新潔能:首次公開發行股票招股說明書摘要

新潔能:首次公開發行股票招股說明書摘要

時間：2020年09月15日 00:36:08&nbsp中財網

原標題:

新潔能

:首次公開發行股票招股說明書摘要

C:\Users\XDG\Desktop\logo高清.jpg

無錫

新潔能

股份有限公司

（無錫

市

高浪東路

999

號

B1

號樓

2

層）

首次公開發行股票

招股說明書摘要

保薦機構（主承銷商）

平安證券

股份有限公司

（深圳市福田區福田街道益田路

5023

號平安金融中心

B

座第

22

-

25

層）

聲 明

本

招股說明書

摘要的目的僅為向公眾提供有關本次發行的簡要情況，並不包

括

招股說明書

全文的各部分內容。投資者在做出認購決定之前，應仔細閱讀

招股

說明書

全文，並以其

作

為投資決定的依據。

投資者若對

招股說明書

及其摘要存在任何疑問，應諮詢自己的股票經紀人、

律師、會計師或其他專業顧

問。

公司

及全體董事、監事、高級管理人員承諾

招股說明書

及其摘要不存在虛假

記載、誤導性陳述或重大遺漏，並對

招股說明書

及其摘要的真實性、準確性、完

整性承擔個別和連帶的法律責任。

公司負責人和主管會計工作的負責人、會計機構負責人保證

招股說明書

及其

摘要中財務會計

資料

真實、完整。

中國證監會、其他政府部門對本次發行所作的任何決定或意見，均不表明其

對

公司

股票的價值或者投資

者

的收益做出實質性判斷或者保證。任何與之相反的

聲明均屬虛假不實陳述。

第一節 重大事項提示

一、

關於股份

鎖定

的

承諾

1、公司控股股東、實際控制人朱袁正及其一致行動人（葉鵬、戴鎖慶、周洞

濂、王成宏、顧朋朋、吳國強、李宗清、王永剛、陸虹、肖東戈

共計

10

人

）承諾：

（1）自公司股票上市之日起36個月內，不轉讓或者委託他人管理本人直接或

間接持有的公司首次公開發行股票前已發行的股份，也不由公司回購本人直接或

間接持有的

首次

公開發行股票前已發行的股份

。

（2）公司上市後6個月內如公司股票連續20個交易日的收盤價均低於發行價，

或者上市後6個月期末收盤價低於發行價，其持有公司股票的鎖定期限自動延長6

個月（若發行人上市後發生派發股利、送紅股、轉增股本、增發新股或配股等除

息、除權行為的，則前述價格將進行相應調整）。

（

3

）若本人直接或間接持有的股份在鎖定期滿後兩年內減持，減持價格將不

低於首次

公開發行股票

發行價（若公司上市後發生派發股利、送紅股、轉增股本、

增發新股或配股等除息、除權行為的，則前述價格將進行相應調整）。

2、持有公司股份的達晨創投、

上海貝嶺

、國聯創投、金浦新投、金投控股、

君熠投資、朱進強、中匯金玖、祥禾湧安、易辰創投、君昕投資、武嶽峰浦江、

珠海橫琴、郭豔芬、航虹智科、金控源悅、金控遠東、顧成標、上海諳稷共計19

名股東承諾：自公司本次發行的股票在證券交易所上市之日起12個月內，不轉讓

或者委託他人管理現已持有的公司股份，亦不由公司回購現已持有的股份。

3、持有公司股份的楊卓、朱兵、朱喜龍、宗臻、張照才、王根毅、周永珍、

朱久桃、徐振彥、杲永亮、李春香、楊茜、季康康、劉晶晶、呂萬雄、程月東、

前海利信共計17名股東承諾：自發行人股票在證券交易所上市之日起36個月內，

不轉讓或者委託他人管理本人持有的公司首次公開發行股票前已發行的股份，也

不由公司回購本人持有的首次公開發行股票前已發行的股份。

4、直接或間接持有公司股份的董事、高級管理人員朱袁正、葉鵬、王成宏、

顧朋朋、王永剛、陸虹、肖東戈承諾：

（1）自公司股票上市之日起36個月內，本人不轉讓或者委託他人管理本次發

行前本人直接或間接持有的公司股份，亦不由公司回購該部分股份。

（2）公司上市後6個月內如公司股票連續20個交易日的收盤價均低於發行價，

或者上市後6個月期末收盤價低於發行價，本人直接或間接持有公司股份的鎖定期

限自動延長6個月（若發行人上市後發生派發股利、送紅股、轉增股本、增發新股

或配股等除息、除權行為的，則前述價格將進行相應調整）。

（3）除前述鎖定期外，在擔任公司董事、監事或高級管理人員期間，每年轉

讓的股份不超過本人直接或間接持有公司股份總數的25%；離職後6個月內，不轉

讓本人直接或間接持有的公司股份。

（4）在任期屆滿前離職的，在就任時確定的任期內和任期屆滿後6個月內，

轉讓的股份不超過本人直接或間接持有公司股份總數的25%；離職後6個月內，不

轉讓本人直接或間接持有的公司股份；不違反法律、行政法規、部門規章、規範

性文件以及證券交易所業務規則對董監高股份轉讓的其他規定。

本人作出的上述承諾在本人直接或間接持有公司股票期間持續有效，不因本

人職務變更或離職等原因而放棄履行上述承諾。

5、直接或間接持有公司股份的監事吳國強、李宗清承諾：

（1）自公司股票上市之日起36個月內，本人不轉讓或者委託他人管理本次發

行前本人直接或間接持有的公司股份，亦不由公司回購該部分股份。

（2）除前述鎖定期外，在擔任公司董事、監事或高級管理人員期間，每年轉

讓的股份不超過本人直接或間接持有公司股份總數的25%；離職後6個月內，不轉

讓本人直接或間接持有的公司股份。

（3）在任期屆滿前離職的，在就任時確定的任期內和任期屆滿後6個月內，

轉讓的股份不超過本人直接或間接持有公司股份總數的25%；離職後6個月內，不

轉讓本人直接或間接持有的公司股份；不違反法律、行政法規、部門規章、規範

性文件以及證券交易所業務規則對董監高股份轉讓的其他規定。

本人作出的上述承諾在本人直接或間接持有公司股票期間持續有效，不因本

人職務變更或離職等原因而放棄履行上述承諾。

二、

關於減持意向及

承諾

1、公司控股股東、實際控制人朱袁正及其一致行動人（葉鵬、戴鎖慶、周洞

濂、王成宏、顧朋朋、吳國強、李宗清、王永剛、陸虹、肖東戈

共計

10

人

）承諾：

本人將遵守中國證監會《上市公司股東、董監高減持股份的若干規定》，上海

證券交易所《股票上市規則》、《上海證券交易所上市公司股東及董事、監事、高

級管理人員減持股份實施

細則》等相關法律、法規、規範性文件的規定。

如本人所持股票在上述鎖定期滿後兩年內減持，減持價格將不低於本次發行

價（若公司上市後發生派發股利、送紅股、轉增股本、增發新股或配股等除息、

除權行為的，則前述價格將進行相應調整），每年減持數量不超過上一年末本人

所持有公司股份的25%。減持方式包括集中競價交易、大宗交易、協議轉讓及其

他符合中國證監會及證券交易所相關規定的方式。本人擬減持公司股份時，將提

前三個交易日通知公司並予以公告，未履行公告程序前不進行減持；本人減持公

司股份將按照《公司法》、《證券法》、證券監督管理部門及證券交易所的相關

規定辦理。

本人作出的上述承諾在本人直接或間接持有公司股票期間持續有效，不因本

人職務變更或離職等原因而放棄履行上述承諾。

2、其他持有公司5%以上股份的股東達晨創投、

上海貝嶺

、國聯創投和金浦

新投承諾：

本企業將遵守中國證監會《上市公司股東、董監高減持股份的若干規定》，上

海證券交易所《股票上市規則》、《上海證券交易所上市公司股東及董事、監事、

高級管理人員減持股份實施細則》的相關規定。

三

、穩定股價的承諾

為保護投資者利益，進一步明確公司上市後三年內公司股價低於每股淨資產

時穩定公司股價的措施，按照中國證監會《關於進一步推進新股發行體制改革的

意見》的相關要求，公司特制訂《無錫

新潔能

股份有限公司上市後三年內穩定股

價的預案》，主要內容如下：

「一、啟動穩定股價措施的條件

上市後三年內，若公司連續

20

個交易日每日股票加權平均價格（按當日交易

數量加權平均，不包括大宗交易）均低於最近一期經審計的每股淨資產（以下簡

稱「啟動條件」，審計基準日後發生權益分派、公積金轉增股本、配股等情況的，

應做除權、除息處理），且非因不可抗力因素所致，則公司應按下述規則啟動穩定

股價措施。

二、穩定股價的具體措施

（一）公司回購

1

、公司為穩定股價之目的回購股票，應符合《上市公司回購社會公眾股份管

理辦法（試行）》及《關於上市公司以集中競價交易方式回購股份的補充規定》等

相關法律、法規的規定，且不應導致公司股權分布不符合上市條件。

2

、公司董事會對回購股票作出決議，公司全體董事承諾就該等回購事宜在董

事會中投贊成票。

3

、公司股東大會對回購股票做出決議，該決議須經出席會議的股東所持表決

權的三分之二以上通過，

公司控股股東、實際控制人及其一致行動人

承諾就該等

回購事宜在股東大會中投贊成票。

4

、公司為穩定股價進行股票回購時，除應符合相關法律法規

之要求之外，還

應符合下列各項：

（

1

）公司回購股份的資金為自有資金，回購股份的價格原則上不超過公司最

近一期經審計的每股淨資產

（審計基準日後發生權益分派、公積金轉增股本、配

股等情況的，應做除權、除息處理）

，回購股份的方式為集中交易方式、要約方式

或證券監督管理部門認可的其他方式。

但如果股份回購方案實施前公司股價已經

不滿足啟動穩定公司股價措施條件的，可不再繼續實施該方案。

（

2

）公司用於回購股票的資金總額累計不超過公司首次公開發行股票所募集

資金的淨額，單次用於回購股票的資金不得低於人民幣

500

萬元。

（

3

）公司單

次回購股票不超過公司總股本的

2%

。

（二）控股股東、實際控制人及其一致行動人增持

1

、下列任一條件發生時，公司控股股東

、實際控制人及其一致行動人

應在符

合《上市公司收購管理辦法》及《上市公司股東及其一致行動人增持股份行為指

引》等法律法規的條件和要求的前提下，對公司股票進行增持：

（

1

）公司回購股票方案實施完畢之次日起的連續

10

個交易日每日股票加權

平均價格（按當日交易數量加權平均，不包括大宗交易）均低於最近一期經審計

的每股淨資產（審計基準日後發生權益分派、公積金轉增股本、配股等情況的，

應做除權、除息處理）。

（

2

）公司回購股票方案實施完畢之次日起的

3

個月內啟動條件被再次觸發。

2

、控股股東、實際控制人及其一致行動人將通過二級市場以競價交易方式買

入公司股份以穩定股價，通過二級市場以競價交易方式買入公司股份的，

買入價

格不高於最近一期經審計的每股淨資產（審計基準日後發生權益分派、公積金轉

增股本、配股等情況的，應做除權、除息處理）

。但如果公司披露其買入計劃後

3

個交易日內其股價已經不滿足啟動穩定公司股價措施條件的，控股股東、實際控

制人及其一致行動人可不再實施上述買入公司股份計劃。

3

、控股股東、實際控制人及其一致行動人承諾

單次增持金額不少於人民幣

500

萬元，但單次增持公司股份數量不超過公司總股本的

2%

。

4

、控股股東、實際控制人及其一致行動人承諾在增持計劃完成後的

6

個月內

將不出售所增持的股票。

（三）

董事、高級管理人員增持

1

、下列任一條件發生時，公司董事（不包括獨立董事、在公司任職但並不領

取薪酬的董事）、高級管理人員應在符合《上市公司收購管理辦法》及《上市公司

董事、監事和高級管理人員所持本公司股份及其變動管理規則》等法律法規的條

件和要求的前提下，對公司股票進行增持：

（

1

）控股股東、實際控制人及其一致行動人增持股票方案

實施完畢之次日起

的連續

10

個交易日每日股票加權平均價格（按當日交易數量加權平均，不包括大

宗交易）均低於最近一期經審計的每股淨資產（審計基準日後發生權益分派、公

積金轉增股本、配股等情況的，應做除權、除息處理）。

（

2

）控股股東、實際控制人及其一致行動人增持股票方案實施完畢之次日起

的

3

個月內啟動條件被再次觸發。

2

、

有增持義務的公司董事、高級管理人員將通過二級市場以競價交易方式買

入公司股份以穩定股價，通過二級市場以競價交易方式買入公司股份的，買入價

格不高於

最近一期經審計的每股淨資產（審計基準日後發生權益分派、公

積金轉

增股本、配股等情況的，應做除權、除息處理）

。但如果公司披露其買入計劃後

3

個交易日內其股價已經不滿足啟動穩定公司股價措施的條件的，可不再實施上述

買入公司股份計劃。

3

、有增持義務的公司董事、高級管理人員承諾，單次用以穩定股價的增持資

金不少於其在公司擔任董事或高級管理人員職務期間上一會計年度從公司領取的

現金薪酬的

20%

，但不超過

50%

；單一會計年度用以穩定股價的增持資金合計不

超過其在公司擔任董事或高級管理人員職務期間上一會計年度從公司領取的現金

薪酬的

100%

。有增持義務的董事、高級管理人員對該等增持義務的

履行承擔連

帶責任。

4

、有增持義務的公司董事、高級管理人員承諾，在增持計劃完成後的

6

個月

內將不出售所增持的股票。

5

、在公司董事、高級管理人員增持完成後，如果公司股票價格再次出現連續

20

個交易日每日股票加權平均價格（按當日交易數量加權平均，不包括大宗交易）

低於

最近一期經審計的每股淨資產

（審計基準日後發生權益分派、公積金轉增股

本、配股等情況的，應做除權、除息處理），則公司應依照本預案的規定，依次開

展公司回購、控股股東、實際控制人及其一致行動人增持及董事、高級管理人員

增持工作。

6

、公司若有新聘任董事（不包括獨

立董事、在公司任職但並不領取薪酬的董

事）、高級管理人員，公司將要求其接受穩定公司股價預案和相關措施的約束。

三、穩定股價措施的啟動程序

（一）

公司回購

1

、公司董事會應在上述公司回購啟動條件觸發之日起的

15

個交易日內做出

回購股票的決議。

2

、公司董事會應當在做出回購股票決議後的

2

個工作日內公告董事會決議、

回購股票預案，並發布召開股東大會的通知。

3

、公司應在股東大會做出決議之次日起開始啟動回購，並應在履行相關法定

手續後的

30

個交易日內實施完畢；

4

、公司回購方案實施完畢後，應在

2

個工作日內公告公司股票變動

報告，並

在

10

日內依法註銷所回購的股票，辦理工商變更登記手續。

（二）

控股股東

、實際控制人及其一致行動人

及董事、高級管理人員增持

1

、公司董事會應在上述控股股東

、實際控制人及其一致行動人

及董事、高級

管理人員增持條件觸發之日起

2

個交易日內做出增持公告。

2

、控股股東

、實際控制人及其一致行動人

及董事、高級管理人員應在增持公

告做出之次日起開始啟動增持，並應在履行相關法定手續後的

30

個交易日內實施

完畢。

四、穩定股價方案的終止情形

自股價穩定方案公告之日起

60

個工作日內，若出現以下任一情形，則視為本

次穩定股價措施

實施完畢及承諾履行完畢，已公告的穩定股價方案終止執行：

（一）公司股票連續

10

個交易日每日股票加權平均價格（按當日交易數量加

權平均，不包括大宗交易）均高於公司最近一期經審計的每股淨資產（審計基準

日後發生權益分派、公積金轉增股本、配股等情況的，應做除權、除息處理）；

（二）繼續回購或增持公司股票將導致公司股權分布不符合上市條件。

五、約束措施

在啟動條件滿足時，如公司、控股股東

、實際控制人及其一致行動人

、有增

持義務的董事、高級管理人員未採取上述穩定股價的具體措施，公司、控股股東

、

實際控制人及其一致行動人

、有增

持義務的董事、高級管理人員承諾接受以下約

束措施：

（一）公司、控股股東

、實際控制人及其一致行動人

、有增持義務的董事、

高級管理人員將在公司股東大會及中國證監會指定披露媒體上公開說明未採取上

述穩定股價措施的具體原因並向公司股東和社會公眾投資者道歉。

（二）如果控股股東

、實際控制人及其一致行動人

未採取上述穩定股價的具

體措施的，則公司有權將與控股股東

、實際控制人及其一致行動人

擬增持股票所

需資金總額相等金額的薪酬、應付現金分紅予以暫時扣留，直至其按本預案的規

定採取相應的穩定股價措施並實施完畢。

（三）如果有增持義務的

董事、高級管理人員未採取上述穩定股價的具體措

施的，則公司有權將與該等董事、高級管理人員擬增持股票所需資金總額相等金

額的薪酬、應付現金分紅予以暫時扣留，直至該等董事、高級管理人員按本預案

的規定採取相應的股價穩定措施並實施完畢。

（四）如因公司股票上市地上市規則等證券監管法規對於社會公眾股股東最

低持股比例的規定導致公司、控股股東

、實際控制人及其一致行動人

、董事及高

級管理人員在一定時期內無法履行其穩定股價義務的，相關責任主體可免於前述

約束措施，但其亦應積極採取其他合理且可行的措施穩定股價。

本預案需經公司股東大會

審議通過，自公司完成首次公開發行

A

股股票並在

主板上市之日起生效，有效期三年。

」

公司承諾：在公司上市後三年內，若公司連續20個交易日每日股票加權平均

價格（按當日交易數量加權平均，不包括大宗交易）均低於最近一期經審計的每

股淨資產（審計基準日後發生權益分派、公積金轉增股本、配股等情況的，應做

除權、除息處理），公司將按照《無錫

新潔能

股份有限公司上市後三年內穩定股

價的預案》回購公司股份。

公司控股股東、實際控制人及其一致行動人承諾：1、公司上市後三年內，若

公司股票連續20個交易日除權後的加權平均價格（按當日交易數量加權平均，不

包括大宗交易）均低於公司最近一期經審計的每股淨資產（審計基準日後發生權

益分派、公積金轉增股本、配股等情況的，應做除權、除息處理），本人將按照

《無錫

新潔能

股份有限公司上市後三年內穩定股價的預案》增持公司股票；2、本

人將根據公司股東大會批准的《無錫

新潔能

股份有限公司上市後三年內穩定股價

的預案》中的相關規定，在公司就回購股票事宜召開的董事會與股東大會上，對

回購股票的相關決議投贊成票。

公司全體董事承諾：1、本人將根據公司股東大會批准的《無錫

新潔能

股份有

限公司上市後三年內穩定股價的預案》中的相關規定，在公司就回購股份事宜召

開的董事會與股東大會上，對回購股份的相關決議投贊成票；2、本人將根據公司

股東大會批准的《無錫

新潔能

股份有限公司上市後三年內穩定股價的預案》中的

相關規定，履行相關的各項義務。

公司全體高級管理人員承諾：本人將根據公司股東大會批准的《無錫

新潔能

股份有限公司上市後三年內穩定股價的預案》中的相關規定，履行相關的各項義

務。

四

、

關於信息披露違規

的承諾

1、發行人承諾

公司承諾：本招股說明書不存在虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏，公司

對其真實性、準確性、完整性承擔法律責任。若公司招股說明書有虛假記載、誤

導性陳述或者重大遺漏，對判斷公司是否符合法律規定的發行條件構成重大、實

質影響，在中國證監會就此對公司作出行政處罰決定生效之日起三十日內，公司

召開股東大會審議回購首次公開發行的全部新股的方案，並在股東大會審議通過

