二維材料的維度與界面調控是推動其持續蓬勃發展的重要因素。由於二維材料層間弱的範德華力相互作用,可以按需將任意的二維材料堆疊在一起,組合成範德華雙層及多層人工材料,從而實現對其物理性能的調製。利用轉角自由度調控,會在人工疊層材料中引發多種有趣的物理行為,例如非常規超導電性、摩爾激子、隧穿電導、非線性光學以及結構超潤滑等。由此,也開啟了轉角電子學的時代。目前,實驗上通常採用解理與轉移技術來實現轉角多層結構的製備,樣品大小通常在微米量級,極大地阻礙了二維材料轉角電子學的應用。因此,如何在大尺度下製備高質量、轉角精確可控的多層範德華同質/異質結樣品非常重要。
中國科學院物理研究所/北京凝聚態物理國家研究中心納米物理與器件實驗室張廣宇研究組一直致力於新型二維材料(如石墨烯、二硫化鉬)的外延與物性調控研究,取得了一系列成果。近幾年來,他們採用MOCVD的設計思路搭建了分立源式三溫區氣相範德瓦爾斯外延系統,利用氧輔助的自限制生長(JACS 2015, 137, 15632;ACS Nano 2017, 11, 12001),在2英寸藍寶石晶圓襯底上成功外延了高質量、晶粒取向一致的單層二硫化鉬薄膜。
近期,針對大尺度疊層結構的製備問題,該組廖夢舟博士(現為捷克理工大學博士後)、魏爭、杜羅軍博士(現為芬蘭阿爾託大學博後)在張廣宇研究員和楊蓉副研究員的共同指導下,利用上述2英寸高度定向的單層MoS2和水輔助轉移方法相結合,實現了釐米級堆垛的多層MoS2同質結製備及層間轉角的精確控制。通過光致發光峰位移確認轉角可以連續改變釐米級堆垛的多層MoS2同質結的間接帶隙。該工作提供一種經濟高效且可擴展的加工技術,通過二維材料的外延技術和轉移技術相結合,實現精確轉角控制下的大面積二維材料範德華同質和異質結的加工,有望為轉角調控的低維電子和光子學的應用發展開闢道路。相關結果發表在Nature Communications上。
上述工作得到了國家自然科學基金、國家重點研發計劃、中科院B類先導專項、中科院青促會、松山湖材料實驗室等的資助。
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https://www.nature.com/articles/s41467-020-16056-4
圖. a) 從單層MoS2到疊層MoS2同質結的構築示意圖;b)-d)疊層MoS2的質量表徵:轉角精度可控、大範圍均勻與乾淨的表界面;e)-i) 轉角調控對疊層MoS2間接帶隙及層間耦合效應的影響
本文來自「中國科學院物理研究所」。