聚合物絕緣膜的存儲器通常需要高於100V 的電壓,獲取長時間的存儲器記憶能力。如果製造出的器件工作於低電壓,它的記憶期會低於一個月,從而造成問題。
KAIST 團隊製造出了具有10V左右編程電壓的快閃記憶體,預計的數據保留時間可超過10年,同時在2.8%的機械應變情況下,仍可保持性能。現有的基於無機絕緣層的存儲器只允許1%的機械應變,相對而言,這項技術帶來了顯著的改進。
在一個6毫米厚的超薄塑料薄膜上,團隊製造出一種快閃記憶體,演示了這種可摺疊的存儲器。此外,團隊還成功地在印刷紙上製造出了這種快閃記憶體,為一次性的智能電子產品,例如電子紙張和電子名片,開闢了道路。
價值
總結一下,這種高度柔性存儲器的創新價值在於:它不僅符合現有工業標準的編程電壓,而且具有相當長的數據預計保留時間,保證了存儲器的非易失性。同時,它還可應用於非傳統的柔性襯底,例如塑料和紙張,應用前景廣闊,最終重要的是它仍然可以保持良好的性能。
Yoo 教授表示:
「這項研究很好地說明了,即使是高度柔性的快閃記憶體,也可以具有切實可行的性能水平,所以它將有利於成熟的可穿戴電子設備和智能紙張的發展。」
參考資料
【1】http://www.kaist.ac.kr/_prog/_board/?code=ed_news&mode=V&no=72581&upr_ntt_no=72581&site_dvs_cd=en&menu_dvs_cd=060101
【2】http://dx.
doi.org/10.1038/s41467-017-00805-z