之日起五日內啟動回購方案，回購價格以公司首次公開發行價格加上同期銀行存

款利息和二級市場價格孰高者確定（若公司上市後發生派發股利、送紅股、轉增

股本、增發新股或配股等除息、除權行為的，則上述價格將進行相應調整）。

若因招股說明書有虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏，致使投資者在證券

交易中遭受損失，將依法賠償投資者損失。有權獲得賠償的投資者資格、投資者

損失的範圍認定、賠償主體之間的責任劃分和免責事由按照《中華人民共和國證

券法》、《最高人民法院關於審理證券市場因虛假陳述引發的民事賠償案件的若

幹規定》等相關法律法規的規定執行，如相關法律法規相應修訂，則按屆時有效

的法律法規執行。本公司將嚴格履行生效司法文書認定的賠償方式和賠償金額，

並接受社會監督，確保投資者合法權益得到有效保護。

2、控股股東、實際控制人及其一致行動人承諾

朱袁正及其一致行動人承諾：若公司招股說明書有虛假記載、誤導性陳述或

者重大遺漏，對判斷公司是否符合法律規定的發行條件構成重大、實質影響，在

公司股東大會審議通過回購首次公開發行的全部新股的方案之日起五日內，本人

將督促公司依法回購首次公開發行的全部新股並將啟動回購方案，併購回首次公

開發行股票時本公司公開發售的股票（如有），購回價格以公司首次公開發行價

格加上同期銀行存款利息和二級市場價格孰高者確定（若公司上市後發生派發股

利、送紅股、轉增股本、增發新股或配股等除息、除權行為的，則上述價格將進

行相應調整）。

若因招股說明書有虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏，致使投資者在證券

交易中遭受損失，將依法賠償投資者損失。有權獲得賠償的投資者資格、投資者

損失的範圍認定、賠償主體之間的責任劃分和免責事由按照《中華人民共和國證

券法》、《最高人民法院關於審理證券市場因虛假陳述引發的民事賠償案件的若

幹規定》等相關法律法規的規定執行，如相關法律法規相應修訂，則按屆時有效

的法律法規執行。本人將嚴格履行生效司法文書認定的賠償方式和賠償金額，並

接受社會監督，確保投資者合法權益得到有效保護。

3、發行人董事、監事、高級管理人員承諾

若本招股說明書存在虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏，致使投資者在證

券交易中遭受損失，本人將依法賠償投資者損失。有權獲得賠償的投資者資格、

投資者損失的範圍認定、賠償主體之間的責任劃分和免責事由按照《中華人民共

和國證券法》、《最高人民法院關於審理證券市場因虛假陳述引發的民事賠償案

件的若干規定》等相關法律法規的規定執行，如相關法律法規相應修訂，則按屆

時有效的法律法規執行。本人將嚴格履行生效司法文書認定的賠償方式和賠償金

額，並接受社會監督，確保投資者合法權益得到有效保護。

4、中介機構相關承諾

保薦機構

平安證券

股份有限公司承諾：因其為發行人首次公開發行製作、出

具的文件有虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏，給投資者造成損失的，將先行

賠償投資者損失。

發行人律師江蘇世紀同仁律師事務所承諾：因其為發行人首次公開發行製作、

出具的文件有虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏，給投資者造成損失的，將依

法賠償投資者損失。

申報會計師、驗資機構及驗資覆核機構天衡會計師事務所（特殊普通合夥）

承諾：因其為發行人首次公開發行製作、出具的文件有虛假記載、誤導性陳述或

者重大遺漏，給投資者造成損失的，將依法賠償投資者損失。

五

、填補被攤薄即期回報的措施及承諾

根據《國務院關於進一步促進資本市場健康發展的若干意見》（國發

[2014]17

號）、《國務院辦公廳關於

進一步加強資本市場中小投資者合法權益保護工作的意

見》（國辦發

[2013]110

號）和《關於首發及再融資、重大資產重組攤薄即期回報

有關事項的指導意見》（

證監會

公告

[2015]31

號）

等相關文件之

要求，

公司

召開

股

東大會

審議通過了公司本次融資填補即期回報措施及相關承諾等事項。

公司擬通過多種措施

提升公司

的

盈利

能力，積極應對外部環境變化，

實現

公

司業務的可持續發展，以填補股東回報，充分保護中小股東的利益，具體措施

請

仔細閱讀

招股說明書

「

第十一節 管理層分析與討論」之

「

九、本次募集資金到位

當年即期回報攤薄情況以及填補被攤

薄即期回報措施與相關承諾

」

相關內容。

為了保障公司填補被攤薄即期回報相關措施能夠得到切實履行，公司董事、

高級管理人員承諾：

（

1

）不無償或以不公平條件向其他單位或個人進行利益輸送，

也不採用其他方式損害公司利益。（

2

）對自身的職務消費行為進行約束。（

3

）不

動用公司資產從事與自身履行職責無關的投資、消費活動。（

4

）將盡職促使公司

董事會或薪酬與考核委員會制訂的薪酬制度與公司填補被攤薄即期回報保障措施

的執行情況相掛鈎。（

5

）若公司後續推出股權激勵政策，本人承諾將盡職促使公

司未來擬公布的股權激勵的行權條件與公司填補被攤

薄即期回報保障措施的執行

情況相掛鈎。（

6

）本承諾出具日後，若監管機構作出關於填補回報措施及其承諾

的相關規定有其他要求的，且上述承諾不能滿足監管機構相關規定時，本人承諾

屆時將按照最新規定出具補充承諾。（

7

）切實履行公司制定的有關填補回報措施

以及本人對此作出的任何有關填補回報措施的承諾，若本人違反該等承諾並給公

司或者投資者造成損失的，本人願意依法承擔對公司或者投資者的補償責任。

雖然公司為應對即期回報被攤薄風險而制定了填補回報措施，

然而由於公司

經營面臨的內外部風險客觀存在，上述措施不等於對公司未來利潤做出保證。

投

資者不應

據此進行投資決策，投資者據此進行投資決策造成損失的，公司不承擔

賠償責任。

六

、發行前滾存未分配利潤的安排及本次發行上市後的股利

分配政策

（一）發行前滾存未分配利潤的安排

根據公司通過的

2018

年第三次臨時股東大會決議

：

為兼顧新老股東利益，在

公司首次公開發行股票完成後，由本公司新老股東按持股比例共同享有本次首次

公開發行股票前的滾存利潤

。

（二）本次發行上市後的股利分配政策

根據公司

2018

年第三次臨時股東大會

審議通過的上市後適用的《公司章程

（

草

案

）

》，公司發行上市後的利潤分配政策如下：

「（一）公司

利潤分配原則

公司的利潤分配政策應重視對投資者的合理投資回報，利潤分配政策將保持

連續性和穩定性。公司的利潤分配不得超過累計可分配利潤的範圍，不得損害公

司持續經營能力。

（二）利潤分配形式

公司可以採取現金、股票或兩者相結合的方式分配股利，現金分紅優先於其

他分紅方式。具備現金分紅條件的，應當採用現金分紅進行利潤分配。採用股票

股利進行利潤分配的，應當具有公司成長性、每股淨資產的攤薄等真實合理因素。

（三）現金分紅條件

公司實施現金分紅一般應同時滿足以下條件：

1

、公司未分配利潤為正、該年度實現盈利且該年度實現的

可分配利潤（即公

司彌補虧損、提取公積金後的稅後利潤）為正，現金分紅後公司現金流仍然可以

滿足公司正常生產經營的需要；

2

、審計機構對公司該年度財務報告出具標準無保留意見的審計報告（中期現

金分紅無需審計）。

3

、公司未來十二個月內無重大對外投資計劃或重大現金支出（公司首次公開

發行股票或再融資的募集資金投資項目除外）。重大投資計劃或重大現金支出是

指：公司未來十二個月內擬建設項目、對外投資、收購資產或者購買設備的累計

支出達到或者超過公司當年實現的母公司可供分配利潤的

50%

且超過

5000

萬元

人民幣。

（四）現金分紅的

比例和間隔：

公司原則上每年進行一次現金分紅，公司每年以現金方式分配的利潤不少於

當年實現的可分配利潤的

20%

，公司董事會可以根據公司的盈利狀況及資金需求

提議進行中期現金分紅。

公司董事會應當綜合考慮公司所處行業特點、發展階段、自身經營模式、盈

利水平以及是否有重大資金支出安排等因素，區分下列情形，並按照本章程規定

的程序，提出差異化的現金分紅政策：

1

、公司發展階段屬成熟期且無重大資金支出安排的，進行利潤分配時，現金

分紅在本次利潤分配中所佔比例最低應達到

80%

；

2

、公司發展階段屬成熟期且有重大資金支出安排的，

進行利潤分配時，現金

分紅在本次利潤分配中所佔比例最低應達到

40%

；

3

、公司發展階段屬成長期且有重大資金支出安排的，進行利潤分配時，現金

分紅在本次利潤分配中所佔比例最低應達到

20%

；

公司發展階段不易區分但有重大資金支出安排的，可以按照前項規定處理。

重大資金支出安排是指：公司未來十二個月內擬建設項目、對外投資、收購資產

或者購買設備的累計支出達到或者超過公司當年實現的母公司可供分配利潤的

50%

且超過

5000

萬元人民幣。

（五）發放股票股利的條件

在保證公司股本規模和股權結構合理的前提下，基於回報投資者和分享企

業

價值考慮，公司可以發放股票股利，具體方案需經公司董事會審議後提交公司股

東大會批准。

（六）利潤分配的決策機制和程序

1

、董事會審議利潤分配需履行的程序和要求：公司在進行利潤分配時，公司

董事會應當先制定預分配方案，並經獨立董事認可後方能提交董事會審議；董事

會審議現金分紅具體方案時，應當認真研究和論證公司現金分紅的時機、條件和

比例、調整的條件、決策程序等事宜，獨立董事應當發表明確意見。利潤分配預

案經董事會過半數以上表決通過，方可提交股東大會審議。

2

、股東大會審議利潤分配方案需履行的程序和要求：股東大會對現

金分紅具

體方案進行審議時，

應當通過多種渠道主動與股東特別是中小股東進行溝通和交

流

（包括但不限於提供網絡投票表決、邀請中小股東參會等方式），充分聽取中

小股東的意見和訴求，並及時答覆中小股東關心的問題。

（七）利潤分配政策調整的決策機制與程序

1

、公司根據生產經營情況、投資規劃和長期發展的需要，或者外部經營環境

發生變化，確需調整利潤分配政策的，調整後的利潤分配政策不得違反中國證監

會和證券交易所的有關規定。

2

、有關調整利潤分配政策的議案由董事會制定，並分別經監事會和二分之一

以上獨立董事認可後方能提交董事會審

議，獨立董事應當對利潤分配政策調整發

表獨立意見。

3

、調整利潤分配政策的議案應分別提交董事會、股東大會審議，在董事會審

議通過後提交股東大會批准，公司應安排通過證券交易所交易系統、網際網路投票

系統等網絡投票方式為社會公眾股東參加股東大會提供便利。股東大會審議調整

利潤分配政策的議案需經出席股東大會的股東所持表決權的

2/3

以上通過。

公司獨立董事可在股東大會召開前向公司社會公眾股股東徵集其在股東大會

上的投票權，獨立董事行使上述職權應當取得全體董事的二分之一以上同意。」

此外，公司

2018

年第三次臨時股東大會

審議通

過了公司董事會制定的《

關於

公司上市後三年股東分紅回報規劃的

議案》。

關於股利分配的詳細政策，請仔細閱讀

招股說明書

「

第十四節

股利分配政策

」

關於股利分配的相關內容。

七

、

公司特別提醒投資者注意

招股說明書

「第四節

風險因素」

中的下列風險

1

、市場波動風險

半導體分立器件作為基礎性電子元器件

,

為國民經濟的多個領域所必不可缺

,

因此半導體分立器件行業的下遊分布極為廣泛。廣泛的下遊應用領域提升了公司

應對單一市場波動風險的能力，但半導體分立器件行業與宏觀經濟的整體發展的

景氣程度密切相關，國內經濟整體增速放緩及中美貿易摩擦

等因素通過對下遊行

業的生產經營產生不利影響進而傳導至半導體分立器件行業。如果宏觀經濟波動

較大或長期處於低谷，半導體分立器件行業的市場需求也將隨之受到影響；下遊

行業的波動和低迷會導致對半導體分立器件的需求下降、價格敏感性提高。雖然

近幾年全球半導體分立器件市場保持穩步增長，且亞洲地區特別是中國市場規模

增幅巨大，但是如果由於中美貿易摩擦等因素引致下遊市場整體持續波動、全球

經濟或國內經濟發生重大不利變化，將對半導體分立器件行業及公司等行業內企

業的經營業績造成不利影響

。

2

、供應商依賴

的風險

公司是半導體專業化垂直分

工企業，晶片代工及封裝測試環節主要通過向供

應商採購。公司擁有涵蓋了華虹宏力、華潤上華、中芯集成等國內少數幾家具備

MOSFET

、

IGBT

等

8

英寸半導體晶片代工能力的本土晶片代工供應商，並不斷

拓展韓國等地區的晶片代工供應渠道。而在封裝測試環節，公司主要與

長電科技

（

600584

）、安靠技術（

Amkor

）、

通富微電

（

002156

）等全球領先的封裝測試企

業合作，一定程度上也保證了公司產品的領先性。由於半導體行業垂直分工的特

殊性，專注於晶片設計環節的企業在選擇供應商後一般不會輕易更換；同樣，芯

片代工及封裝測試企業如若更

換客戶則需重新調整產線、設備技術參數、產能排

期等，這將形成較大的更換成本。因此，雙方在一定程度上相互依賴。如果公司

主要供應商產能嚴重緊張或者雙方關係惡化，則可能導致公司產品無法及時、足

量供應，進而對公司的經營業績產生不利影響

。

3

、供應鏈管理不善風險

半導體分立器件行業高度分工協作，產業鏈包括晶片設計、晶片製造、封裝

測試、對外銷售等環節，各個環節相互依存、高度相關。行業內企業根據分工不

同採用垂直一體化或垂直分工模式，其中部分垂直分工模式的企業主要負責晶片

設計研發和銷售環節，而將晶片製造、封裝測試環節主要委託

給專業代工廠商完

成，因此，其產品質量、交貨時間、生產能力等都與產業鏈其他環節緊密相關。

公司為專業化垂直分工企業，與行業內優秀的晶片製造和封裝測試廠商建立了長

期、穩定的合作關係。公司建成封裝測試產線，實現少部分功率器件的自主生產，

公司不斷加強生產環節的質量、成本管控，保障產品的品質。但是，如果公司對

供應鏈及生產環節管理不善，導致產品質量、交付及時性等出現問題，則會影響

公司產品銷售和品牌聲譽，對公司的經營造成不利影響

。

4

、毛利率下降的風險

2017

年至

2019

年，公司綜合毛利率分別為

24.69%

、

31.63%

和

20.73%

。

2017

年至

2018

年，受益於下遊市場需求的持續增長，積極拓展毛利率較高的下遊應用

行業，大力開發新產品和新技術，積極開拓龍頭客戶從而提升公司品牌影響力和

市場美譽度，公司綜合毛利率保持穩定上升的趨勢。

2019

年，受中美貿易摩擦及

國內市場競爭有所加劇等因素影響，公司晶片和功率器件毛利率有所下降。半導

體分立器件企業的經營業績受產品技術水平、市場競爭情況、下遊市場需求等因

素影響較大，如果未來公司產品技術優勢減弱、市場競爭加劇、市場供求形勢出

現重大不利變化、採購成本持續提高或者出現產品銷售價格持續下降

等情況，將

導致公司綜合毛利率下降

。

八、

財務報告審計截止日至

招股說明書

籤署日主要財務信息

及經營情況

1

、

2020

年

1

-

6

月經營情況

公司財務報告審計截止日為

2019

年

12

月

31

日，天衡會計師事務所（特殊普

通合夥）對公司截止

2020

年

6

月

30

日的合併及母公司資產負債表，

2020

年

1

-

6

月的合併及母公司利潤表、合併及母公司現金流量表以及財務報表附註進行了審

閱，並出具了天衡專字（

2020

）

01542

號《審閱報告》

。

發行人

2020

年

1

-

6

月財務報表主要財務數據如下：

單位：萬元

項目

2020

年

6

月

30

日

20

1

9

年

12

月

31

日

變動

比

率

總資產

79,265.73

80,785.53

-

1.88%

股東權益

62,695.81

57,161.92

9.68%

其中：歸屬於母公司股東權益

62,695.81

57,161.92

9.68%

項目

2020

年

1

-

6

月

20

19

年

1

-

6

月

變動

比

率

營業收入

38,428.31

32,834.82

17.04%

營業利潤

6,227.02

4,227.91

47.28%

利潤總額

6,228.03

4,231.56

47.18%

淨利潤

5,533.89

3,743.16

47.84%

歸屬於母公司股東的淨利潤

5,533.89

3,743.16

47.84%

扣除非經常性損益後歸屬於母

公司股東的淨利潤

5,312.28

3,510.35

51.33%

經營活動產生的現金流量淨額

-

2,042.33

2,730.55

-

174.80%

2

、

2020

年

1

-

9

月業績預計

公司結合

2020

年

1

-

6

月經營及財務數據，預計

2020

年

1

-

9

月營業收入

區間

為

64,000.00

萬元至

65,500.00

萬元，同比

上漲

18.05%

至

20.82

%

；

預計

2

020

年

1

-

9

月

歸屬於母公司

所有者

的淨利潤

區間

為

9,200.00

萬元至

9,700.00

萬元，同比

上漲

44.82%

至

52.69%

；

預計

2

020

年

1

-

9

月扣除非經常性損益後

歸屬於母公司

所有者

的

淨利潤區間為

8,800.00

萬元至

9,300.00

萬元，較上年同期上漲

49.29%

至

57.77

%

。

上述業績預計的相關財務數據是發行人初步測算結果，預計數不代表發行人

最終可實現的營業收入

及淨利潤，也

不代表

發行人

所做

的盈利預測

。

財務報告審計截止日至本

招

股說明書

籤署日，公司的經營模式、主要產品的

生產、銷售，主要客戶及供應商的構成，稅收政策以及其他可能影響投資者判斷

的重大事項均未發生重大不利變化。

第二節 本次發行概況

股票種類

人民幣普通股（

A

股）

每股面值

1.00

元

發行股數、佔發行後總

股本的比例

本次

公開發行股票

2,530

萬股，不低於發行後總股本的

25%

，本次發

行全部為新股發行，原股東不公開發售股份

。

每股

發行價格

19.91元

市盈率

22.99倍

（發行價格除以每股收益，每股收益按

2019

年經審計的扣除

非經常性損益前後孰低的歸屬於母公

司

股

東的淨利潤除以本次發行

後總股本計算）

發行前每股淨資產

7

.

