1876年,英國科學家Adams等人發現,當太陽光照射硒半導體時,會產生電流。這種光電效應太陽能電池的工作原理是,當太陽光照在半導體 p-n 結區上,會激發形成空穴-電子對(激子)在p-n結電場的作用下,激子首先被分離成為電子與空穴並分別向陰極和陽極輸運。光生空穴流向p區,光生電子流向n區,接通電路就形成電流。
Fritts在1883年製備成功第一塊硒上覆薄金的半導體/金屬結太陽能電池, 其效率僅約 1%。1954 年美國貝爾實驗室的 Pearson,Fuller和Chapin等人研製出了第一塊晶體矽太陽能電池,獲得4.5%的轉換效率, 開啟了利用太陽能發電的新紀元。此後, 太陽能技術發展大致經歷了三個階段:第一代太陽能電池主要指單晶矽和多晶矽太陽能電池,其在實驗室的光電轉換效率已經分別達到25%和20.4%;第二代太陽能電池主要包括非晶矽薄膜電池和多晶矽薄膜電池。第三代太陽能電池主要指具有高轉換效率的一些新概念電池, 如染料敏化電池、量子點電池以及有機太陽能電池等。
在接受太陽光照射時,鈣鈦礦層首先吸收光子產生電子-空穴對。由於鈣鈦礦材激子束縛能的差異,這些載流子或者成為自由載流子,或者形成激子。而且,因為這些鈣鈦礦材料往往具有較低的載流子複合機率和較高的載流子遷移率,所以載流子的擴散距離和壽命較長。例如,的載流子擴散長度至少為100nm,而的擴散長度甚至大於。這就是鈣鈦礦太陽能電池優異性能的來源。然後,這些未複合的電子和空穴分別別電子傳輸層和空穴傳輸層收集,即電子從鈣鈦礦層傳輸到等電子傳輸層,最後被FTO收集;空穴從鈣鈦礦層傳輸到空穴傳輸層,最後被金屬電極收集,如圖2所示。當然,這些過程中總不免伴隨著一些使載流子的損失,如電子傳輸層的電子與鈣鈦礦層空穴的可逆複合、電子傳輸層的電子與空穴傳輸層的空穴的複合(鈣鈦礦層不緻密的情況)、鈣鈦礦層的電子與空穴傳輸層的空穴的複合。要提高電池的整體性能,這些載流子的損失應該降到最低。最後,通過連接FTO和金屬電極的電路而產生光電流
鈣鈦礦電池一個顯著的特點是IV曲線的滯後(I-V hysteresis),一般從反向掃描(開路電壓-短路電流)得到的曲線比正向掃描(短路電流-開路電壓)看起來好很多。目前比較合理的解釋是:鈣鈦礦材料具有很強的鐵電性能(ferroelectricity)以及巨大的介電常數,導致電池的低頻電容很大(可通過阻抗譜看到),比其他任何一種光伏電池都顯著。正向掃描時光照產生的電流向電容充電,損耗了一部分光電流,所以得到的IV曲線電流要小一些。而反向掃描(一般從1V或者1.2V開始)相當於是提前給電容充了電,在掃描過程中電容不斷放電,所以測的的光電流看上去增大了。正反向掃描的充電/放電電流可以在改變電壓後的瞬態電流測試中清晰看到,它直接導致了IV曲線的滯後。當掃描速度極慢,充放電流的瞬態影響被消除的情況下,IV曲線滯後可以被消除。所以,目前很多文章的電池效率嚴格說來時不準確的。從反向掃描以及快速掃描都可能導致電池的實際效率被高估甚至嚴重高估。對此牛津的Snaith教授已經在Nature的一篇commentary上說過這個問題了。
作者:知乎用戶
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