2018年11月,《催化學報》在線發表了天津大學那平教授團隊在光催化領域的最新研究成果。該工作報導了在TiO2納米片表面原位生長層狀WS2,構建了2D-2D TNS/WS2異質結,揭示2D-2D界面構建方式促進了光生載流子的分離,致使其具有更高的光催化活性。論文第一作者為:吳勇川,論文通訊作者為:那平。
光催化技術以其清潔、高效、能耗低等優點被公認為是一種很有前途的環境修復技術。TiO2作為一種重要的光催化劑,引起了人們的廣泛關注。但TiO2內在缺陷限制了其實際應用。為此,研究者採用各種方法用以克服其缺點,增進光催化活性。TiO2與助催化劑耦合,形成複合型光催化劑被認為是實現這一目標的有效途徑。相比於單組份光催化劑,複合型光催化劑結合了各自的有點,表現出更好的光催化性能。再者,主體材料和客體材料之間存在的異質結改變了界面處的頻帶偏移,給光生電子-空穴的分離提供了驅動力。WS2作為類石墨烯結構的二維過渡金屬二硫化物,其帶隙(1.35 eV)較窄且價帶低高於TiO2,預示著有可能成為一種候選催化劑,在可見光下對TiO2進行光敏化。
通過一步水熱法在TiO2納米片表面原位生長WS2,構建了2D-2D TNS/WS2異質結光催化劑。TNS/WS2異質結表現出優異的光催化性能,這種光催化活性的增強主要原因歸屬於2D-2D界面帶來的高效的光生電子-空穴分離能力。
二維過渡金屬二硫化物(如MoS2)作助催化劑,與TiO2耦合,形成TiO2/MoS2異質結被廣泛報導。但以價帶位置更高的WS2修飾TiO2卻研究不多。此外,對TiO2/WS2異質結光催化機理沒有明確定義,同時對促進其光催化活性增強原因不明。有必要對TiO2/WS2異質結系統研究,闡明其光催化增強的原因及光催化機理。
圖1. (a) XRD(從上到下:TiO2納米片、TNS/WS2-0.05、TNS/WS2-0.07、TNS/WS2-0.10、TNS/WS2-0.20、WS2); (b) Raman光譜; (c) BET; (d) UV-Vis吸收光譜。
要點:TiO2納米片與TNS/WS2異質結衍射峰分布符合銳鈦礦TiO2,且TiO2納米片與WS2之間結合緊密,可能存在W=O鍵連接。WS2的引入增大了顆粒尺寸,降低了比表面積,使TiO2納米片光吸收邊緣紅移,增強異質結可見光區域光吸收性能。
圖2. (a) WS2、(b) TiO2和 (c) TNS/WS2-0.10的TEM圖; (d-f) TNS/WS2-0.10的HRTEM圖; (g) EDX元素分布圖。
要點:WS2均勻包覆在TiO2納米片表面,包覆厚度為2.6 nm,約為4層WS2。
圖3. TNS/WS2異質結光催化降解RhB (a) 和一階動力學擬合 (b);(c) TNS/WS2異質結與TiO2中空亞微米微球/WS2(THS/WS2)異質結光催化活性對比; (d) 自由基湮滅實驗。
要點:TNS/WS2異質結光催化去除RhB能力得到明顯增。其光催化性能提升主要推動力為:2D-2D界面促進了光生電子-空穴的分離,而不是光吸收性能改善或光催化劑的比表面積。空穴(h)和超氧自由基(O2·-)同時作用於光催化降解RhB,但空穴起主要作用,超氧自由基起次要作用。
要點:WS2接收光子,產生光生電子和空穴。由於WS2價帶高於TiO2,在內建電場作用下,光生電子的傳遞到TiO2價帶上,與此同時,空穴在WS2導帶富集,從而實現光生電子-空穴的分離。根據TiO2價帶和WS2導帶位置,光生電子與溶液中O2結合,生成超氧自由基,參與到RhB光催化降解反應中;空穴直接與RhB反應,分解RhB分子。TNS/WS2異質結對RhB降解過程為典型的雙傳遞降解機理模型。
1. 通過一步水熱法成功製備了TNS/WS2異質結。
2. TNS/WS2異質結光催化活性得到明顯增強,且造成這一結果的主要因素為2D-2D界面促進了光生電子-空穴的分離。
3. TNS/WS2異質結對RhB降解機理為雙傳遞降解機理模型。
4. 本研究通過工程表面異質結的研究,為高效、穩定光催化劑構建提供了新思路。
那平,天津大學研究員。主要研究方向為:微量元素物理化學、環境水化學。主持了863課題、國家自然科學基金、海洋局科技興海、國際合作、天津市自然科學基金等項目13項。榮獲農業部科技進步二等獎(1993)、核工業科技進步二等獎(1998)、天津市科技進步二等獎(2003)、國家技術發明二等獎(2004)、天津市優秀專利獎(2010)等獎勵。近年來在Appl Catal B-Environ,Chem Eng J,J Hazard Mater,Chem Commun和Chin J Catal等國際學術期刊上發表SCI論文30餘篇,獲批發明專利26件。
那平課題組歡迎具有化學工程和環境工程背景的同學加盟,感興趣的同學請聯繫那老師(naping@tju.edu.cn)。
文獻信息:
Y. C. Wu, Z. M. liu, Y. R. Li, J. T. Chen, X. X. Zhu, P. Na, Chin. J. Catal., 2019, 40, 60–69.
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