5

3

元

/

股

（以

2019

年

12

月

31

日經審計的歸屬於母公司股東的淨資

產除以本次發行前總股本計算）

發行後每股淨資產

10.09元

/

股

（以

2019

年

12

月

31

日經審計的歸屬於母公司股東的淨資

產加上本次發行募集資金淨額之和除以本次發行後總股本計算）

市淨率

1.97倍

（按照每股發行價格除以發行後每股淨資產計算）

發行方式

採用網下向投資者詢價配售與網上按市值申購向公眾投資者定價發

行相結合的方式

發行對

象

符合相關資格規定的詢價對象和在上海證券交易所開立股票交易帳

戶的境內自然人、法人等投資者（中華人民共和國法律、法規和規範

性文件禁止購買者除外）

本次發行股份的流通

限制和鎖定安排

1、控股股東、實際控制人朱袁正及其一致行動人（葉鵬、戴鎖慶、

周洞濂、王成宏、顧朋朋、吳國強、李宗清、王永剛、陸虹、肖東戈

共計10人）承諾：（1）自公司股票上市之日起36個月內，不轉讓或

者委託他人管理本人直接或間接持有的公司首次公開發行股票前已

發行的股份，也不由公司回購本人直接或間接持有的首次公開發行股

票前已發行的股份。（2）公司上市後6個月內如公司股票連續20個交

易日的收盤價均低於發行價，或者上市後6個月期末收盤價低於發行

價，其持有公司股票的鎖定期限自動延長6個月（若發行人上市後發

生派發股利、送紅股、轉增股本、增發新股或配股等除息、除權行為

的，則前述價格將進行相應調整）。（3）若本人直接或間接持有的

股份在鎖定期滿後兩年內減持，減持價格將不低於首次公開發行股票

發行價（若公司上市後發生派發股利、送紅股、轉增股本、增發新股

或配股等除息、除權行為的，則前述價格將進行相應調整）。

2、持有公司股份的達晨創投、

上海貝嶺

、國聯創投、金浦新投、金

投控股、君熠投資、朱進強、中匯金玖、祥禾湧安、易辰創投、君昕

投資、武嶽峰浦江、珠海橫琴、郭豔芬、航虹智科、金控源悅、金控

遠東、顧成標、上海諳稷共計19名股東承諾：自公司本次發行的股票

在證券交易所上市之日起12個月內，不轉讓或者委託他人管理現已持

有的公司股份，亦不由公司回購現已持有的股份。

3、持有公司股份的楊卓、朱兵、朱喜龍、宗臻、張照才、王根毅、

周永珍、朱久桃、徐振彥、杲永亮、李春香、楊茜、季康康、劉晶晶、

呂萬雄、程月東、前海利信共計17名股東承諾：自發行人股票在證券

交易所上市之日起36個月內，不轉讓或者委託他人管理本人持有的公

司首次公開發行股票前已發行的股份，也不由公司回購本人持有的首

次公開發行股票前已發行的股份。

4、持有公司股份的董事、高級管理人員朱袁正、葉鵬、王成宏、顧

朋朋、王永剛、陸虹、肖東戈承諾：（1）自公司股票上市之日起36

個月內，本人不轉讓或者委託他人管理本次發行前本人直接或間接持

有的公司股份，亦不由公司回購該部分股份。（2）公司上市後6個月

內如公司股票連續20個交易日的收盤價均低於發行價，或者上市後6

個月期末收盤價低於發行價，本人直接或間接持有公司股份的鎖定期

限自動延長6個月（若發行人上市後發生派發股利、送紅股、轉增股

本、增發新股或配股等除息、除權行為的，則前述價格將進行相應調

整）。（3）除前述鎖定期外，在擔任公司董事、監事或高級管理人

員期間，每年轉讓的股份不超過本人直接或間接持有公司股份總數的

25%；離職後6個月內，不轉讓本人直接或間接持有的公司股份。（4）

在任期屆滿前離職的，在就任時確定的任期內和任期屆滿後6個月內，

轉讓的股份不超過本人直接或間接持有公司股份總數的25%；離職後

6個月內，不轉讓本人直接或間接持有的公司股份；不違反法律、行

政法規、部門規章、規範性文件以及證券交易所業務規則對董監高股

份轉讓的其他規定。本人作出的上述承諾在本人直接或間接持有公司

股票期間持續有效，不因本人職務變更或離職等原因而放棄履行上述

承諾。

5、持有公司股份的監事吳國強、李宗清承諾：（1）自公司股票上市

之日起36個月內，本人不轉讓或者委託他人管理本次發行前本人直接

或間接持有的公司股份，亦不由公司回購該部分股份。（2）除前述

鎖定期外，在擔任公司董事、監事或高級管理人員期間，每年轉讓的

股份不超過本人直接或間接持有公司股份總數的25%；離職後6個月

內，不轉讓本人直接或間接持有的公司股份。（3）在任期屆滿前離

職的，在就任時確定的任期內和任期屆滿後6個月內，轉讓的股份不

超過本人直接或間接持有公司股份總數的25%；離職後6個月內，不

轉讓本人直接或間接持有的公司股份；不違反法律、行政法規、部門

規章、規範性文件以及證券交易所業務規則對董監高股份轉讓的其他

規定。本人作出的上述承諾在本人直接或間接持有公司股票期間持續

有效，不因本人職務變更或離職等原因而放棄履行上述承諾。

承銷方式

餘額包銷

預計募集資金總額

本次發行預計募集資金

50,372.30

萬元

預計募集資金淨額

扣除發行費用後，本次發行預計募集資金

淨額

44,898.80

萬元

發行費用概算

本次發行費用預計共需

5

,

4

73.

5

0

萬元，其中：

承銷費用與保薦費用

：

3

,800.00

萬元

審計費用與驗資費用

：

631.13

萬元

律師費用

：

5

45.28

萬元

用於本次發行的信息披露費用

：

452.8

3

萬元

發行手續費

：

44.

26

萬元

（註：以上發行費用均為不含稅金額）

擬上市地點

上海證券交易所

第三節 發行人基本情況

一、發行人基本資料

註冊中文名稱

無錫

新潔能

股份有限公司

註冊英文名稱

WUXI NCE POWER CO.,LTD.

註冊資本

7,590.00

萬元

法定代

表人

朱袁正

成立日期

2013

年

1

月

5

日

住所及其郵政編碼

無錫市高浪東路

999

號

B1

號樓

2

層

（

214000

）

電話號碼

0510-85618058

傳真

0510-85620175

網際網路網址

http://www.ncepower.com

電子信箱

[e-mail]

二、發行人歷史沿革及設立情況

（

一

）設立

方式

新潔能

系經江蘇省無錫工商行政管理局出具的《江蘇省無錫工商行政管理局

公司準予設立登記通知書》（（

02000047

）公司設立

[2013]

第

01040001

號）批准，

由朱袁正、新潮集團、

新潔能

半導體共同發起設

立的股份有限公司。公司於

2013

年

1

月

5

日

取得江蘇省無錫工商行政管理局核發的《企業法人營業執照》（註冊號：

320200000204840

），註冊資本

1,000.00

萬元

。

（二）發起人及其投入的資產內容

發行人系由

朱袁正

、

新潮集團和

新潔能

半導體以貨幣出資方式共同發起設立

，

設立時的主要資產為各股東繳付出資的貨幣資金

。

三、發行人的股本情況

（一）

總股本、

本次發行的股份、

股份

流通限制和

鎖定

安排

本次發行前公司總股本為7,590.00萬股，本次公開發行2,530.00萬股，發行

後總股本為10,120.00萬股。按本次發行新股2,530.00萬股計算，發行前後公司的

股本結構變化如下：

股東名稱

發行前

發行後

股份數量（

萬

股）

比例

股份數量（

萬

股）

比例

一、有限售條件股份

朱袁正

2,361.60

31.11%

2,361.60

23.34%

達晨創投

660.00

8.70%

660.00

6.52%

上海貝嶺

600.00

7.91%

600.00

5.93%

國聯創投

420.00

5.53%

420

.00

4.15%

金浦新投

402.00

5.30%

402.00

3.97%

金投控股

334.20

4.40%

334.20

3.30%

君熠投資

334.20

4.40%

334.20

3.30%

朱進強

300.00

3.95%

300.00

2.96%

中匯金玖

270.00

3.56%

270.00

2.67%

祥禾湧安

240.00

3.16%

240.00

2.37%

易辰創投

228.00

3.00%

228.00

2.25%

君昕投資

199.80

2.63%

199.80

1.97%

武嶽峰浦江

165.00

2.17%

165.00

1.63%

珠海橫琴

150.00

1.98%

150.00

1.48%

葉

鵬

123.00

1.62%

123.00

1.22%

郭豔芬

90.00

1.19%

90.00

0.89%

航虹智科

90.00

1.19%

90.00

0.89%

金

控

源悅

90.00

1.19%

90.00

0.89%

金控遠東

75.00

0.99%

75.00

0.74%

前海利信

60.00

0.79%

60.00

0.59%

戴鎖慶

60.00

0.79%

60.00

0.59%

顧成標

60.00

0.79%

60.00

0.59%

王成宏

48.00

0.63%

48.00

0.47%

周洞濂

30.00

0.40%

30.00

0.30%

顧朋朋

2

4.00

0.32%

2

4.00

0.24%

肖東戈

15.00

0.20%

15.00

0.15%

楊

卓

12.00

0.16%

12.00

0.12%

朱

兵

12.00

0.16%

12.00

0.12%

朱喜龍

12.00

0.16%

12.00

0.12%

宗

臻

12.00

0.16%

12.0

0

0.12%

李宗清

12

.00

0.16%

12.00

0.12%

吳國強

12.00

0.16%

12.00

0.12%

上海諳稷

10.20

0.13%

10.20

0.10%

陸

虹

9.00

0.12%

9.00

0.09%

張照才

9.00

0.12%

9.00

0.09%

王永剛

9.00

0.12%

9.00

0.09%

王根毅

9

.00

0.12%

9.00

0.09%

周永珍

9.00

0.12%

9.00

0.09%

朱久桃

9.00

0.12%

9.00

0.09%

徐振彥

6.00

0.08%

6.00

0.06%

楊

茜

4.00

0.0

5

%

4.00

0.0

5

%

李春香

3.50

0.0

5

%

3.50

0.0

5

%

杲永亮

3.00

0.04%

3.00

0.03%

季康康

3.0

0

0.04%

3.00

0.03%

劉晶晶

3.00

0.04%

3.00

0.03%

呂萬雄

0.75

0.01%

0.75

0.01%

程月東

0.75

0.01%

0.75

0.01%

二、本次發行股份

社會公眾股東

-

-

2,530.00

25.00%

合

計

7,590.00

100.00%

10,120.00

100.00%

1、公司控股股東、實際控制人朱袁正及其一致行動人（葉鵬、戴鎖慶、周洞

濂、王成宏、顧朋朋、吳國強、李宗清、王永剛、陸虹、肖東戈共計10人）承諾：

（1）自公司股票上市之日起36個月內，不轉讓或者委託他人管理本人直接或

間接持有的公司首次公開發行股票前已發行的股份，也不由公司回購本人直接或

間接持有的首次公開發行股票前已發行的股份。

（2）公司上市後6個月內如公司股票連續20個交易日的收盤價均低於發行價，

或者上市後6個月期末收盤價低於發行價，其持有公司股票的鎖定期限自動延長6

個月（若發行人上市後發生派發股利、送紅股、轉增股本、增發新股或配股等除

息、除權行為的，則前述價格將進行相應調整）。

（3）若本人直接或間接持有的股份在鎖定期滿後兩年內減持，減持價格將不

低於首次公開發行股票發行價（若公司上市後發生派發股利、送紅股、轉增股本、

增發新股或配股等除息、除權行為的，則前述價格將進行相應調整）。

2、持有公司股份的達晨創投、

上海貝嶺

、國聯創投、金浦新投、金投控股、

君熠投資、朱進強、中匯金玖、祥禾湧安、易辰創投、君昕投資、武嶽峰浦江、

珠海橫琴、郭豔芬、航虹智科、金控源悅、金控遠東、顧成標、上海諳稷共計19

名股東承諾：自公司本次發行的股票在證券交易所上市之日起12個月內，不轉讓

或者委託他人管理現已持有的公司股份，亦不由公司回購現已持有的股份。

3、持有公司股份的楊卓、朱兵、朱喜龍、宗臻、張照才、王根毅、周永珍、

朱久桃、徐振彥、杲永亮、李春香、楊茜、季康康、劉晶晶、呂萬雄、程月東、

前海利信共計17名股東承諾：自發行人股票在證券交易所上市之日起36個月內，

不轉讓或者委託他人管理本人持有的公司首次公開發行股票前已發行的股份，也

不由公司回購本人持有的首次公開發行股票前已發行的股份。

4、持有公司股份的董事、高級管理人員朱袁正、葉鵬、王成宏、顧朋朋、王

永剛、陸虹、肖東戈承諾：

（1）自公司股票上市之日起36個月內，本人不轉讓或者委託他人管理本次發

行前本人直接或間接持有的公司股份，亦不由公司回購該部分股份。

（2）公司上市後6個月內如公司股票連續20個交易日的收盤價均低於發行價，

或者上市後6個月期末收盤價低於發行價，本人直接或間接持有公司股份的鎖定期

限自動延長6個月（若發行人上市後發生派發股利、送紅股、轉增股本、增發新股

或配股等除息、除權行為的，則前述價格將進行相應調整）。

（3）除前述鎖定期外，在擔任公司董事、監事或高級管理人員期間，每年轉

讓的股份不超過本人直接或間接持有公司股份總數的25%；離職後6個月內，不轉

讓本人直接或間接持有的公司股份。

（4）在任期屆滿前離職的，在就任時確定的任期內和任期屆滿後6個月內，

轉讓的股份不超過本人直接或間接持有公司股份總數的25%；離職後6個月內，不

轉讓本人直接或間接持有的公司股份；不違反法律、行政法規、部門規章、規範

性文件以及證券交易所業務規則對董監高股份轉讓的其他規定。

本人作出的上述承諾在本人直接或間接持有公司股票期間持續有效，不因本

人職務變更或離職等原因而放棄履行上述承諾。

5、持有公司股份的監事吳國強、李宗清承諾：

（1）自公司股票上市之日起36個月內，本人不轉讓或者委託他人管理本次發

行前本人直接或間接持有的公司股份，亦不由公司回購該部分股份。

（2）除前述鎖定期外，在擔任公司董事、監事或高級管理人員期間，每年轉

讓的股份不超過本人直接或間接持有公司股份總數的25%；離職後6個月內，不轉

讓本人直接或間接持有的公司股份。

（3）在任期屆滿前離職的，在就任時確定的任期內和任期屆滿後6個月內，

轉讓的股份不超過本人直接或間接持有公司股份總數的25%；離職後6個月內，不

轉讓本人直接或間接持有的公司股份；不違反法律、行政法規、部門規章、規範

性文件以及證券交易所業務規則對董監高股份轉讓的其他規定。

本人作出的上述承諾在本人直接或間接持有公司股票期間持續有效，不因本

人職務變更或離職等原因而放棄履行上述承諾。

（二）發起人

持股數量及比例

公司

設立時

總股本為

1

,

000

.

00

萬股，發起人為

朱袁正

、

新潮集團和

新潔能

半

導體

。公司發起設立時，各發起人的

持股數量及持股比例如下

：

序號

股東

名稱

持股數量（萬股）

股權比例

1

朱袁正

510

.

00

5

1

.

00

%

2

新潮集團

470

.

00

47

.

00

%

3

新潔能

半導體

20

.

00

2

.

00

%

合

計

1

,

000

.

0

0

100

.

0

0

%

（三）

發起人、控股股東和主要股東之間的關聯關係

截至招股說明書籤署日，公司

發起人、控股股東、持股

5%

以上的

主要股東

之間的關聯關係如下

：

主要

股東

/

發起人名稱

關聯關係

朱袁正

公司實際控制人

、控股股東朱袁正

原參股的其他企業

新潔能

半導體

除上述關聯關係外，發起人、控股股東、持股5%

以上的主要股東之間不存

在關聯關係。

四、發行人的業務情況

（一）發行人的主營業務及產品

公司的主營業務為

MOSFET

、

IGBT

等半導體

晶片和

功率器件的研發設計及

銷售，公司銷售的產品按

照是否封裝可以分為晶片和

功率器件

。

公司產

品系列

齊

全，廣泛應用於

消費電子、汽車電子、工業電子、

新能源

汽車

/

充電樁、智能裝備

製造、物聯網、光伏

新能源

等領域。

公司主要產品按形態分類具體情況如下：

①晶片

drainn+

p-p-

n-driftgateoxide1/2WPsourcegatepbodypbodyWGtOXp+p+n+n+n+n+

（晶片）

（單晶片）

註：「晶片」中包含數千顆「單晶片」產品；「單晶片」用於封裝功率器件的單晶片

公司是半導體行業內專業化垂直分工企業。

晶片是由公司通過複雜的技術研

發和產品設計流程後，將包含核心技術文檔在內的研發設計方案交由晶片

代工企

業，晶片代工企業再通過其光刻、刻蝕

、離子注入和正面金屬化等半導體工藝制

造流

程，將晶圓材料片等原材料加工成包括電路結構、器件特定功能在內的晶片

產品。下遊部分客戶採購公司晶片產品後，可以通過與其他種類的晶片和電子元

器件合封，組合後形成具備特定功能的器件，再安裝在電路板中實現相關作用。

每片

8

英寸晶片包含數百顆至數萬顆數量不等的單晶片，單

晶片可以通過進一步

封裝測試形成半導體封裝成品，即功率器件。

②

功率器件

b228fab0860e3f0829322351ac593a7

70fd1436e7bd9b273fa0ba80152a3f5

註：上述功率器件的封裝外形依次分別為：

TOLL

封裝、

TO

-

263

-

7L

封裝、

DF

N5

×

6

封裝和

DFN5

×

6

雙基島封裝

功

率

器件

主要由

公司委託外部封裝測試企業對晶片進行封裝測試而成

，

少部

分由公司對晶片自主封裝後銷售

。

功率器件主要是指已經封裝好的

MOSFET

、

IGBT

等封裝成品，主要結構包括晶片、塑封外殼、金屬底座以及引線等結構，

其中晶片是核心，發揮主要功能作用。晶片通過焊料固定在框架上、連同塑封外

殼等給晶片提供支撐、保護、散熱以及電氣連接和隔離等作用，以便使器件與其

他無源器件和有源器件等構成完整的電路系統。

公司

功率器件

系列齊全，下遊應

用領域廣泛，收入佔比逐年增長。

公司產品器件結構不同、

功能有所差異，主要

分類包括

溝槽型功率

MO

SFET

、超結

功率

MOSFET

、屏蔽柵功率

MOSFET

、絕緣柵雙極型電晶體（

IGBT

）

以及功率模塊等多品類產品系列。

綜上，公司的主要產品類型如下所示：

公司各類產品使用先進的設計技術和製造工藝來實現半導體功率器件低導通

損耗、低開關損耗和高可靠性，從而提升能源轉換效率，能滿足不同的客戶應用

需求。

公司

各類產品的示意圖及適用領域如下：

類別

具體內容

產品晶片元胞及部分產品

示意圖

適用領域

溝槽型功率

MOSFET

12V-250V

溝槽型功率

MOSFET

SDG

MID、移動電源、手機數據線、數

碼類鋰電池保護板、車載導航、汽

車應急啟動電源、多口USB充電

器、LED戶外廣告屏、電動車控制、

逆變器、適配器、充電器、LED電

源、HID燈、手機快充、金牌PC

電源、TV電源板、電腦顯卡、UPS

電源等。

超結功率

MOSFET

500V-900V

超結功率

MOSFET

SDG

手機充電器、快充、LED驅動電源、

適配器、大功率電動車充電器、大

功率LED調光電源、超薄類PC適

配器、TV電源板、電動汽車充電樁、

通信電源等。

屏蔽柵功率

MOSFET

30V-300V

屏蔽柵功率

MOSFET

SDSG

電子霧化器、充電樁、電動工具、

智能

機器人

、無人機、移動電源、

數碼類鋰電池保護板、多口USB充

電器、電動車控制、逆變器、適配

器、手機快充、金牌PC電源、TV

電源板、UPS電源等。

IGBT

高密度場截

止型絕緣柵

雙極型晶體

管(IGBT)

EGCGG

UPS電源、電焊機、電動汽車充電

樁、變頻器、逆變器、功率電源、

太陽能

、交流電機驅動、電磁加熱

等。

載流子存儲

型絕緣柵雙

極型電晶體

(IGBT)

