作為電子陶瓷工業的基礎材料，BaTiO3（BTO）具有優異的介電和壓電性能。在本工作中，通過靜電紡絲PAT製備了純相BTO和鑭摻雜Ba（1-x）LaxTiO3（BLxT）纖維（x=0.003、0.006、0.009和0.012）。熱處理後的所有纖維均為四方相，且具有良好的結晶度。
此外，四方相BTO陶瓷的介電性能優於立方陶瓷。將BTO纖維（BTOF）和粉末（BTOP）壓制並燒結成陶瓷片，其具有較好的可成型性。與BTOP陶瓷相比，BTOF陶瓷具有明顯的微電容效應，在低頻（f<3000Hz）下具有較高的介電常數。因此，BTOF陶瓷是一種優良的低頻電容材料，可用於低頻濾波器。在BTOFs中摻雜La3+，以進一步提高其介電性能。當摻雜濃度為0.9％時，BLxT纖維陶瓷的介電常數達到最大值5100（25℃，f=100Hz）。隨著La3+摻雜量的增加，居裡溫度的下降趨勢更加均勻，這在溫控電容器的製備中具有顯著的優勢。
圖1.前體纖維在空氣中的TGA-DSC曲線。
圖2.經不同溫度熱處理的前體纖維在空氣中的FT-IR光譜。
圖3.經不同溫度熱處理的前體纖維在空氣中的拉曼光譜。
圖4.在700℃下熱處理的BTOFs的XPS全掃描光譜（a）以及Ba3d（b），O1s（c），Ti2p（d）高解析度XPS光譜。
圖5.不同溫度熱處理的BTO前體纖維的XRD圖譜。
圖6.在空氣中於不同溫度下熱處理的BTO前體纖維的SEM圖像：600℃（a），700℃（b），800℃（c），900℃（d），1000℃（e）和1100℃（f）。
圖7.在800℃（a），900℃（b），1000℃（c）和1100℃（d）下熱處理的BTO前體纖維的照片。
圖8.在10、12和14MPa的壓力，1100℃的燒結溫度下製備的BTOF陶瓷（a），（c），（e）和BTOP陶瓷（b），（d），（f）的照片。
圖9.BTOF和BTOP陶瓷樣品的頻率依賴性：（a）介電常數，（b）介電損耗，以及溫度依賴性：（c）介電常數，（d）介電損耗。
圖10.不同La3+濃度的BLxT（x=0（a），0.003（b），0.006（c），0.009（d）和0.012（e））纖維的SEM圖像和粒度分布。
圖11.室溫下，五種BLxT陶瓷樣品（x=0、0.003、0.006、0.009和0.012）的XRD圖譜。
圖12.室溫下，五種BLxT纖維陶瓷樣品（x=0、0.003、0.006、0.009和0.012）的拉曼光譜。
圖13.BTO和BLxT（x=0.003，0.006，0.009，0.012）陶瓷樣品的頻率依賴性：（a）介電常數，（b）介電損耗，以及溫度依賴性：（c）介電常數，（d）介電損耗。