量子隧道效應是一種量子特性,是電子等微觀粒子能夠穿過高於它們自身能量的勢壘的現象。
當一定量的微觀粒子在運動中遇到一個高於粒子能量的勢壘時,按照經典力學的相關理論,所有粒子都是不可能越過勢壘的;然而,按照量子力學的理論進行計算,少量粒子能夠透過勢壘。也就是說,當很多粒子衝向勢壘時,大部分粒子被勢壘反彈回來,但是還是有少量粒子能過去,好像勢壘中有一個隧道,因此這種現象被稱為量子隧道效應。
科學家們已在半導體領域充分演示了量子隧道效應,在半導體中,電子會穿過材料的非導電層。當微電子器件進一步微型化時必須要考慮量子效應。例如,在製造半導體集成電路時,當電路的尺寸接近電子波長時,電子就會通過隧道效應而穿透絕緣層,使器件無法正常工作。因此,宏觀量子隧道效應已成為微電子學、光電子學中的重要理論。
——選自《科學畫報》
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