其他

MOSFET或

IGBT功率模

塊

（實物圖）

大功率電動三輪車、電動四輪車、

低速電動汽車、高速電動汽車的電

機控制，大功率馬達驅動等。

公司的產品用途廣泛，主要運用於

消費電子、汽車電子、工業電子以及新能

源汽車

/

充電樁、智能裝備製造、物聯網、光伏

新能源

等新興領域

。

公司產品下遊運用行業情況如下圖所示：

公司不斷對產品系列更新升級，積極延伸所處產業鏈，逐步進入半導體功率

器件的封裝測試領域。

目前，公司已初步建成先進封裝測試生產線，實現少部分

功率器件的自主生產。

從產業鏈的角度來看，公司掌握了晶片設計、封裝測試等

重要環節，能依據行業技術發展和市場需求變動開

展研發設計、並依據終端客戶

的需求直接生產

所需產品，

有利保證

產品質量

、提升產品性能、促進新產品開發、

保障產品供應及獲取更多的產業鏈價值

。

（二）產品銷售模式

公司採取直銷為主、經銷為輔的銷售模式。在直銷模式下，客戶給公司下達

訂單，公司將產品交付給客戶；公司經銷模式為買斷式經銷，在該模式下公司將

產品送至經銷商。公司建立了完善的客戶管理制度，對於長期合作客戶，公司與

其籤訂框架合作協議，並安排專員提供全方位服務；對於其他客戶，公司根據客

戶的訂單給其供貨。公司倉管部負責產品發運，銷售處負責產品售後服務。半導

體行業上下

遊之間粘性較強，公司產品需要通過較為嚴格

的質量認證測試，一旦

受到客戶的認可和規模

化使用後，雙方將形成長期穩定的合作關係

。

（三）

主要採購內容

供應情況

1

、採購內容

報告期內，公司銷售的產品按照是否封裝可以分為晶片和功率器件。公司是

專業化垂直分工廠商，晶片主要由公司設計方案後交由晶片代工企業進行生產，

功率器件主要由公司委託外部封裝測試企業對晶片進行封裝測試而成。因此，公

司主要對外採購晶片代工及封測服務

。

2

、能源

公司能源消耗主要為辦公用水、電等，該等能源供應穩定且整體金額較小

。

（四）

行業競爭情況以及發行人

在行業中的競爭地位

中國產業信息網發布的

《

2014

-

2019

年中國半導體器件市場分析預測及投資

戰略諮詢報告》顯示，我國半導體分立器件行業集中度低，規模以上的半導體分

立器件企業約有

2

,

000

家。行業內少數優質企業通過長期的技術積累和持續的自

主創新，能夠設計或生產附加值較高的產品，並滿足客戶嚴苛的產品認證標準，

市場知名度較高，在國內競爭主體眾多的環境中處於領先地位。

公司為國內

領先的

半導體功率器件設計企業之一，

是國內8英寸先進工藝平

臺晶片投片量最大的半導體功率器件設計公司之一，也是國內半導體功率器件行

業內最早專門從事MOSFET、IGBT研發設計的企業之一。在中國半導體行業協

會發布的

2

016

年、

201

7

年

、

2

018

年

和

2019

年

中國半導體功率器件企業排行榜中，

公司

連續

四

年

名列「中國半導體功率器件十強企業」

。

公司是江蘇省科技廳、財政

廳、國稅局、地稅局聯合認定的高新技術企業，

且

為中國半導體行業協會會員、

中國電源學會理事單位

。

公司亦為江蘇半導體行業協會

2

017

年度先進會員單位，

已建立了

江蘇省功率器件工程技術研究中心

、江蘇省企業研究生工作站

、東南大

學

-

無錫

新潔能

功率器件技術聯合研發中心

。

自成立以來，公司始終專注於

半導體

功率器件行業

，具備獨立的

MOSFET

和

I

GBT

晶片設計能力和自主的工藝流程設計平臺。公司基於全球半導體功率器件

先進理論技術開發領先產品，是國內率先掌握超結理論技術，並量產屏蔽柵功率

MOSFET

及超結功率

MOSFET

的企業之一，

是國內最早同時擁有溝槽型功率

MOSFET

、超結功率

MOSFET

、屏蔽柵功率

MOSFET

及

IGBT

四大產品平臺的本

土企業之一

。公司新產品開發能力強，產品導入市場速度快，已經掌握

屏蔽柵功

率

MOSFET

、

超結功率

MOSFET

、

IGBT

等特色工藝技術，並形成了具有自主知

識產權的核心技術體系。公

司產品數量眾多，應用廣泛，特別能滿足如消

費電子、

汽車電子、工業電子以及新興領域的

終端客戶對產品的技術參數和性能多樣性的

需求，具有一定的市場佔有率和較強的品牌影響力。

公司未來將以當前在市場中的競爭能力以及核心競爭優勢為基礎，鞏固現有

的市場地位，在國家產業政策大力支持下，繼續開拓市場，加大研發力度，實現

持續快速發展。

根據全球知名市場研究機構

I

H

S

統計數據顯示，

2016

年、

2017

年國內

MOSFET

市場份額分別為

22.07

億美元、

26.39

億美元。公司

2016

年、

2017

年分

別佔國內

MOSFET

市場份額比例分

別為（年度平均匯率分別為

6.6423

、

6

.7518

）

2.88%

、

2.83%

，且公

司為除英飛凌（

Infineon

）、安森美（

ON Semiconductor

）、

瑞

薩電子（

Renesas Electronics

）

等

9

家外資品牌外的國內排名前茅的

MOSFET

研發

設計及銷售本土企業。根據

I

H

S

、電子工程世界網

Yole

相關數據，

2018

年全球

MOSFET

市場份額預計將增長至

76

億美元，比照

Yole

關於國內功率器件佔全球

份額約

39%

測算，國內

2018

年

MOSFET

市場份額預計將達到

29.64

億美元，公

司佔國內

MOSFE

T

市場份額比例達

3.65%

。

在中國半導

體行業協會

發布的中國半導體功率器件企業排行榜中，公司均名

列其中，具體排名如下：

序號

榮譽名稱

名次

頒發單位

1

201

9

年中國半導體行業功率器件十強企業

7

中國半導體行業協會

（

CSIA

）

2

2018

年中國半導體行業功率器件十強企業

6

3

2017

年中國半導體行業功率器件十強企業

7

4

2016

年中國半導體行業功率器件十強企業

9

二極體、三極體、晶閘管等半導體功率器件主要基於投資規模為十億元以內

的

4

、

6

英寸晶圓片工藝平臺進行生產，國內以上述

產品為主的部分上市公司具備

資本實力可以自

建產線進行生產，因此主要採取

IDM

模式；

而

MSOFET

、

IGBT

等因其產品特性和較高工藝要求則主要基於投資規模約

30

億元的

8

英寸晶圓片工

藝平臺進行生產，行業內企業一般主要從事產品的研發設計，而將晶片製造委託

給純代工企業進行生產。在中國半導體行業功率器件十強企業中，公司為唯一一

家主要基於先進的

8

英寸晶圓片工藝平臺、且專門從事

MOSFET

和

IGBT

等半導

體功率器件研發設計、並主要採用

Fabless

模式的非上市企業。

201

8

年中國半導體行業功率器件十強企業主要情況如下表所

示：

排名

企業名稱

經營規模

業務模式

產品

結構

1

揚傑科技

（

300373

）

上市公司。

2017

年度營業收入為

14.70

億元；

2018

年度營業收入為

18.52

億元；

2019

年

度

營業收入為

20.07

億元；

IDM

模式

專業從事二極體系列產

品，包括快恢復二極體、

齊納二極體、整流橋等，

目前正逐步開發自己的

MOSFET

產品。

2

華微電子

上市公司。

IDM

模式

其產

品主要為功率半導

（

600360

）

2017

年度營業收入為

16.35

億元；

2018

年度營業收入為

17.09

億元；

2019

年度營業收入為

16.56

億元；

體，主要包括二極體、三

極

管、雙極型功率晶體

管、

MOSFET

和

IG

BT

。

3

無錫華潤華晶

微電子有限公

司

央企下屬企業（非上市

公司）

IDM

模式

主要產品為雙極型功率

電晶體、

MOS

型功率晶

體管、

IGBT

和特種二極

管等

4

蘇州固鎝

（

603501

）

上市公司。

2017

年度營業收入為

18.5

億元；

2018

年度營業收入為

18.9

億元；

2019

年度營業收入

19.81

億元；

IDM

模式

半導體整流器件晶片、功

率二極體、整流橋等產品

5

樂山無線電股

份有限公司

民營企業（非上市公司）

IDM

模

式

主要產品包含二極體、三

極管、集成電路

、橋式整

流器、

MOSFET

等

6

新潔能

2017

年度營業收入為

5.04

億元；

2018

年度營業收入為

7.16

億元；

201

9

年度

營業收入為

7.73

億元（非上市公司）

主要為

Fabless

模式

主要產品包括溝槽型功

率

MOSFET

、超結功率

MOSFET

、屏蔽柵功率

MOSFET

和

IGBT

等。

7

瑞能半導體有

限公司

國際合資企業，由恩智

浦半導體（

NXP

）與北

京建廣資產管理有限公

司聯合成立（非上市公

司）

IDM

模式

主要產品包括可控矽整

流器和三端雙向可控矽、

矽功率二極體

、高壓晶體

管和碳化矽二極體等

8

常州

銀河

世紀

微電子股份有

限公司

2017

年度營業收入為

6.12

億元（非上市公司）

IDM

模式

主要產品包括二極體、三

極管和橋式整流管等半

導體分立器件產品

9

捷捷微

電

（

300623

）

上市公司。

2017

年度營業收入為

4.31

億元；

2018

年度營業收入為

5.37

億元；

2019

年度營業收入為

6.74

億元；

IDM

模式

公司主營產品包括晶閘

管器件和晶片、防護類器

件和晶片、二極體器件和

晶片、厚膜組件及功率模

塊、電晶體器件和晶片

等。

10

北京燕東微電

子有限公司

國有控股

企業（非上市

公司）

IDM

模式

主要產品

包括模擬

集成

電路、二極體產品、

VDMOS

系列、

CMOS

、

場效應件等產品

五、發行人業務及生產經營有關的資產權屬情況

（一）主要固定資產

情況

1

、與業務相關的主要固定資產

（

1

）房屋建築物

截至本招股書籤署日，公司及子公司擁有房屋建築物

1

處，具體情況如下表：

序號

房屋所有權證號

地址

建築面積

（

m

2

）

所有權人

用途

取得

方式

1

蘇（

2

019

）無錫市

不動產權第

0

071063

新吳區研發一路

以

東

、研發

二

路以

南

8

,888.8

電基集成

工業

自建

（

2

）租賃的

房屋建築物

截至本招股書籤署日，公司租賃

的房屋建築物共

3

處，具體情況

如下表：

序號

出租方

租賃位置

租賃面積

（

㎡

）

租賃價格

租賃期限

1

深圳市伯廣

投資諮詢有

限公司

深圳市寶安區西

鄉街道西鄉大道

與前進二路交匯

處美蘭商務中心

802

、

8

07

房

240

、

1

58

月租金總額為人民

幣

25,888

元

、

1

6

,

906

元

2017.12.17

-

2020.12.17

和

2

018

.

07.09

-

2020.12.17

2

無錫龍世太

湖科技發展

有限公司

無錫市高浪東路

999

號

B1

號樓

2

層

74

每平方米

1

元

/

日

2019.1

1.1

-

2020.10.31

3

浙

江

升和資

產管理有限

公司

寧波市金融矽谷

產業園

8

號樓

1007

室

153.4

每平方米

1.9

元

/

日

2019.09.24

-

2022.10.03

公司所有租賃房產的產權人與公司實際控制人、一致行動人、董事、監事、

高級管理人員及其家庭關係密切成員之間不存在關聯關係。

（

3

）

主要設備

截至2019年12月31日，公司

擁有的

主要設備情況如下：

序號

設備名稱

單位

數量

成新率

注

1

半導體動靜態一體測試設備

臺

1

80.00%

2

測試分選機

臺

2

89.17%

3

K&S

球焊鍵合機

臺

10

94.1

7%

4

SOT23

塑封設備

套

1

94.17%

5

TO252 4*28

全自動切筋成形系統

套

1

92.50%

6

BESTEM

-

D310

高晶度固晶機

臺

3

94.17%

7

全自動裝片機

AD832i

臺

2

94.17%

8

鋁線鍵合機

臺

10

92.50%

9

F206 SOT23 Handler

測試分選機

臺

2

94.17%

1

0

SOT23 24*64

切筋成形系統

臺

1

94.17%

1

1

切割機

DISCO DFD6341

臺

2

92.50%

1

2

全自動裝片機

S

D832D

臺

3

92.50%

1

3

SOT23

模具

套

2

94.17%

1

4

F246 TO252 Handler

測試分選機

臺

3

92.50%

1

5

全自動鍵合機

臺

5

99.17%

註：成新率

=

設備剩餘可使用年限

/

（設備已使用年限

+

設備剩餘可使用年限）

（二

）主要無形資產

1

、土地使用權

截至2019年12月31日，公司擁有

1

項土地使用權，具體情況如下：

序

號

土地使用證號

地址

面積（㎡）

終止日期

頒證日期

權屬

1

蘇

（

2017

）

無

錫市

不

動產權

第

0167038

號

研發二路

以南、

研發一

路以東

15

,

271

.

70

2067

年

9

月

3

日

2017

年

9

月

6

日

電基集成

2、與業務相關的智慧財產權

（

1

）專利權

截至

2

020

年

1

月

1

9

日

，公司擁有

97

項專利，其中發明專利

3

5

項、實用新

型

59

項

，外觀設計

3

項，

具體情況如下：

序號

名稱

專利號

專利申請日

授權公告日

申請類型

專利權人

取得方式

1

一種深溝槽功率

MOS

器件及其制

造方法

ZL 2010 1

0004030.1

2010.01.08

2011.05.11

發明專利

新潔能

轉讓取得

2

溝槽型大功率

MOS

器件及其制

造方法

Z

L 2010 1

0003953.5

2010.01.08

2011.05.11

發明專利

新潔能

轉讓取得

3

一種具有改進型

終端保護結構的

溝槽型功率

MOS

器件

ZL 2009 1

0215280.7

2009.12.29

2011.06.22

發明專利

新潔能

轉讓取得

4

一種具有改進型

終端的半導體器

件及其製造方法

ZL 2010 1

0169959.X

2010.05.04

2011.06.22

發明專利

新潔能

轉讓取得

5

一種溝槽型大功

率

MOS

器件

及其

製造方法

ZL 2010 1

000

5206.5

2010.01.15

2011.07.20

發明專利

新潔能

轉讓取得

6

一種超勢壘半導

體整流器件及其

製造方法

ZL 2010 1

0135350.0

2010.03.17

2011.10.26

發明專利

新潔能

轉讓取得

7

一種溝槽功率

MOS

器件及其制

造方法

ZL 2010 1

0160987.5

2010.04.23

2012.01.11

發明專利

新潔能

轉讓取得

8

一種溝槽型功率

MOS

器件及其制

造方法

ZL 2010 1

013693

4.X

2010.03.30

2012.

02.29

發明專利

新潔能

轉讓取得

9

溝槽型肖特基勢

壘整流器及其制

造方法

ZL 2010 1

0124527.7

2010.03.04

2012.05.30

發明專利

新潔能

轉讓取得

10

具有改進型終端

的

IGBT

及其製造

方法

ZL 2010 1

0509621.4

2010.10.15

2012.07.25

發明專利

新潔能

轉讓取得

11

低柵極電荷低導

通電阻深溝槽功

率

MOSFET

器件

及其製造方法

ZL 2011 1

0241525.0

2011.

08.22

2012.11.07

發明專

利

新潔能

轉讓取得

12

一種改進型終端

結構的溝槽功率

MOS

器件

ZL 2010 1

0158456.2

2010.03.12

2012.11.21

發明專利

新潔能

轉讓取得

13

一種具有改善型

集電極結構的

IGBT

ZL 2010 1

0191133.3

2010.06.04

2013.01.02

發明專利

新潔能

轉讓取得

14

具有超結結構的

平面型功率

MOSFET

器件及

ZL 2011 1

0210968.3

2011.07.26

2013.

01.23

發明專利

新潔能

轉讓取得

其製造方法

15

一種溝槽結構的

功率

MOSFET

器

件及其製造方法

ZL 2011 1

0241526.5

2011.08.22

2013.01.30

發明專利

新潔能

轉讓取得

16

一種具有超結結

構的半導體器件

及其製造方法

ZL 2011 1

0132941.7

2011.05.20

2013.04.24

發明專利

新潔能

原始取得

17

超高元胞密度深

溝槽功率

MOS

器

件及其製造方法

ZL 2011 1

0405658.7

2011.12.08

2013.06.05

發明

專利

新潔能

原始取得

18

具有超結

結構的

半

導體器件及其

製造方法

ZL 2011 1

0367643.6

2011.11.18

2014.03.19

發明專利

新潔能

原始取得

19

一種具有低導通

飽和壓降的

IGBT

及其製造方法

ZL 2012 1

0058109.1

2012.03.08

2014.08.13

發明專利

新潔能

原始取得

20

具有終端結構的

超結半導體器件

及其製造方法

ZL 2012 1

0088330.1

2012.03.29

2015.03.04

發明專利

新潔能

原始取得

21

一種新型結構的

VDMOS

器件及其

制

造方法

ZL 2013 1

0142008.7

2013.04.22

2015.06.17

發明專利

新潔能

原始取得

22

一種超結

MOSFET

器件及

其製造方法

ZL 2013 1

0408434.0

2013.09.06

2016.06.08

發明專利

新潔能

原始取得

23

一種具有改進型

封裝結構的半導

體器件及其製造

方法

ZL 2014 1

0075114.2

2014.03.03

2016.06.15

發明專利

電基集成

轉讓取得

24

一種單周期電流

控

制功率模塊裝

置

ZL 2014 1

02

74393.5

2014.06.18

2016.08.24

發明專利

新潔能

原始取得

25

溝槽型

IGBT

器件

及其製造方法

ZL 2014 1

0247145.1

2014.06.05

2016.10.05

發明專利

新潔能

原始取得

26

一種具有精確檢

測功能的

IGBT

及

其製造方法

ZL 2014 1

0201967.6

2014.05.13

2017.01.11

發明專利

新潔能

原始取得

27

功率半導體器件

及其製造辦法

ZL 2014 1

024789

2.5

2014.06.05

2017.

01.11

發明專利

新潔能

原始取得

28

具有低特徵導通

電阻的功率

ZL 2014 1

0500191.8

2014.09.25

2017.02.01

發明專利

新潔能

原始取得

MOSFET

器件及

其製造方法

29

利用電荷耦合實

現耐壓的功率

MOS

器件及其制

備方法

ZL 2015 1

0149864.4

2015.03.31

2017.09.05

發明專利

新潔能

原始取得

30

溝槽功率

MOS

器

件及其製造方法

ZL2015 1

0045005.0

2015.

01.28

2017.10.20

發明專

利

新潔能

原始取得

31

半橋驅動電路

ZL 2015 1

0726410.9

2015.10.30

2018.07.27

發明專利

新潔能

原始取得

32

改善反向恢復特

性及雪崩能力的

超結

MOS

器件及

其製造方法

ZL 2016 1

0021133.6

2016.01.13

2019.02.15

發明專利

新潔能

原始取得

33

具有載流子存儲

結構的

IGBT

器件

及其製造方法

ZL 2016 1

0170267.4

2016.03.23

2019.02.15

發

明專利

新潔能

原始取得

34

一種大

電流功

率

半導體器件的封

裝結構及製造方

法

ZL2016 1

0852313.9

2

016.09.26

2019.10.11

發明專利

新潔能

原始取得

35

一種優化開關特

性的超結半導體

器件及製造方法

ZL

2016 1

0729581.1

2

016.08.25

2

019.12

.0

6

發明專利

新潔能

原始取得

36

一種深溝槽的功

率半導體器件

ZL2018 2

0164326.1

2018.01.30

2018.09.11

實用新型

新潔能

原始取得

37

一種溝

槽型半導

體整流器

ZL 2010 2

0

131168.3

2010.03.04

2010.11.10

實用新型

新潔能

轉讓取得

38

具有超結結構的

半導體器件

ZL 2010 2

0188114.0

2010.05.04

2010.12.15

實用新型

新潔能

轉讓取得

39

一種改進型終端

結構的功率

MOS

器件

ZL 2012 2

0092694.2

2012.03.13

2012.10.03

實用新型

新潔能

轉讓取得

40

功率

MOSFET

器

件

ZL 2011 2

0476787.0

2011.

