成果介紹
由於在原子薄電子學和光電子學中的潛在應用，二維（2D）面內（橫向）異質結已吸引了越來越多的研究興趣。儘管大多數研究集中在組分之間具有高度相似晶格結構的半導體-半導體橫向異質結中，但由於更獨特的晶格結構或化學性質，金屬-半導體橫向異質結的合成研究較少，並且通常更具挑戰性。
有鑑於此，近日，湖南大學段曦東教授團隊報導了四方CoSe和六方WSe2之間高質量金屬-半導體橫向異質結的氣相外延生長方法。2D CoSe可以在預生長的WSe2納米片的邊緣選擇性地成核，形成CoSe-WSe2金屬-半導體橫向異質結。光學顯微鏡（OM），掃描電子顯微鏡（SEM）和原子力顯微鏡（AFM）研究揭示了異質結界面上的鮮明對比。高分辨透射電子顯微鏡（HRTEM）和選區電子衍射（SAED）研究進一步證實了跨異質結界面的微觀結構調製。基於CoSe-WSe2橫向異質結的場效應電晶體（FET）表現出優異的歐姆接觸，並且具有更好的器件性能，這表明面內金屬-半導體結有望用作原子薄電子器件的改進接觸。
圖文導讀
圖1. CoSe-WSe2橫向異質結外延生長的示意圖和基本表徵。
圖2. CoSe-1L-WSe2橫向異質結的生長動力學過程。
圖3. TEM原子結構表徵。
圖4. 由CoSe-2L-WSe2橫向異質結和2L-WSe2納米片製成的FET的電學性能。
文獻信息
In-plane epitaxial growth of 2D CoSe-WSe2 metal-semiconductor lateral heterostructures with improved WSe2 transistors performance
(InfoMat, 2020, DOI:10.1002/inf2.12157)
文獻連結：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/inf2.12157
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