這個月我們看到了兩個納米技術的關鍵性突破,都是有美國研究員完成。
第一個突破涉及到體積最小的電晶體,另外一個是密度最大的的數據存儲格式。第一個項目由匹茲堡大學Jeremy Levy所帶領的團隊實現,該團隊開發出世界上最微小的電晶體。
該電晶體由鋁酸鑭和鈦酸鍶陶瓷晶體板反面結合而成。他們都是絕緣體,但是這兩種材料夾在一起就能導電,可以在這兩種材料上面蝕刻出導線,
一個電晶體的體積不過有少數幾個原子體積那麼小。這種新的原子大小的電晶體,可以使得下一代移動處理器擁有更加強大的處理能力。
另外一項關鍵的進展是加州伯克利大學和Massachusetts Amherst大學聯合團隊完成,該團隊研發出一種全新的超密(super-dense)存儲技術,它可提供最高密度的穩定數據存儲層。
先前的研究都將目光投向聚合的半導體薄膜,因為該媒介能帶來高密度的數據存儲。但是離開一個表面,這些薄膜將喪失他們的結構並分散。該團隊使用加熱的藍寶石晶體創建了包含多個山脊式的模板,使得這些聚合薄膜能夠固定在上面。據Russell教授表示,「我們提供了一個簡單的概念來解決一系列問題」。
他稱,通過該技術,完美的半導體陣列密度比現有的格式高達15倍,每平方英寸能存儲的數據為10Tbit,大約為1,164 GB。cnBeta編譯自DailyTech