11.25

2012.10.03

實用新

型

新潔能

轉讓取得

41

能實現電流雙向

流通的功率

MOSFET

器件

ZL 2015 2

0016806.X

2015.01.09

2015.06.03

實用新型

新潔能

原始取得

42

提高截止效果的

溝槽型功率

MOS

器件

ZL 2012 2

0000743.5

2012.01.04

2012.11.14

實用新型

新潔能

轉讓取得

43

一種超結半導體

器件

ZL 2015 2

0408572.3

2015.06.12

2015.10.14

實用新型

新潔能

原

始取得

44

具有防靜電保護

結構的低壓

MOSFET

器件

ZL 2016 2

0009622.5

2016.01.06

2016.06.15

實用新型

新潔能

原始取得

45

一種引線框架

ZL 2014 2

0072897.4

2014.02.19

2014.07.23

實用新型

新潔能

原始取得

46

集成磁路多電平

開關電源裝置

ZL 2014 2

0129205.5

2014.03.20

2014.07.23

實用新型

新潔能

原始取得

47

一種半導體器件

封裝引線框架

ZL 2014 2

01

12295.7

2014.03.13

2

014.08.27

實用新型

新潔能

原始取得

48

具有電流採樣功

能的溝槽型功率

MOSFET

器件

ZL 2014 2

0274024.1

2014.05.26

2014.09.24

實用新型

新潔能

原始取得

49

溝槽型功率

MOSFET

器件

ZL 2016 2

0629808.0

2016.06.23

2016.12.07

實用新型

新潔能

原始取得

50

一種大電流功率

半導體器件的封

裝結構

ZL 2016 2

0733119.4

2016.07.12

20

17.02.22

實用新型

新潔能

原始

取得

51

電動車過流保護

裝置

ZL 2014 2

0326953.2

2014.06.18

2014.11.05

實用新型

新潔能

原始取得

52

具有終端結構的

場截止型

IGBT

器

件

ZL 2014 2

0464575.4

2014.08.15

2014.12.17

實用新型

新潔能

原始取得

53

利用電荷耦合實

現耐壓的肖特基

二極體

ZL 2015 2

0190631.4

2015.03.31

2015.08.12

實用新型

新潔能

原始取得

54

薄型功

率模塊

ZL 2015 2

057209

6.9

2015.07.31

2015.11.18

實用新型

新潔能

原始取得

55

採用功率模塊的

電機控制器

ZL 2015 2

0559228.4

2015.07.29

2015.12.16

實用新型

新潔能

原始取得

56

功率端子以及利

用所述功率端子

的功率模塊

ZL 2015 2

0647805.5

2015.08.25

2016.01.13

實用新型

新潔能

原始取得

57

適用於電荷耦合

器件的半導體結

構

ZL 2016 2

0267014.4

201

6.03.31

2016.08.17

實

用

新型

新潔能

原始取得

58

適用於三端功率

器件的薄型封裝

模塊

ZL 2016 2

0130576.4

2016.02.19

2016.08.17

實用新型

新潔能

原始取得

59

功率模塊

ZL 2016 2

0306528.6

2016.04.13

2016.08.31

實用新型

新潔能

原始取得

61

一種優化開關特

性的超結半導體

器件

ZL 2016 2

0945153.8

2016.08.25

2017.04.19

實用新型

新潔能

原始取得

62

高集成度的低壓

溝槽柵

DMOS

器

件

ZL

2016 2

1188364.8

2016.11.04

2017.04.26

實用新型

新潔能

原始取得

63

具有低導通壓降

的絕緣柵雙極型

電晶體器件

ZL 2016 2

1309158.8

2016.12.01

2017.05.24

實用新型

新潔能

原始取得

64

功率模塊用底板

及功率模塊

ZL 2016 2

0992712.0

2016.08.30

2017.05.24

實用新型

新潔能

原始取得

65

溝槽

DMOS

器件

ZL 2016 2

1188365

.2

2016.11.04

2017.0

5.24

實用新型

新潔能

原始取得

66

具有終端保護區

的超結半導體器

件

ZL2017201

32638.X

2017.02.14

2017.09.05

實用新型

新潔能

原始取得

67

一種電荷耦合功

率

MOSFET

器件

ZL 2017 2

0413251.1

2017.04.19

2017.11.10

實用新型

新潔能

原始取得

68

電荷耦合功率

MOSFET

器件

ZL 2017 2

0412542.9

2017.04.19

2017.12.01

實用新型

新潔能

原始取得

69

一種降低導通電

阻的功率半導體

器件

ZL 2017 2

0802726.6

2017.07.04

2018.02.06

實用新型

新潔能

原始取得

70

一種優化終端結

構的溝槽型半導

體器件

ZL 2017 2

0877752.5

2017.07.19

2018.02.06

實用新型

新潔能

原始取得

71

適用於深溝槽的

功率半導體器件

結構

ZL 2017 2

0905927.9

2017.07.25

2018.02.06

實用新型

新潔能

原始取得

72

電晶體器件的終

端

結構

ZL 2017 2

097811

4.2

2017.08.07

2018.03.13

實用新型

新潔能

原始取得

73

一種具有多個濃

度中心的超結半

導體器件

ZL 2017 2

1047506.3

2017.08.21

2018.04.03

實用新型

新潔能

原始取得

74

一種功率半導體

器件

ZL 2017 2

1223304.X

2017.09.22

2018.04.03

實用新型

新潔能

原始取得

75

一種晶圓級功率

半導體器件

ZL 2017 2

1303825.6

2017.10.10

2018.04.17

實用新型

新潔能

原始取得

76

一種優化器件特

性的半導體結構

ZL 2017 2

1423121.2

2017.10.31

2018.05.04

實用新型

新潔能

原始取得

77

一種抗耐壓衝擊

軟關斷的

IGBT

器

件結構

ZL 2017 2

1875361.6

2017.12.27

2018.08.03

實用新型

新潔能

原始取得

78

一種高雪崩耐量

的深溝槽功率器

件

ZL 2018 2

0487064.2

2018.04.08

2018.10.12

實用新型

新潔能

原始取得

79

一種帶溝槽的終

端結構

ZL 2

018 2

0487063.8

2018.04.08

2018.10.12

實用新型

新潔能

原始取得

80

一種功率半導體

器件終端結構

ZL 2018 2

0486621.9

2018.04.08

2018.10.12

實用新型

新潔能

原始取得

81

一種屏蔽柵功率

MOSFET

器件

ZL 2018 2

1288168.7

2018.08.10

2019.02.12

實用新型

新潔能

原始取得

82

一種絕緣柵雙極

型半導體器件

ZL

2018 2

132035

4.4

2

018.08.16

2

019.

03.01

實用新型

新潔能

原始取得

83

高浪湧電流能力

碳化矽二極體

ZL

2018 2

1397087.0

2

018.08.29

2

019.03.15

實用新型

新潔能

原始取得

8

4

一種高浪湧電流

能力碳化矽二極

管

ZL

2018 2

1397084.7

2

018.08.29

2

019.03.15

實用新型

新潔能

原始取得

8

5

一種

SiC

功率器件

終端

ZL

2018

21482781.2

2

018.09.11

2

019.04.05

實用新型

新潔能

原始取得

8

6

一種高耐壓的碳

化矽肖特

基二極

管

ZL

2018

21666677.9

2

018.10.15

2

019.04.12

實用新型

新潔能

原始取得

8

7

耗盡型

MOSFET

器件

ZL

2018

2

1564557.8

2018.09.21

2019.05.03

實用新型

新潔能

原始取得

8

8

優化熱分布的碳

化矽肖特基二極

管

ZL 2018 2

1843868.8

2018.11.09

2019.05.03

實用新型

新潔能

原始取得

8

9

一種碳化矽肖特

基二極體

ZL 2018 2

18

43834.9

2018.11.09

2

019.05.03

實用新型

新潔能

原始取得

59

一種半封閉式屏

蔽柵

IEGT

器件結

構

ZL 2018 2

1851832.4

2018.11.09

2019.05.03

實用新型

新潔能

原始取得

90

一種多次外延的

超結終端結構

ZL 2018 2

2023624.1

2018.12.04

2019.07.09

實用新型

新潔能

原始取得

91

一種具有低熱阻

的半導體器件封

裝結構

ZL2019 2

0247774.2

2019.02.27

2

019.09.

06

實用新型

新潔能

、

電基集成

原始取

得

92

一種

IGBT

結構

ZL2019 2

0759868.8

2019.05.24

2

019.12.06

實用新型

新潔能

原始取得

93

大電流半導體功

率器件

ZL2019 2

0813483.5

2019.05.31

2

019.12.20

實用新型

電基集成

原始取得

94

利於焊接的大電

流半導體功率器

件

Z

L2019 2

0812348.9

2019.05.31

2

019.12.17

實用新型

電基集成

原始取得

95

封裝引線框架

ZL 2014

3

0049102.3

2014.03.

13

2014.09.10

外觀設計

新潔能

原始取得

96

封裝框架

（

TO

-

220

）

ZL 2014 3

0030111.8

2014.02.19

2014.09.24

外觀設計

新潔能

原始取得

97

封裝引線框架

（

TO

-

220

）

ZL 2014 3

0039432.4

2014.03.03

2015.02.11

外觀設計

新潔能

原始取得

注

1

：第

1

項至第

15

項發明專利、第

37

項至第

40

項

和第

4

2

項實用新型專利為

新潔能

從新

潔能半導體轉讓取得；

注

2

：第

2

3

項發明專利為

新潔能

原始取得後轉讓

至

全資子

公司電

基集成。

（2）商標權

截至本招股書籤署日，公司擁有12項商標權，具體情況如下：

序

號

註冊證號

註冊商標

註冊類別

註冊公告日

有效期至

權利人

1

7962650

第

9

類

2011

年

10

月

28

日

2021

年

10

月

27

日

新潔能

2

79

6

2678

第

9

類

2011

年

6

月

14

日

20

3

1

年

6

月

13

日

新潔能

3

7962696

第

9

類

2011

年

10

月

28

日

2021

年

10

月

27

日

新潔能

4

9700201

第

9

類

2012

年

8

月

21

日

2022

年

8

月

20

日

新潔能

5

12789607

第

9

類

2014

年

12

月

14

日

2024

年

12

月

13

日

新潔能

6

32978713

第

9

類

20

1

9

年

5

月

1

4

日

2029

年

5

月

13

日

電基集成

7

32978714A

第

9

類

20

1

9

年

7

月

1

4

日

2029

年

7

月

13

日

電基集成

8

32287895A

第

9

類

20

1

9

年

8

月

7

日

2029

年

8

月

6

日

電基集成

9

32287896A

第

9

類

20

1

9

年

8

月

7

日

2029

年

8

月

6

日

電基集成

1

0

32287897

第

9

類

20

1

9

年

10

月

7

日

2029

年

10

月

6

日

電基集成

11

38627474

A

第

9

類

2020

年

3

月

7

日

2030

年

3

月

6

日

新潔能

12

40427995

第

9

類

2020

年

4

月

7

日

2030

年

4

月

6

日

新潔能

（3）發表的核心期刊

截至本招股書籤署日，公司參與在IEEE TDMR等國際知名期刊中發表論文

13篇，其中SCI收錄論文7篇，具體如下：

序號

論文名稱

發表時間

發表期刊

收錄

情況

1

Investigation on the Breakdown Failure in Stripe

Trench-Gate Field-Stop Insulated Bipolar

Transistor With Low-Saturation Voltage

2016年

IEEE TDMR

SCI

2

Failure Analysis and Improvement for High Power

Single-Phase Module

2017年

IEEE TDMR

SCI

3

1200 V FS-IGBT with electric field modulation

layer to improve trade-off between avalanche

ruggedness and on-state voltage drop

2017年

IET EL

SCI

4

Novel failure mechanism and improvement for

split-gate trench MOSFET with large current under

unclamped inductive switch stress

2018年

Superlattices

and

Microstructures

SCI

5

A low loss IGBT with shallow p-well to adjust the

carrier profiles at the emitter side

2016年

ISPSD 2016

EI

6

Design criterion of the superjunction DMOS for

low EMI noise in the flyback converter system

2016年

ISPSD 2016

EI

7

A novel split-gate structure for 85V application

with low output capacitance

2016年

EDSSC 2016

EI

8

Investigations of inhomogeneous reverse recovery

behavior of the Body Diode in Superjunction

MOSFET

2017年

ISPSD 2017

EI

9

Influence of forward current freewheeling time on

di/dt robustness of SJ-MOSFET body diode

2017年

IPFA 2017

EI

10

Failure Mechanism Investigations of Type II

Short-Circuit in TrenchGate IGBT Device

2018年

ICSICT2018

EI

11

SJ-MOSFET with wave-type field limiting ring for

high di/dt robustness ofbody diode reverse recovery

2018年

SSE

SCI

1

2

Analysis and Optimization of the Switching Noise

for Super-Junction MOSFET in Full Bridge

Converter System

2019年

SSE

SCI

1

3

Breakdown Voltage Walk-in Phenomenon and

Optimization for the Trench-gate P-type MOSFET

under single avalanche stress.pdf

2020年

IEEE TED

S

CI

（

三

）

發行人獲得的主要榮譽和資質

截至

本

招股說明書

籤署日

，公司

獲得的部分榮譽和資質

情況如下

表所示

：

序號

證書名稱

獲得時間

頒發機構

1

201

9

年中國半導體功率器件十強企業

20

20

年

3

月

中國半導體行業協會

2

江蘇省科學技術一等獎

2

020

年

3

月

江蘇省人民政府

3

2018

年中國半導體功率器件十強企業

2019

年

5

月

中國半導體行業協會

4

江蘇省功率器件工程技術研究中心

2018

年

10

月

江蘇省科

學技術廳

5

2017

年中國半導體功率

器件十強企業

2018

年

4

月

中國半導體行業協會

6

2017

年度先進會員單位

2018

年

3

月

江蘇省半導體行業協會

7

2017

年度中國半導體行業協會會員證

2017

年

中國半導體行業協會

8

中國電源學會理事單位

2017

年

6

月

中國電源學會

9

無錫市功率器件工程技術研究中心

2017

年

6

月

無錫市科學技術局

10

2016

年中國半導體功率器件十強企業

2017

年

3

月

中國半導體行業協會

1

1

高新技術企業證書

2017

年

11

月、

2014

年

9

月

江蘇

省科學技術廳

江蘇省財政廳

江蘇省國家稅

務局

江蘇省地方稅務局

1

2

2016

年度中國半導體行業協會會員證

2016

年

中國半導體行業協會

1

3

第九屆無錫市專利獎

-

優秀獎

2016

年

無錫市人民政府

1

4

ISO

質量體系證書

2016

年

10

月、

2013

年

10

月

英國標準協會（

BSI

）

1

5

江蘇省

企業

研究生工作站

2015

年

7

月

江蘇省教育廳

1

6

江蘇省半導體行業協會會員證

2015

年

1

月

江蘇省半導體行業協會

（

四

）

發行人產品獲得的主要榮譽

截至

2019

年

12

月

31

日

，公司

產品獲得的部分榮

譽和資質

情況如下

表所示

：

序號

項目名稱

編號

獲得時間

頒發機構

1

高新技術產品認定證書

-

屏蔽柵溝槽型功率

MOSFET

150211G0050N

2015

年

6

月

江蘇省科學技術廳

2

高新技術產品認定證書

-

超結功率

MOSFET

140211G0060N

2014

年

5

月

江蘇省科學技術廳

3

高新技術產品認定證書

-

溝槽型功率

MOSFET

140211G0058N

2014

年

5

月

江蘇省科學技術廳

4

高新技術產品認定證書

-

絕緣柵雙極型電晶體

（

IGBT

）

140211G0059N

2014

年

5

月

江

蘇省科學技術廳

六、同業競爭與關聯交易

（一）同業競爭

1

、公司與控股股東、實際控制人

及一致行動人

之間不存在同業競爭

公司控股股東

、實際控制人朱袁正

直接持有公司

31

.

11

%

股權

。

同時朱袁正分

別與

葉鵬、王成宏、戴鎖慶、周洞濂、顧朋朋、吳國強、李宗清、王永剛、陸虹、

肖東戈

共計

10

名股東

籤訂

有關一致行動的

協議，約定上述

十

位

股東

在公司股東大

會或董事會表決時，應主動與朱袁正保持一致，因此朱袁正可控制的股權比例為

35

.62

%

。截至本

招股說明書

籤署日，

朱袁正

及一致行動人

未從事任何與公司相同、

相似的業務，與公司之間不存在

同業競爭。

2

、公司與控股股東、實際控制

人

及一致行動人

控制的其他企業之間不存在

同業競爭

控股股東、實際控制人朱袁正

及一致行動人

未控制其他企業

。

（二）關聯交易

1

、經常性關聯交易

（

1

）採購商品

/

接受勞務情況

報告期內，公司與關聯方之間的發生的採購交易具體情況如下：

單位：萬元

關聯方

主要交易

內容

2

019

年度

2018

年度

2017

年度

金額

佔採購

總額的

比例

金額

佔採購

總額的

比例

金額

佔採購

總額的

比例

長電科技

注

1

封測服務

-

-

2,522.69

4.43%

4,306.98

10.6

5%

燦升實業

注

2

封測服務

-

-

-

-

14.92

0.04%

紅光股份

注

3

封測服務

82.58

0.13

%

435.13

0.76%

-

-

合

計

82.58

0.13

%

2,957.82

5.19%

4,321.89

10.69%

注

1

：

長電科技

於

2017

年

7

月不再為公司關聯方，本招股書基于謹慎性原則，延長披露

1

年，

表格中披露金額為

2018

年

1

-

7

月採購數據。

長電科技

採購金額包括公司對其控股子公司新順

微電子、長電先進的採購金額。

注

2

：燦升實業系公司實際控制人朱袁正的原一致行動人、原

持有公司

0.79%

股權的股東洪

雪君及其配

偶控制的企業，

2018

年

7

月

5

日，洪雪君

籤訂補充協議，解除一致行動人關係；

本招股書基于謹慎性原則，延長披露

1

年。

注

3

：

2018

年

5

月

22

日，公司股東達晨創投委派董事王文榮擔任

紅光股份

董事。

2018

年

9

月

28

日，根據

紅光股份

（

831034

）公告，王文榮辭去

紅光股份

董事，本招股書基于謹慎性原

則，延長披露

1

年，故

2

018

年

披露交易金額為

2018

年

5

-

12

月公司向

紅光股份

的採購金額

，

2

019

年披露為

2

019

年

1

-

9

月的採購金額。

①

向

長電科技

採購封

測服務

公司是以半導體

晶片和

功率器件研發

設計為主的企

業，需對外採購封測服務。

公司選擇

長電科技

作為封測服務供應商的主要原因為

長電科技

是全球排名第三、

國內排名第一的封測服務龍頭企業，其封裝測試業務的先進工藝和高良品率能夠

保證公司的產品質量和性能。

2017

年至

2018

年

1

-

7

月，公司向

長電科技

主要

採購封測服務，

總

金額分別

為

4,306.98

萬元和

2,522.69

萬元，佔當年採購總額的比例分別為

10.65%

和

4.43%

，

2

018

年全年，公司向

長電科技

採購金額為

4

,107.78

萬元，佔當年採購總額的比例

為

7

.21

%

，

2

019

年，公司向

長電科技

採購金額為

3

,

936.98

萬元，佔當期採購總額

的比例為

6

.01

%

，

採購佔比持續降低。公司向

長電科技

採購定價系參考市場價格

協商確定，交易價格公允。報告期內，公司積極拓展其他封測供應渠道，現已與

安靠技術（

Amkor

）、

通富微電

（

002156

）、上海捷敏等十餘家封測企業開展持續

穩定合作；此外，

2016

年起，公司逐步投入封裝測試技術研發，並於

2018

年下

半年

開始

自建封裝測試產線，未來將減少封測委外代工。

具體分析如下：

I

、公司

向

長電科技

釆購封測服務佔公司同

類採購業務的比例

報告期內，公司與長電科

技發生關聯採購業務的具

體情況如下：

單位：萬元

關聯方

主要交易內容

2018

年

1

-

7

月

2017

年度

金額

佔

當年

同類

採購的比

金額

佔

當年

同類

採購的比

長電科

技

封測服務

2,

499.65

1

9.90

%

4,301.33

55.48%

晶片

2

3.04

1

4.61

%

5.64

6.94%

注

1

：

長電科技

於

2

017

年

7

月不再為公司關聯方，本招股書基于謹慎性原則，延長披露

1

年，

表格中披露金額為

2

018

年

1

-

7

月採購數據。向

長電科技

採購金額包括公司對其控股

子公司新

順微電子、長電先進的採購金額。

根據上表，

2017

年至

2018

年

1

-

7

月，公司向

長電科技

採購封測服務的金額

分別為

4,301.33

萬元和

2,499.65

萬元，佔當年同類採購額的比分別為

55.48%

和

19.90%

，採購金額和佔比逐年下降。

2

018

年全年，公司向

長電科技

採購封測服務

的總金額為

4,

083.44

萬元，佔當年同類採購額的比例為

3

2.51

%

；

2

019

年，

公司

向

長電科技

採購封測服務金額為

3

,

936.98

萬元，佔當年同類採購額的比例為

30.67

%

，

採購金額和佔比整體下降。

II

、採購的定價依據

公司與

長電科技

採購定價依

據主要為市場情況協商定價，具體的定價依據如

下：

公司向

長電科技

採購定價過程：公司與

長電科技

籤訂框架合作協議，每年與

長電科技

協商確定本年度的採購基準單價，採購基準單價經雙方內部經營決策通

過後一般不會變化，若出現需採購的特殊要求的產品時

長電科技

會依據產品具體

要求重新協商確定採購價格。

公司向

長電科技

採購定價主要考慮：封裝形式的類別、封裝產品的主要材料

及其價格波動、產品測試時間長短及測試效率、特殊工藝要求等，並綜合考慮長

電科技的產能規模、工藝水平、

質量

及品質（良

品率等）、品牌效應、管理水平

等

因素。

III

、採購價格公允性說明

根據對

長電科技

的訪談及獲取其出具的《基本信息情況表》，公司向

長電科技

的採購價格均處於其向其他客戶銷售均價範圍之內，且較中值差異很小，公司向

長電科技

的採購價格與

長電科技

向非關聯方客戶銷售同類服務價格不存在重大差

異。

公司向

長電科技

採購單價與向其他非關聯供應商採購同類封測服務的均價亦

不存在重大差異，將

長電科技

的採購單價替換為非關聯供應商平均採購單價測算

後，相關金額差異亦較小，佔公司當期營業成本的比例分別為

0.86

%

、

0.38%

和

0.

54

%

，

佔比極低。

綜上，公司向

長電科技

採購交易價格公允，不存在向公司輸送利益的情形。

②

向燦升實業採購封測服務

燦升實業系公司實際控制人朱袁正的原一致行動人、原持有公司

0

.79

%

股權

的股東洪雪君及其配偶控制的企業；

2018

年

6

月和

9

月，洪雪君將其持有的公司

全部股份轉讓至無關聯第三方。報告期內，由於公司主要封測服務供應商排產因

素，公司部分零星加急訂單選擇向燦升實業採購。

2

017

年，公司向燦升實業採購

封測服務的金額為

14.92

萬元，佔當期採購總額的比例分別為

0

.0

4

%

，佔比極低，

交易價格公允

。

2

018

年及

2

019

年，公司未向燦升實業採購封測服務。

具體分析

如下：

I

、公司

向

燦升實業

釆購封測服務佔公司同類採購業務的比例

單位：萬元

關聯

方

主要交

易內容

2019

年度

2018

年度

2017

年度

金額

佔同類採

購額的比

金額

佔同類採

購額的比

金額

佔同類採

購額的比

燦升

實業

封測服

務

-

-

-

-

14.92

0.19%

根據上表，公司向燦升實業採購封測服務金額和佔比極低，且

2

018

年起不再

發生採購業務。

II

、採購的

定價依據

公司與燦升實業採購定價依據主要為市場情況協商定價，具體的定價依據如

下：

由於燦升實業擁有半導體功率器件封裝測試產線，對於臨時性、交期較為緊

張的訂單，公司會向燦升實業採購少量如「SOT-23-3L」等的工藝成熟簡單但交

期較為緊急的封測服務。由於公司向燦升實業採購具有臨時性，因此主要通過訂

單採購的形式，交易價格依據訂單確定。

公司向燦升實業採購定價主要考慮：封裝形式的類別、封裝產品的主要材料

及其價格波動、產品測試時間長短及測試效率、產品交期要求等因素。

III

、採購價

格公允性說明

根據對燦升實業的訪談及獲取其出具的《基本信息情況表》，公司向燦升實業

採購的主要封裝形式的價格均處於其向其他客戶銷售均價範圍之內，且較中值差

異很小。因此，公司採購燦升實業封測服務的價格與其他第三方不存在重大差異，

採購交易價格公允，不存在向公司輸送利益的情形。

③向

紅光股份

採購封測服務

2

016

年起，

紅光股份

始終為公司封測服務供應商。公司董事王文榮系公司股

東達晨創投委派，達晨創投於

2

017

年

1

1

月投資

紅光股份

，並委派王文榮於

2018

年

5

月

22

日擔任其董事。

2

018

年

9

月

2

8

日，根據

紅光股份

公告，王

文榮辭去紅

光股份董事職務。

2

018

年

5

-

12

月

和

2

019

年

1

-

9

月，公司向

紅光股份

採購封測服

務，交易金額分別為

435.13

萬元

和

82.58

萬元，佔當年採購總額的比例為

0

.76

%

和

0

.13

%

，佔比極低。

2

019

年，公司向

紅光股份

採購總額為

1

13.55

萬元，佔當年

採購總額的比例為

0

.17

%

。

公司向

紅光股份

採購定價系參考市場價格協商確定，

交易價格公允

。

具體分析如下：

I

、公司向

紅光股份

釆購封測服務佔公司同類採購業務的比例

2018年5-12月，公司向

紅光股份

採購封測服務的金額為435.13萬元，佔當

年同類採購額的比例為3.46%；2019年1-9月，公司向

紅光股份

採購封測服務的

金額為82.58萬元，佔當年同類採購額的比例為0.64%；2

019

年，公司向紅光股

份採購總額為

1

13.55

萬元，佔當年同類採購額的比例為

0

.88

%

，

採購佔比較低。

II

、採購價格的定價依據

公司與

紅光股份

採購和銷售定價主要依據市場情況協商定價，具體的定價依

據如下：

紅光股份

（831034）為無錫地區的半導體封裝測試企業，2014年於全國中小

企業股份轉讓系統掛牌。公司於2016年開始與其開展合作，主要向其採購

「TO-252」、「SOT-23」、「SOP-8」等形式的封測服務。公司每年與其協商確

定相關封裝形式的採購單價，由於「TO-252」、「SOT-23」、「SOP-8」屬於相

對成熟的封裝形式，因此其交易定價較為穩定。

公司向

紅光股份

採購定價主要考慮：封裝形式的類別、封裝產品的主要材料

及其價格波動、產品測試時間長短及測試效率以及綜合考慮

紅光股份

的產品工

藝、品質、產能規模及質量管控等。

III

、採購價格公允性說明

根據對

紅光股份

的訪談及獲取其出具的

《基本信息情況表》，公司向

紅光股份

的採購定價與

紅光股份

向非關聯方客戶銷售同類服務均價不存在重大差異。

公司向

紅光股份

採購單價與向其他非關聯供應商採購

同類封測服務的均價亦

不存在重大差異，

2018

年

和

2

019

年，將

紅光股份

的採購單價替換為非關聯供應

商採購均價測算後，相關採購金額差異較小，佔當期營業成本的比例為

-

0.0

8

%

和

-

0.04

%

，佔比極低。因此，公司向

紅光股份

採購交易價格公允，不存在向公司輸

送利益的情形。

（

2

）銷售商品

/

提供勞務

報告期內，公司與關聯方之間發生的銷售交易具體情

況如下：

單位：萬元

關聯方

主要交易內

容

2

019

年度

2018

年度

2017

年度

金額

佔銷售

總額的

比例

金額

佔銷售

總額的

比例

金額

佔銷售

總額的

比例

長電科技

注

1

晶片及成品

-

-

957.73

1.34%

2,204.92

4.38%

上海貝嶺

晶片及成品

144.91

0

.19

%

437.12

0.61%

777.15

1.54%

燦升實業

注

2

晶片

417.57

0.54

%

473.80

0.66%

1,181.10

2.34%

合計

562.48

0.73

%

1,868.

65

2.61%

4,163

.17

8.26%

注

1

：

長電科技

於

2017

年

7

月不再為公司關聯方，本招股書基于謹慎性原則，延長披露

1

年，

表格中披露金額為

2018

年

1

-

7

月銷售金額。公司主要與

長電科技

及其子公司芯長電子、宿遷

長電、深圳長電發生銷售交易，

故

合併披露。

注

2

：燦升實業

於

2018

年

7

月

不再為公司關聯方，

本招股書基于謹慎性原則，延長披露

1

年

，

表格中披露金額為

2

019

年

1

-

7

月銷售金額。

①

向

長電科技

銷售晶片及成品

報告期內，公司向

長電科技

及其子公司銷售晶片及少量功率器件，主要

原因

為：

長電科技

及其子公司部

分從事二極體、三極體以及少量

MOSFET

等的銷售，

而公司是國內

MOSFET

產品的主要供應商之一，因此上述公司向

新潔能

採購部分

晶片並封裝測試後再自行銷售。

2017

年至

2

018

年

1

-

7

月，公司向

長電科技

合計

銷售金額分別

2

,2

04.92

萬元和

957.73

萬元，佔當年營業收入的比例分別為

4.38

%

和

1.34

%

，

2

018

年全年，公司向

長電科技

銷售金額為

1

,741.47

萬元，佔當年銷售

收入的比例為

2

.43

%

，

2

019

年，公司向

長電科技

銷售金額為

2.32

萬元，佔當年銷

售收入的比例為

0

.003

%

，交易佔比整體較低且持續下降

，未對公司經營業績產生

重大影響。公司向

長電科技

的銷售價格系參照市場價格協商確定，交易價格公允。

具體分析如下：

I

、公司

向

長電科技

銷售晶片及功率器件

佔公司同類

銷售

業務的比例

報告期內，公司與

長電科技

發生關聯銷售業務的具體情況如下：

單位：萬元

關聯方

主要交易內

容

2018

年

1

-

7

月

2017

年度

金額

佔

當年

同類銷

售的比

金額

佔

當年

同類銷

售的比

長電科技

晶片

9

02.57

4

.21

%

2,167.06

10.09%

功率器件

5

5.16

0

.11

%

37.

86

0.13%

公司向

長電科技

主要銷售晶片。

2017

年至

2018

年

1

-

7

月，公司主要向長電

科技銷售晶片的金額分別為

2,167.06

萬元和

902.57

萬元，佔當年同類銷售收入的

比分別為

10.09%

和

4.21%

，銷售金額和佔比逐年下降。

2

018

年全年，公司向長電

科技銷售晶片的總金額為

1,

674.22

萬元，佔當年同類銷售收入的比為

7

.80

%

，

2

019

年，公司向

長電科技

銷售晶片金額為

2.32

萬元，佔當年同類銷售收入的比例為

0.01

%

，

銷售金額和佔比較上年持續下降。

II

、銷售

價格的定價依據

公司與

長電科技

銷售定價主要依據市場價格及供求關係協商確定，具體的定

價依據如下：

公司向

長電科技

銷售定價過程：由於

長電科技

與公司合作時間較長，為公司

長期穩定的重要客戶，且其為國內

A

股上市公司，資金實力、品牌影響力及商業

美譽度均較高，因此公司將其作為戰略客戶，並依照市場價格（同類戰略客戶銷

售單價），結合市場供求關係協商確定其產品銷售價格。公司與

長電科技

籤訂框架

合作協議，每年根據市場價格與

長電科技

協商確定本年度的銷售基準單價。在實

際訂單合作中，公司會依據市場供需關係、芯

片代工成本波動以及其他非關聯

戰

略客戶銷售單價波動等因素，協商調整銷售價格。

公司向

長電科技

銷售定價主要考慮：市場價格、市場供需關係、晶片的類別、

晶片代工的成本等並綜合考慮

長電科技

的回款能力、訂貨數量、品牌效應等因素。

III

、銷售價格公允性說明

從細分產品類別看，公司向

長電科技

主要銷售溝槽型功率

MOSFET

晶片，公

司向

長電科技

銷售溝槽型功率

MOSFET

晶片單價較其他非關聯戰略客戶銷售同

類產品的均價比較如下：

單位：元

/

片

公司名稱

2018

年

1

-

7

月

2017

年

長電科技

2,385.24

1,8

03.71

其他非關聯戰略客戶

2,327.81

1,778.95

差異率

2.47%

1.39%

公司對

長電科技

的銷售定價與公司向其他非關聯戰略客戶銷售同類產品的單

價不存在重大差異，銷售交易價格公允，不存在向公司輸送利益的情形。

②

向

上海貝嶺

銷售晶片及成品

上海貝嶺

系持有公司

7

.91

%

股份的股東，公司主要向其銷售晶片及少量功率

器件，主要原因為：

上海貝嶺

主要從事

IC

設計業務，其生產經營中需將

IC

、

MCU

以及

MOSFET

等電子元器件進行組合銷售

。由於公司是國內

MOSFET

產品的主

要供應商之一，因此，

上海貝嶺

向公司採購

MOSFET

晶片及少量功率器件。報告

期各期

，公司向

上海貝嶺

銷售金額分別為

777.15

萬元

、

437.12

萬元

和

144.91

萬元

，

佔當期銷售收入的比例分

別

為

1.54%

、

0

.61

%

和

0

.19

%

，交易佔比較低且持續下降

。

公司向

上海貝嶺

的銷售價格系參照市場價格協商確定，

交易價格公允

。

具體分析

如下：

I

、公司向

上海貝嶺

銷售晶片和功率器件佔同類銷售業務的比例

報告期內，公司與

上海貝嶺

發生的關聯銷售業務的具體情況如下：

單位：萬元

關聯方

主要

交易

內容

2019

年度

2018

年度

2017

年度

金額

佔同類銷

售收入的

比

金額

佔同類銷

售收入的

比

金額

佔同類銷

售收入的

比

上海貝

嶺

晶片

144.08

0.71%

429.70

2.00%

724.04

3.37%

功率器件

0.83

0.001%

7.42

0.01%

53.11

0.18%

2017年至2019年，公司主要向

上海貝嶺

銷售晶片，銷售晶片金額分別為

724.04萬元、429.70萬元和144.08萬元，佔同類銷售收入比例分別為3.37%、2.00%

和0.71%，銷售金額和佔比均較小，且逐年降低。

II

、銷售價格的定價依據

經核查，公司與

上海貝嶺

銷售定價主要依據市場情況協商定價的形式，具體

的定價依據如下：

公司向

上海貝嶺

銷售定價過程：由於

上海貝嶺

為A股上市公司，在半導體行

業具有品牌影響力，公司與其合作對開拓市場及提升品牌美譽度具有幫助；此外，

上海貝嶺

是公司合作多年的優質客戶，需求穩定、回款狀況良好，因此公司將其

作為戰略客戶，並依照市場價格（同類戰略客戶銷售單價），結合市場供求關係協

商確定其產品銷售價格

。公司與

上海貝嶺

籤訂框架合作協議，並依據具體訂單協

商確定銷售單價，在實際過程中，公司根據市場供需關係、市場價格波動以及芯

片代工成本波動等因素並綜合考慮

上海貝嶺

的需求及回款情況，調整晶片及功率

器件的銷售單價並與

上海貝嶺

重新協商確定銷售價格。

公司向

上海貝嶺

銷售定價主要考慮：晶片的類別、晶片代工的成本、市場供

需關係、其他非關聯戰略客戶的銷售價格等，並綜合考慮

上海貝嶺

的回款能力、

訂貨數量、品牌效應等因素。

III

、銷售價格公允性說明

從細分產品類別看，公司向

上海貝嶺

主要銷售溝槽型功率

M

OSFET

晶片，公

司向上海貝

嶺銷售溝槽型功率

MOSFET

晶片單價較向其他非關聯戰略客戶銷售

同類產品的均價比較如下：

單位：元

/

片

公司名稱

2019年度

2018

年度

2017

年度

上海貝嶺

1,923.66

2,412.67

1,729.25

其他非關聯戰略客戶

1,960.61

2,334.66

1,778.95

差異率

-1.88%

3.34%

-

2.79%

根據上表，

2

017

年至

2

019

年

，

公司向

上海貝嶺

銷售溝槽型功率

MOSFET

芯

片的銷售價格與公司向其他非關聯戰略客戶銷售同類產品的均價

差異較小，銷售

價格公允，不存

在向公司輸送利益的情形。

③

向燦升實業銷售晶片

報告

期內公司向燦升實業銷售晶片，燦升實業採購公司晶片後自主封裝並將

封裝後的成品對外銷售。

2

017

年至

2

019

年

1

-

7

月，

公司向燦升實業銷售金額分

別為

1,181.10

萬元、

473.80

萬元

和

417.57

萬元，佔當期銷售收入的比例分別為

2.34

%

、

0

.66

%

和

0.54

%

。報告期內，公司向燦升實業銷售晶片整體交易佔比較低，

銷售價格系參照市場價格協商確定，交易價格公允。

具體分析如下：

I

、公司

向

燦升實業銷售芯

片佔

公司同類

銷售

業務的比例

報告期內，公司與燦升實業發生關聯銷售業務的具體情況如下：

單位：萬元

關聯

方

主要交

易內容

2019

年

1

-

7

月

2018

年度

2017

年度

金額

佔同類銷

售收入的

比

金額

佔同類銷

售收入的

比

金額

佔同類銷

售收入的

比

燦升實

業

晶片

417.57

2.06%

473.80

2.21%

1,181.10

5.50%

2017

年至

2019

年

1

-

7

月，

公司向燦升實業銷售晶片金額分別為1,181.10萬

元、473.80萬元和417.57萬元，佔當年同類銷售收入的比例分別為5.50%、2.21%

和2.06%，整體呈下降趨勢。2019年全年，公司向燦升實業銷售產品金額為934.36

萬元。

II

、銷售價格的定價依據

公司與燦升實業銷售定價依據主要為依據市場價格及供求關係協商，具體的

定價依據如下：

公司向燦升實業銷售定價過程：由於燦升實業是公司在華南市場開拓積累的

優質客戶，其成立於2002年，擁有較為先進的封裝設備產線，為深圳市高新技術

企業；燦升實業與國內眾多知名品牌企業建立合作，產品廣泛應用於電池、適配

器、充電器、移動電源等領域。由於燦升實業與公司合作期限較長，且其業務規

模、採購需求、回款能力均較強，在華南市場具有一定影響力，因此公司將其作

為戰略客戶，並依照市場價格（同類戰略客戶銷售單價），結合市場供求關係協商

確定其產品銷售價格

。在實際訂單中，公司根據市場供需關係、晶片代工成本波

動以及燦升實業的回款能力等因素，綜合調整銷售價格。由於報告期初，公司競

爭對手通過降低價格的形式與公司競爭燦升實業，公司考慮到華南市場開拓、品

牌影響力建設、且該客戶回款能力較好，經友好協商給予燦升實業相對較低但合

理的銷售價格，燦升實業則主要以銀行轉帳方式回款，回款周期很短。

公司向燦升實業銷售定價主要考慮：晶片的類別、晶片代工的成本、市場供

需關係、其他非關聯戰略客戶的銷售價格、華南地區的市場開拓意義以及燦升實

業的回款能力、市場地位及合作期限等因素。

III

、銷售價格公允性說明

從細分產品類別看，公司主要向燦升實業銷售溝槽型功率MOSFET晶片，公

司向燦升實業銷售溝槽型功率MOSFET晶片單價較其他非關聯戰略客戶銷售同

類產品的均價比較如下：

單位：元

/

片

公司名稱

2019年

2018

年

2017

年

燦升實業

1,819.55

2,209.86

1,730.30

其他非關聯戰略客戶

1,960.61

2,334.66

1,778.95

差異率

-7.19%

-

5.35%

-

2.73%

根據上表，

2

017

年至

2

018

年，公司向燦升實業銷售溝槽型功率

MOSFET

芯

片的

均價較其他非關聯戰略客戶的銷售均價不存在重大差異。

2019年，公司向燦升實業銷售溝槽型功率表MOSFET晶片的均價低於向其

他非關聯戰略客戶的銷售均價，主要原因系受到中美貿易摩擦等因素的影響，公

司華南地區的部分涉及外銷業務的客戶，其採購晶片的需求及採購單價下降幅度

較大。公司向燦升實業銷售溝槽型功率MOSFET晶片的均價與向華南地區的其他

非關聯客戶的銷售單價1,836.94元/片差異率為-0.95%，整體差異較小。

綜上，公司對燦升實業的銷售定價與公司向其他同類客戶銷售同類產品的單

價不存在重大差異，交易價格公允，不存在向公司輸送利益的情形。

（

3

）

關聯管理人員薪酬

單位：萬元

項

目

2

019

年度

2018

年度

2017

年度

關鍵管理人員

稅前

薪酬總

額

521.79

636.96

504.07

（

4

）

公司與

長電科技

採購封測服務並對

其銷售晶片及成品的具體內容及

兩

者間是否存在直接相關性，相關採購、銷售的交易性質屬於購銷交易還是加工

公司主要向

長電科技

採購

「TO

-

220」

、

「TO

-

252」

、

「SOP

-

8」

、

「SOT

-

23」

等封裝

形式的封測服務

，

公司向

長電科技

採購封測服務主要原因為公司是以半導體

晶片

和

功率器件研發設計為主的企業，需對外採購封測服務，

長電科技

是全球排名第

三、國內排名第一的封測服務龍頭企業，其封裝測試業務的先進工藝和高良品率

能夠保證公司的產品質量和性能。

除封測服務外，公司亦向

長電科技

原子公司新

順微採購少量二極體晶片用於與公司

I

G

BT

晶片進行合封，相關採購金

額較小。

公司

主要

向

長電科技

銷售

溝槽型功率

MOSFET

晶片

，

主要原因為

長電科技

及其子

公司部分從事二極體、三極體以及少量

MOSFET

等的銷售，而公司是國內

MOSFET

產品的主要供應商之一，因此上述公司向

新潔能

採購部分晶片並自行封

裝測試後銷售。公司向

長電科技

主要採購封測服務，而向

長電科技

銷售的是晶片

和功率器件，採購和銷售內容屬於不同性質業務

，

完全區別且交易相互獨立，不

存在直接相關性。

公司向

長電科技

採購的具體採購過程為：公司與

長電科技

籤訂合作協議，運

營處將封裝訂單、封裝規格書（包括封裝

形式、工藝參數、測試規範等）

提供給

長電科技

並將需要封裝測試的晶片提供給

長電科技

，

長電科技

依據具體的封裝訂

單將公司提供的晶片通過劃片、裝片、鍵合、塑封、電鍍、切筋、測試、包裝等

一系列加工過程生產出公司所需的功率器件，在採購封裝測試的過程中，封裝所

需的晶片由公司提供，

長電科技

提供塑封料、引線（銅線）等輔材，並按照協議

約定以加工數量

*

加工單價的方式計算收取加工費（其中耗用的塑封料、引線等不

單獨計價，含在加工費裡），因此公司向

長電科技

採購封測服務屬於「委託加工」

的業務範疇。

公司向

長電科技

銷售的

具體銷售過程為：公司

與

長電科技

及子公司籤訂銷售

協

議，

長電科技

及

其

子公司芯長電子、宿遷長電、深圳長電主要向公司採購晶片

產品並自行封裝測試後對外銷售。

2

019

年，

長電科技

自身業務轉型，主動減少功

率器件的銷售業務，僅向公司採購少量晶片用於工藝研發，採購金額大幅下降。

根據公司與

長電科技

籤訂的銷售協議，公司向

長電科技

提供協議約定的晶片和功

率器件，

長電科技

依據具體產品及單價支付款項，

公司向

長電科技

銷售業務屬於

購銷交易。

（

5

）早期關聯銷售佔比較高及對各關聯方減少銷售的原因及合理性

下遊客戶向公司採購晶片後根據用途不同可分為以下兩類：第一類

客戶主要

採購晶片用於封裝測試

後銷售或與其他產品合併銷售；第二類客戶主要採購晶片

後用於與

IC

等晶片合封形成集成電路模塊進行銷售，該部分客戶產品功能與公司

存在區別。報告期初，公司主要晶片客戶為第一類客戶，公司為緩解經營資金壓

力，並快速擴展市場，與該部分客戶開展合作；

2017

年至

2018

年，隨著公司逐

步提高功率器件的銷售佔比，公司優化晶片客戶結構，減少市場競爭，晶片銷售

主要向第二類客戶側重

。

報告期早期關聯銷售佔比較高主要

原因為：報告期

早期

，公司

以晶片

銷售為

主，主要向

長電科技

、燦升實業、

上海貝嶺

銷售晶片產品，

上述

關聯方屬於第一

類客戶。公司早

期為

緩解經營資金壓力，並快速擴展市場

，對上述關聯方銷售佔

比相對較高。

報告期內，公司對各關聯方減少銷售的主要原因系：

1

）公司銷售

結構調整

：

隨著公司

功率器件

細分型號不斷豐富、品牌知名度不斷提升以及公司逐步具備滿

足晶片產品進一步封裝所需的資金實力，公司主動調整晶片產品和

功率器件

的比

例結構，逐步降低了晶片的銷售佔比，提高了

功率器件

的銷售佔比，從而能夠獲

得更多產品毛利

。

201

7

年至

2019

年，

公司晶片銷售金額分別為：

21,478.31

萬元、

21,462.91

萬元和

20

,

246.66

萬元

，

佔主營業務收入的比例分別為

42.68%

、

30.01%

和

2

6.24

%

，金額及佔比均逐年下降。

公司早期因以銷售晶片為主

，因此相應地向

包括關聯方在內的客戶銷售晶片產品金額相對較多；隨著公司銷售結構的調整，

公司逐年減少了晶片銷售規模，引致向包括關聯方在內的客戶銷售晶片金額相應

下降。

2

）市場因素：由於

指紋識別、手機雙攝等新興應用興起

擠壓了

8

英寸的芯

片代工的產能以及公司主動降低晶片銷售的比例，加之手機、

PC

等消費電子領域

市場需求持續旺盛，

2017

年起，公司

MOSFET

晶片銷售逐漸出現供不應求的狀

況。加之公司優化客戶結

構，逐步加大與採購公司晶片用

於

IC

合封的客戶的合

作，減少了對

長電科技

、燦升實業、

上海貝嶺

等採購公司晶片用於直接封裝或組

合銷售的客戶的金額及佔比。

3

）客戶因素：

2

019

年，公司對

長電科技

的銷售金

額和佔比大幅下降主要原因為

長電科技

自身業務轉型，主動

減少

功率器件的銷售

業務

，僅向公司採購少量晶片用於工藝研發，因此銷售金額及佔比大幅下降

；

2

019

年，公司對

上海貝嶺

的銷售金額和佔比大幅下降主要原因為

在半導體行業周期性

波動的背景下，

上海貝嶺

專注於集成電路

IC

設計主業，減少了購買

MOSFET

並

組合銷售的業務量，因此減少了對

公司產品的採購

。

2

、

關聯方

應收應付款項餘額

報告期內

，公司關聯方

期末往來餘額

如下：

單位：萬元

項目

關聯方

2019

年

12

月

3

1

日

2018

年

12

月

31

日

2017

年

12

月

31

日

應收帳款

長電科技

注

-

-

408.31

上海貝嶺

60.79

32.75

189.88

燦升實業

注

-

207.96

89.84

應付帳款

長電科技

注

-

-

1,095.29

燦升實業

-

-

-

紅光股份

注

-

35.16

-

註：

長電科技

於

2017

年

7

月不再為公司關聯方，此處不披露其

20

18

年

12

月

31

日

和

2

019

年

1

2

月

3

1

日

的

期末往來餘額

；

燦升實業、

紅光股份

分別於

2018

年

7

月、

2018

年

9

月不再

為公司關聯方，此處不披露其

2019

年

12

月

31

日的期末往來餘額。

（三）獨立董事對關聯交易發表的意見

2018

年

11

月

2

日，發行人獨立董事發表《獨立董事關於確認公司最近三年及一

期關聯交易的意見》，認為：公司報告期發生的關聯交易是基於公司正常的生產經

營需要而進行，並經管理層充分論證和謹慎決策。上述關聯交易履行了相關決策

程序或已經其他非關聯股東認可，符合公司章程等有關制度的規定，關聯交易的

發生有其

必要性，關聯交易按照等價有償

、公允的原則定價，沒有違反公開、公

平、公正的原則，不存在顯失公平以及損害發行人和其他股東利益的情形，不會

對公司業務獨立性造成影響

。

七、董事、監事、高級管理人員

姓名

職務

性

別

年

齡

任期

起止日期

簡要經歷

兼職情況

薪酬

情況

(

萬元

)

[

注

1]

持股

比例

[

注

2

]

與公司

的

其他

利益關

系

朱袁正

董事長兼

總經理

男

5

5

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任中國華晶電子集團公司助理工程

師、刻蝕工藝主管，新加坡微電子研究院

（

Institute of Microel

ectronics,IME

）

工程師，

德國西門子松下有限公司（

Siemens

Matsushita Components GmbH

）產品工程技

術經理，無錫華潤上華半導體有限公司研發

副處長，蘇州矽能半導體科技有限公司董

事、總經理，

新潔能

半導體董事、董事長兼

總經理，電芯聯智控董事長兼總經理。現任

公司董事長兼總經理，

新潔能

香港董事，電

基集成執行董事兼總經理

。

新潔能

香港董事，

電基集成執行董事

兼總經理

79.57

31.11%

無

葉

鵬

董事兼副

總經理

男

3

7

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任

無錫華潤上華半導體有限公司項

目經理，

新潔能

半導體董事、副總經理，電

芯聯智控董事

。

現任公司董事兼副總經理。

未在其他單位兼職

69.72

1.62%

無

王成宏

董事兼副

總經理

男

5

1

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任中國華晶電子集團公司生產管理

調度員，東芝半導體（無錫）有限公司製造

課長，

新潔能

半導體運營總監，公司監事、

運營總監。現任公司董事兼副總經理。

未在其他單位兼職

65.52

0.63%

無

顧朋朋

董事

男

3

2

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任

新潔能

半導體銷售

工程師、銷售處

長。現任公司董

事兼

新潔能

深圳分公司負責

人

。

未在其他單位兼職

55.01

0.32%

無

王文榮

董事

男

3

3

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任索尼（中國）有限公司主管，上海

上創新微投資管理有限公司投資經理，紅光

股份董事。現任深圳市達晨財智創業投資管

理有限公司業務合伙人，上海浪擎信息科技

有限公司董事，上海音智達信息技術有限公

司董事，北京諦聲科技有限責任公司董事，

無錫威峰

科技股份有限公司董事，公司董

事

。

深圳市達晨財智創

業投資管理有限公

司業務合伙人，上

海浪擎信息科技有

限公司董

事，上海

音智達信息技術有

限公

司董事，北京

諦聲科技有限責任

公司董事，無錫威

峰科技股份有限公

司董事

-

-

無

宋延延

董事

女

4

4

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任上海天歌通信技術有限公司項目

管理主管，聯芯科技有限公司戰略與市場部

總經理，上海浦東科技投資有限公司投資總

監，無錫清石華晟投資有限公司副總經理，

合肥

東芯通信

股份有限公司董事。

現任無錫

清石華晟投資有限公司董事，上海臨芯投資

管理有限公司董事、副總經理，新疆浦富股

權投資有限公司經理，深圳臨芯投資有限公

司執行董事兼總經理，浙江臨晟投資管理

有

限公司監事，無錫英迪芯微電

子科技股份有

限公司監事會主席，上海聲瀚信息科技有限

公司董事，湖南格蘭德芯微電子有限公司董

事，思睿博半導體（珠海）有限公司董事，

昂

賽微電子

（上海）有限公司董事

，公司董

事

。

無錫清石華晟投資

有限公司董事，上

海臨芯投資管理有

限公司董事、副總

經理，新疆浦富股

權投資有限公司經

理，深圳臨芯投資

有限公司執行董事

兼總經理，浙江臨

晟投資管理有限公

司監事，無錫英迪

芯微電子科技股份

有限公司監事會主

席，上海聲瀚信息

科技有限公司董

事，湖南格蘭德芯

微電子有限公司董

事，思睿博半導體

（珠海）有限公司

董事，昂賽微

電子

（上海）有限公司

董事

-

-

無

康

捷

獨立董事

男

4

3

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任

Arthur Anderson LLP

審計師，法

國巴黎百富勤融資有限公司投資銀行部經

理，貝爾斯登亞洲公司董事、總經理，上海

小南國海之源餐飲管理有限公司

CEO

，上海

藍英房地產投資有限公司執行董事，上海藍

育房地產投資有限公司執行董事。

現任上海

歆霖投資管理有限公司執行董事，上海小南

國華晶食品科技發展有限公司董事長，小南

國控股有限公司董事，

Tang Media Partners

Limited

董事，

Tang Media Par

tners (China)

Limited

董事，

Tang Media Pictures Hong

Kong Limited

董事，

Contech Television

Limited

董事，

IM Global LLC

董事，

Global

Road Entertainment LLC

董事，

Global Road

Entertainment Television LLC

董事，上海歆

霖影業有限公司執行董事，上海歆暢企業管

理諮詢有限公司執行董事，上海歆時投資管

理有限公司執行董事，上海靈迅影視傳

媒有

限公司執行董事兼總經理，

浙江東陽歆霖文

化傳媒有限公司經理、執行董事，上海歆光

影業有限公司執行董事，北京歆光影業有限

公司執行董事、經理，上海靈迅企業發展有

限公司執行董事、總經理

，公司獨立董事

。

上海歆霖投資管理

有限公司執行董

事，上海小南國華

晶食品科技發展有

限公司董事長，小

南國控股有限公司

董事，

Tang Media

Partners Limited

董

事，

Tang Media

Partners (China)

Limited

董事，

Tang

Media Pictures

Hong Kong Limited

董事，

Contech

Televi

sion Limited

董事，

IM Global

LLC

董事，

Global

Road Entertainment

LLC

董事，

Global

Road Entertainment

Television LLC

董

事，上海歆霖影業

有限公司執行董

事，上海歆暢企業

管理諮詢有限公司

執行董事，上海歆

時投資管理有限公

司執行董事，上海

靈迅影視傳媒有限

公司執行董事兼總

經理，浙江東陽歆

霖文化傳媒有限公

司經理、執行董事，

上海歆光影業有限

公司執行董事，北

京歆光影業有限公

司執行董事、經理，

上海靈迅企業發展

有

限公司執行董

事、總經理

6.

00

-

無

黃益建

獨立董事

男

40

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任中央財經大學講師，九州證券股份

有限公司獨立董事，瀋陽商業城股份有限公

司獨立董事。

現任中央財經大學會計財務專

業副教授，成都

華神科技

集團股份有限公司

獨立董事，聚辰半導體股份有限公司獨立董

事，久期智博（北京）投資有限公司執行董

事，北京石頭世紀科技股份有限公司獨立董

事，

中電電機

股份有限公司（

603988.SH

）

獨立董事

，公司獨立董事

。

中央財經大學會計

財務專業副教授，

成都

華神科技

集團

股份有限公司獨

立

董事，聚辰半導體

股份有限公

司獨立

董事，久期智博（北

京）投資有限公司

執行董事，北京石

頭世紀科技股份有

限公司獨立董事，

中電電機

股份有限

公司（

603988.SH

）

獨立董事

6.00

-

無

竇曉波

獨立董事

男

40

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

現任東南大學電氣工程學院電力電子

技術系主任、分布式發電與主動配電網研究

所副所長、博士生導師，南京磐能電力科技

股份有限公司獨立董事，南京國鐵電氣有限

責任公司獨立董事，公司獨立董事

。

東南大學電氣工程

學院電力電子技術

系主任、分布式發

電與主動配電網研

究所副所

長、博士

生導師，南京磐能

電力

科技股份有限

公司獨立董事，南

京國鐵電氣有限責

任公司獨立董事

6.00

-

無

李宗清

監事會主

席

男

3

5

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任無錫華潤華晶微電子公司研發工

程師，

中芯國際

集成電路製造有限公司失效

分析工程師，

新潔能

半導體產品經理。現任

公司監事會主席兼技術部項目處長

。

未在其他單位兼職

53.14

0.16%

無

吳國強

監事

男

5

3

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任中國電子科技集團公司第五十八

研究所刻蝕工藝技術主管，丹東安順微電子

有

限公司產品部經理、生產部經理

，

新潔能

半導體銷售經理。現任公司監事兼銷售部項

目處長

。

未在其他單位兼職

35.08

0.16%

無

劉松濤

監事

男

4

1

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任上海深遠文體設備有限公司財務

會計，

龍旗科技

（上海）有限公司財務經理、

投資經理，蘇州同冠微電子有限公司監事，

上海貝嶺

投資主管、投資部經理。現任上海

嶺芯微電子有限公司總經理，深圳市銳能微

科技有限公司監事，公司監事。

上海嶺芯微電子有

限公司總經理

，深

圳市銳能微科技有

限公司監事

-

-

無

紀文勇

監事

男

4

9

2019

年

3

月

15

日

-

20

22

年

3

月

14

日

任無錫第一棉紡織廠財務審計部會計，

國聯證券

有限責任公司下屬營業部的財務

部會計、財務部經理、總經理助理，國聯期

貨有限責任公司財務部負責人，無錫國聯物

業有限責任公司財務部負責人，無錫大飯店

有限公司財務總監，江蘇中科泛聯物聯網科

技股份有限公司財務總監，無錫微納產業發

展有限公司董事、副總經理。現任無錫國聯

產業投資有限公司首席風險官，中麗（天津）

產城融合發展基金管理有限公司監事，無錫

市總會計師協會副會長，無錫國發雲軔創業

投資有限公司監事會主席，公司監事

。

無錫國聯產業投資

有限公司首席風險

官，中麗（天

津）

產城融合發展基金

管理有限公司監

事，無錫市總會計

師協會副會長，無

錫國發雲軔創業投

資有限公司監事會

主席

-

-

無

陳

偉

監事

男

4

6

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任恆信證券有限責任公司投資部經

理，泰陽證券有限責任公司投行部高級經

理，信泰證券有限責任公司投行部高級經

理，齊魯證券有限公司投行部執行總經理，

華福證券有限責任公司投行部副總經理、股

權業務部總經理。現任上海金浦新朋投資管

理有限公司董事、副總經理，理昂生態能源

股份有限公司監事，公司監事

。

上海金浦新

朋投資

管理有限公司董

事、副總

經理，理

昂生態能源股份有

限公司監事

-

-

無

王永剛

副總經理

男

4

4

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任無錫華潤上華半導體有限公司工

藝開發經理、質量經理。現任公司副總經理

。

未在其他單位兼職

54.49

0.12%

無

陸

虹

財務負責

人

女

4

2

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任江蘇華錦五金機械總公司會計，無

錫市大公稅務師事務所職員，江蘇神劍數碼

科技有限公司財務經理，

新潔能

半導體董

事、財務經理、財務負責人，電芯聯智控監

事，電基集成財務負

責人。現任公司財務負

責人

。

未在其他單位兼職

45.63

0.12%

無

肖東戈

董事會秘

書

男

30

2019

年

3

月

15

日

-

2022

年

3

月

14

日

曾任河南永華聯合會計師事務所（普通

合夥）審計員，河南亞聖實業集團有限公司

審計專員，

廣發證券

股份有限公司機構業務

部項目經理。現任公司董事會秘書

。

未在其他單位兼職

45.63

0.20%

無

注

1

：此處薪酬情況為

201

9

年度稅前薪酬。王文榮、宋延延、劉松濤、紀文勇、陳偉均為公

司機構投資者委派董事或監事，不在公司領取薪酬。

注

2

：此處持股比例為直接持股。

八、發行人控股股東及其實際控制人的簡要情況

截至目前，公司控股股東、實際控制人朱袁正直接持有公司31.11%股權。

同時朱袁正分別與葉鵬、王成宏、戴鎖慶、周洞濂、顧朋朋、吳國強、李宗清、

王永剛、陸虹、肖東戈共計10名股東籤訂有關一致行動的協議，約定上述十位股

東在公司股東大會或董事會表決時，應主動與朱袁正保持一致，因此朱袁正可控

制的股權比例為35.62%。除此之外，朱袁正未從事任何與公司相同、相似的業

務，與公司之間不存在同業競爭。公司控股股東、實際控制人簡要情況如下：

朱袁正，男，1964年出生，中國國籍，無永久境外居留權，身份證號碼：

22010419640309****，住所：江蘇省無錫市濱湖區蓓蕾新村**。

九、財務會計信息及管理層討論與分析

（一）簡要

財務報表

1、簡要合併資產負債表

單位：萬元

項目

2019年12月31日

2018年12月31日

2017年12月31日

資產總額

80,785.53

61,749.17

46,142.10

流動資產

69,333.29

51,053.91

43,619.52

固定資產

9,373.65

4,628.40

735.48

負債總額

23,623.61

14,

408.20

10,939.

26

流動負債

22,845.34

14,380.06

10,939.26

股東權益

57,161.92

47,340.97

35,202.84

歸屬母公司股東的股東權益

57,161.92

47,340.97

35,202.84

2、簡要合併利潤表

單位：萬元

項目

2019年度

2018

年度

2017

年

度

營業總收入

77,253.69

71,579.03

50,375.98

營業利潤

11,057.09

16,245.68

6,326.14

利潤總額

11,0

49.44

16,228.7

6

6,314.66

淨利潤

9,820.95

14,141.89

5,189.11

歸屬母公司股東的淨利潤

9,820.95

14,141.89

5,189.11

扣非後

歸屬母公司股東的淨利潤

8,762.74

13,955.56

6,867.81

3、簡要合併現金流量表

單位：萬元

項目

2019年度

2018

年度

2017

年

度

經營活動產生的現金流量淨額

7,512.66

9,437.76

7,217.11

投資活動產生的現金流量淨額

-

2,237.29

-

8

,331.84

-

740.3

7

籌資活動產生的現金流量淨額

-

-

2,028.76

11,084.77

匯率變動對現金的影響

-

2.1

0

17.57

-

32.28

現金及現金等價物淨增加額

5,273.28

-

905.26

17,529.22

（二）

非經常性損益

報告期內，本公司非經常性損益情況如下表所示：

單位：萬元

項 目

2019年度

2018年度

2017年度

非流動性資產處置損益

-

0.30

-

1.15

-

0.66

計入當期損益的政府補助（與企業業

務密切相關，按照國家統一標準定額

或定

量享受的政府補助除外）

1,

253.88

236.50

4

95.38

委託他人投資或管理資產的損益

-

-

1

0.91

除上述各項之外的其他營業外收入

和支出

-

7.35

-

15.77

-

10.81

與公司正常經營業務無關的其他應

收款項計提的資產減值損失

-

-

-

其他符合非經常性損益定義的損益

項目（股份支付）

-

-

-

2,099.30

減：所得稅影響額

188.01

33.24

7

4.22

減：少數股東權益影響額

-

-

-

非經常性損益合計

1,058.21

186.33

-

1,678.

70

（

三

）主要財務指標

項目

2019年12月31日

2018年12月31日

2017年12月31日

流動比率

3.03

3.55

3.99

速動比率

2.44

2.78

3.50

資產負債率（母公司）

28.23%

21.74%

22.92%

歸屬於

母公司

股東的每股淨資產

（元）

注

7.53

6.24

4.64

無形資產佔淨資產比例

（扣除土地使用權）

0.33

%

0.16%

0.01%

項目

2019年度

2018

年度

2017

年

度

存貨周轉率（次）

4.81

5.70

7.12

應收

帳款周轉率（次）

9.53

11.43

6.06

息稅折舊攤銷前利潤（萬元）

11

,

811.63

16,412.69

6,438.31

歸屬於

母公司

股東的淨利潤

（萬元）

9,820.95

14,141.89

5,189.11

歸屬於

母公司

股東扣除非經常性

損益後的淨利潤（萬元）

8,762.74

13,955.56

6,867.81

利息保障倍數

-

-

375.62

每股淨現金流量（元）

注

0.

69

-

0.12

2.31

每股經營活動產生的現金流量淨

額（元）

注

0.

99

1.24

0.95

註：在計算該等指標時，為保證可比計算口徑，公司股本數量均採用7,590萬股。

（

四

）

管理層討論與分析

1

、公司財務狀況分析

報告期各期末，公司各類資產金額及佔總資產的比例如下：

單位：萬元

項 目

2019年12月31日

2018年12月31日

2017年12月31日

金額

佔比

金額

佔比

金額

佔比

貨幣資金

29,306.33

36.28%

20,221.72

32.75%

22,902.86

49.64%

應收票據

14,938.24

18.49%

12,130.85

19.65%

8,380.86

18.1

6%

應收帳款

10,052.23

12.44%

5,338.78

8.65%

6,542.53

14.18%

預付款項

40.09

0.05%

66.85

0.11%

123.58

0.27%

其他應收款

188.12

0.23%

1,053.96

1.71%

346.53

0.75%

存貨

13,703.00

16.96%

11,124.82

18.02%

5,321.47

11.53%

其他流動資產

1,105.29

1.37%

1,116.93

1.81%

1.70

0.0

0%

流動資產合計

69,333.29

85.82%

51,053.91

82.68%

43,619.52

94.53%

固定資產

9,373.65

11.60%

4,628.40

7.50%

735.48

1.59%

在建工程

342.22

0.42%

4,473.88

7.25%

468.26

1.01%

無形資產

1,286.70

1.59%

1,199.53

1.94%

1,149.87

2.49%

商譽

3.01

0.00%

3.01

0.00%

3.01

0.01%

長期待攤費用

72.75

0.09%

-

-

-

遞延所得稅資

產

358.48

0.44%

132.73

0.21%

108.30

0.23%

其他非流動資

產

15.43

0.02%

257.72

0.42%

57.66

0.12%

非流動資產合

計

11,452.24

14.18%

10,695.26

17.32%

2,522.57

5.47%

資產總計

80,785.53

100.00%

61,749.17

100%

46,142.10

100%

報告期各期末，公司資產總額分別為46,142.10萬元、61,749.17萬元和

80,785.53萬元。其中，流動資產佔總資產的比例分別為94.53%、82.68%和

85.82%，主要由貨幣資金、應收票據及應收帳款、存貨等構成；非流動資產佔總

資產的比例分別為5.47%、17.32%和14.18%，主要由固定資產、在建工程、無形

資產、遞延所得稅資產構成。

報告期各期末，公司主要資產構成及變動情況如下圖所示：

報告期內公司償債能力指標如下所示：

指 標

2019年12月31日

2018年12月31日

2017年12月31日

流動比率

3.

03

3.55

3.99

速動比率

2.

44

2.78

3.50

資產負債率（母公司）

2

8

.

23

%

21.74%

22.92%

指 標

2019年度

2018年度

2017年度

息稅折舊攤銷前利潤

（萬元）

11

,

811.63

16,412.69

6,438.31

利息保障倍數

-

-

375.62

報告期內，公司存貨周轉率、應收帳款周轉率如下：

指 標

2019年度

2018年度

2017年度

存貨周轉率（次）

4.81

5.70

7.12

應收帳款周轉率（次）

9.53

11.43

6.06

2

、公司盈利能力

分析

報告期內，公司營業收入明細情況如下：

單位：萬元

項

目

2

019

度

2018

年度

2017

年度

金額

佔比

金額

佔比

金額

佔比

主營業務收入

77,147.55

99.86%

71,508.23

99.90%

50,329.92

99.91%

其他業務收入

106.14

0.14%

70.80

0.10%

46.06

0.09%

合

計

77,253.69

100.00%

71,579.03

100.00%

50,37

5.98

100.00%

報告期內，公司主營業務收入佔營業收入的比重在

99%

以上，其他業務收入

佔比極低，

公司營業收入、主營業務收入均保持逐年增長。

公司其他業務收入主

要為向客戶提供研究開發服務及出售廢料。報告期內，公司提供研究開發服務的

收入分別為

39.50

萬元

、

44.19

萬元

和

28.66

萬元

，

金額很小

。

公司產品按照產品形式可分為晶片和功率器件兩類

，

按照產品具體內容可分

為溝槽型功率

MOSFET

、屏蔽柵功率

MOSFET

、

超結功率

MOSFET

及其他

。報

告期內，公司

具體產品的收入構成具

體情況如下：

單位：萬元

項

目

具體產品

2

019

年度

2018

年度

2017

年度

金額

佔比

金額

佔比

金額

佔比

晶片

溝槽型功率

MOSFET

15,991.85

20.73%

18,142.10

25.37%

19,163.23

38.08%

屏蔽柵功率

MOSFET

649.68

0.84%

517.22

0.72%

277.01

0.55%

超結功率

MOSFET

3,582.28

4.64%

2,801.14

3.92%

2,026.21

4.03%

其他

22.84

0.03%

2.45

0.

00%

11.86

0.02%

小計

20,246.66

26.24%

21,462.91

30.01%

21,478.31

42.68%

功率器

件

溝槽型功率

MOSFET

30,524.35

39.57%

27,959.68

39.10%

21,188.33

42.10%

屏蔽柵功率

MOSFET

18,202.75

23.59%

15,657.70

21.90%

5,160.77

10.25%

超結功率

MOSFET

7,986.65

10.35%

6,39

5.11

8.94%

2,5

00.30

4.97%

其他

187.14

0.24%

32.83

0.05%

2.20

0.00%

小計

56,900.89

73.76%

50,045.32

69.99%

28,851.61

57.32%

合計

77,147.55

100%

71,508.23

100%

50,329.92

100%

上述產品中，

溝槽型功率

MOSFET

和屏蔽柵功率

MOSFET

主要用於

手機周

邊

、平衡車等消費電子領域以及電動車控制器、電動車大功率充電器等電動車領

域

，

超結功率

MOSF

ET

主要用於

LED

照明、

HI

D

燈等照明領域以及

TV

電源、

伺服器電源等消費電子領域

，

其他類型產品主要用於電動工具、工業電機等工業

電子領域

。

報告期內，公司主營業務

收入按地區分布情況

如下：

單位：萬元

項目

2

019

年度

2018

年度

2017

年度

金額

佔比

金額

佔比

金額

佔比

境內銷售

74,205.11

96.19%

70,515.99

98.61%

47,433.89

94.25%

其中：華東地區

34,686.64

44.96%

34,676.73

48.49%

23,418.40

4

6.53%

華南

地區

37,525.99

48.64%

33,919.40

47.43%

22,211.89

44.13%

其他地區

1,992.49

2.58%

1,919.85

2.68%

1,803.59

3.58%

境外銷售

2,942.43

3.81%

992.24

1.39%

2,896.03

5.75%

其中：東亞地區

2,819.61

3.65%

891.16

1.25%

2,888.43

5.74%

其他地區

122.82

0.16%

10

1.08

0.14%

7.5

9

0.02%

合計

77,147.55

100%

71,508.23

100%

50,329.92

100%

報告期內，公司以內銷為主，外銷為輔，且內銷及外銷收入佔比基本穩定。

其中，公司內銷以華東和華南地區為主，外銷以東亞地區為主

。

報告期內，公司主營業務收入按銷售模式分類情況如下：

單位：萬元

項目

2019年度

2018年度

2017年度

金額

佔比

金額

佔比

金額

佔比

直銷

43,648.90

56.58%

41,524.47

58.07%

33,991

.45

67.54%

經銷

33,498.65

43.42%

29,983.76

41.93%

16,338.47

32.46%

合計

77,147.55

100.00%

71,508.23

100.00%

50,329.92

100.00%

報告期內

，公司直銷收入佔比分別為

67.54%

、

58.07%

和

5

6.58

%

，經銷收入

佔比分別為

32.46%

、

41.93%

和

4

3.42

%

。報告期內，公司以直銷為主

。

報告期內，公司綜合毛利率情況如下表：

項

目

2

019

年度

2018

年度

2017

年

度

綜合毛利率

20.73

%

31.63%

24.69%

主營業務毛利率

20.62

%

31.56%

24.62%

其中：晶片

17.82

%

35.32%

25.45%

功率器件

2

1.61

%

29.94%

24.00%

報告期內，公司主營業務按主要產品類別劃分的毛利率變動情況如下：

2

017

年至

2

018

年

，公司綜合毛利率呈平穩上升態勢。

2017

年及

2018

年

，公

司綜合毛利率增長較大的主要原因為：公司晶片毛利率持續快速上升以及

功率器

件銷售佔比和毛利率均有所提升，引致公司綜合毛利率增長較大。

2

019

年，公司

晶片和功率器件毛利率

均有所下降，引致公司綜合毛利率有所下滑

。

3

、

現金流量分析

報告期內，公司現金流量情況如下：

單位：萬元

項 目

2019年度

2018年度

2017年度

經營活動現金流入小計

76,027.85

70,473.08

54,535.72

經營活動現金流出小計

68,515.19

61,035.31

47,318.62

經營活動產生的現金流量淨額

7,512.66

9,437.76

7,217.11

投資活動現金流入小計

-

-

1,010.91

投資活動現金流出小計

2,237.29

8,331.84

1,751.28

投資活動產生的現金流量淨額

-

2,237.29

-

8,331.84

-

740.37

籌資活動現金流入小計

-

-

12,101.62

籌資活動現金流出小計

-

2,028.76

1,016.86

籌資活動產生的現金流量淨額

-

-

2,028.76

11,084.77

匯率變動對現金及現金等價物的影

響

-

2.10

17.57

-

32.28

現金及現金等價物淨增加額

5,273.28

-

905.26

17,529.22

報告期內，公司現金流量主要數據變動情況如下圖所示：

4

、

未來影響公司財務狀況和盈利能力的因素分析

（1）國家產業政策的扶持

半導體產業是我國支柱產業之一，半導體分立器件行業是半導體產業的重要

組成部分。發展我國半導體分立器件相關產業，提升國內半導體分立器件研發生

產能力是我國成為世界半導體製造強國的必由之路。國家有關部門出臺了《「十三

五」國家戰略性新興產業發展規劃》、《中國製造

2

025

》等多項政策為半導體分立

器件行業的發展提供了政策保障，明確了發展方向。此外，《戰略性新興產業重點

產品和服務指導目錄》等多項政策亦明確

了電力電子功率器件的地位和範

圍，提

出了要重點發展

MOSFET

和

IGBT

功率器件的要求。國家相關政策的出臺有利於半

導體分立器件行業市場規模的增長，並進一步促進了半導體分立器件行業健康、

穩定和有序的發展

。

（2）所得稅政策

公司為經江蘇省科技廳、江蘇省財政廳、江蘇省國稅局和江蘇省地稅局聯合

認定的高新技術企業。根據《中華人民共和國企業所得稅法》規定，「國家需要重

點扶持的高新技術企業，減按

15

%

的稅率徵收企業所得稅」。報告期內，公司所得

稅稅率減按

15

%

執行。根據目前的經營狀況及發展趨勢，公司具備維繫高新技術

企業資格

的各項條件

。

（3）研發能力

公司為國內領先的半導體功率器件設計企業之一，2016年至2019年連續四年

名列「中國半導體功率器件十強企業」。公司是江蘇省科技廳、財政廳、國稅局、

地稅局聯合認定的高新技術企業，且為中國半導體行業協會會員、中國電源學會

理事單位。公司亦為江蘇半導體行業協會2017年度先進會員單位，已建立了江蘇

省功率器件工程技術研究中心、江蘇省企業研究生工作站、東南大學-無錫

新潔能

功率器件技術聯合研發中心。公司參與的「智能功率驅動晶片設計及製備的關鍵

技術與應用」項目已獲得2019年度江蘇省科學技術一等獎，並獲得2020年度國家

技術發明獎提名且已經通過初評。自成立以來，公司始終專注於半導體功率器件

行業，具備獨立的MOSFET和IGBT晶片設計能力和自主的工藝技術平臺。公司新

產品開發能力強，產品導入市場速度快，已經掌握了屏蔽柵功率MOSFET、超結

功率MOSFET、IGBT等特色工藝技術，並形成了具有自主智慧財產權的核心技術體

系。公司是國內率先量產全球先進技術的屏蔽柵功率MOSFET及超結功率

MOSFET的公司之一，是國內最早同時擁有溝槽型功率MOSFET、超結功率

MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT四大產品平臺的本土企業之一。截至2020

年1月19日，公司已擁有97項專利，其中發明專利35項。此外，公司參與在IEEE

TDMR等國際知名期刊中發表論文13篇，其中SCI收錄論文7篇。公司與科研院所

在功率器件設計領域開展長期合作，針對重點項目成立了技術攻關小組，以全力

推進高端功率MOSFET和IGBT晶片及模塊的研發與產業化，並且持續布局

SiC/GaN寬禁帶半導體功率器件的前沿領域，緊跟最先進的技術梯隊，提升公司

核心產品競爭力。

（4）公司股票發行上市的影響

本次公開發行募集資金到位後，將進一步增大公

司的資產規模，優化產品結

構，

強化規模效應，降低生產成本；有助於改善公司的法人治理結構和管理水平，

提高公司知名度和影響力，進一步提高公司盈利水平，從而全面提升公司的綜合

競爭實力和抗風險能力

。

（

五

）

股利分配政策

1、股利分配一般政策

公司股票全部為普通股，每股享有同等權益，實行同股同利的分配政策，按

各股東持有股份的比例派發股利

。

2、報告期股利分配情況

2015

年

4

月

21

日，

新潔能

召開

2015

年第一次臨時股東大會，決議以

2014

年度末

總股本

1,000.00

萬股為基數，每

10

股派發股票紅利

7.2

股，共計

720.

00

萬股。

2018

年

5

月

1

4

日，

新潔能

召開

2017

年度股東大會，決議以

2,530.00

萬股總股本

為基數，以股票發行溢價形成的資本公積向全體股東以每

10

股轉增

20

股。

2018

年

9

月

12

日，

新潔能

召開

2018

年第一次臨時股東大會，決議以未分配利潤

向全體股東每

10

股派發現金紅利

2.64

元（含稅）

。

3、發行前滾存利潤的安排

根據公司

2018

年

11

月

19

日通過的

2018

年第三次臨時股東大會決議：為兼

顧新老股東利益，在公司首次公開發行股票完成後，由本公司新老股東按持股比

例共同享有本次首次公開發行股票前的滾存利潤

。

4

、發行後的股利分配政策

根據公司

2

018

年第

三

次臨時股東大會審議通過的上市後適用的《公司章程

（草案）》，公司發行上市後，股利分配政策主要內容如下：

「（一）公司利潤分配原則

公司的利潤分配政策應重視對投資者的合理投資回報，利潤分配政策將保持

連續性和穩定性。公司的利潤分配不得超過累計可分配利潤的範圍，不得損害公

司持續經營能力。

（二）利潤分配形式

公司可以採取現金、股票或兩者相結合的方式分配股利，現金分紅優先於其

他分紅方式。具備現金分紅條件的，應當採用現金分紅進行利潤分配。採用股票

股利進行利潤分配的，應當具有公司成長性、每股淨資產的攤薄等真實合理因素。

（三）現金分紅條件

公司實施現金分紅一般應同時滿足以下條件：

1、公司未分配利潤為正、該年度實現盈利且該年度實現的可分配利潤（即

公司彌補虧損、提取公積金後的稅後利潤）為正，現金分紅後公司現金流仍然可

以滿足公司正常生產經營的需要；

2、審計機構對公司該年度財務報告出具標準無保留意見的審計報告（中期

現金分紅無需審計）。

3、公司未來十二個月內無重大對外投資計劃或重大現金支出（公司首次公

開發行股票或再融資的募集資金投資項目除外）。重大投資計劃或重大現金支出

是指：公司未來十二個月內擬建設項目、對外投資、收購資產或者購買設備的累

計支出達到或者超過公司當年實現的母公司可供分配利潤的50%且超過5000萬元

人民幣。

（四）現金分紅的比例和間隔：

公司原則上每年進行一次現金分紅，公司每年以現金方式分配的利潤不少於

當年實現的可分配利潤的20%，公司董事會可以根據公司的盈利狀況及資金需求

提議進行中期現金分紅。

公司董事會應當綜合考慮公司所處行業特點、發展階段、自身經營模式、盈

利水平以及是否有重大資金支出安排等因素，區分下列情形，並按照本章程規定

的程序，提出差異化的現金分紅政策：

1、公司發展階段屬成熟期且無重大資金支出安排的，進行利潤分配時，現

金分紅在本次利潤分配中所佔比例最低應達到80%；

2、公司發展階段屬成熟期且有重大資金支出安排的，進行利潤分配時，現

金分紅在本次利潤分配中所佔比例最低應達到40%；

3、公司發展階段屬成長期且有重大資金支出安排的，進行利潤分配時，現

金分紅在本次利潤分配中所佔比例最低應達到20%；

公司發展階段不易區分但有重大資金支出安排的，可以按照前項規定處理。

重大資金支出安排是指：公司未來十二個月內擬建設項目、對外投資、收購資產

或者購買設備的累計支出達到或者超過公司當年實現的母公司可供分配利潤的

50%且超過5000萬元人民幣。

（五）發放股票股利的條件

在保證公司股本規模和股權結構合理的前提下，基於回報投資者和分享企業

價值考慮，公司可以發放股票股利，具體方案需經公司董事會審議後提交公司股

東大會批准。

（六）利潤分配的決策機制和程序

1、董事會審議利潤分配需履行的程序和要求：公司在進行利潤分配時，公

司董事會應當先制定預分配方案，並經獨立董事認可後方能提交董事會審議；董

事會審議現金分紅具體方案時，應當認真研究和論證公司現金分紅的時機、條件

和比例、調整的條件、決策程序等事宜，獨立董事應當發表明確意見。利潤分配

預案經董事會過半數以上表決通過，方可提交股東大會審議。

2、股東大會審議利潤分配方案需履行的程序和要求：股東大會對現金分紅

具體方案進行審議時， 應當通過多種渠道主動與股東特別是中小股東進行溝通和

交流 （包括但不限於提供網絡投票表決、邀請中小股東參會等方式），充分聽取

中小股東的意見和訴求，並及時答覆中小股東關心的問題。

（七）利潤分配政策調整的決策機制與程序

1、公司根據生產經營情況、投資規劃和長期發展的需要，或者外部經營環

境發生變化，確需調整利潤分配政策的，調整後的利潤分配政策不得違反中國證

監會和證券交易所的有關規定。

2、有關調整利潤分配政策的議案由董事會制定，並分別經監事會和二分之

一以上獨立董事認可後方能提交董事會審議，獨立董事應當對利潤分配政策調整

發表獨立意見。

3、調整利潤分配政策的議案應分別提交董事會、股東大會審議，在董事會

審議通過後提交股東大會批准，公司應安排通過證券交易所交易系統、網際網路投

票系統等網絡投票方式為社會公眾股東參加股東大會提供便利。股東大會審議調

整利潤分配政策的議案需經出席股東大會的股東所持表決權的2/3以上通過。

公司獨立董事可在股東大會召開前向公司社會公眾股股東徵集其在股東大會

上的投票權，獨立董事行使上述職權應當取得全體董事的二分之一以上同意。」

（

六

）

公司控股子公司、參股子公司基本情況

截至本招股書籤署日，公司擁有

新潔能

香港、電基集成2家全資子公司以及

新潔能

深圳分公司、

新潔能

寧波分公司2家分公司，無參股子公司。具體情況如下：

1、

新潔能

香港

公司名稱

新潔能

功率半導體（香港）有

限公司

成立時間

2010

年

7

月

6

日

註冊資本

51.00

萬美元

實收資本

6.10

萬美元

註冊地址

香港皇后大道中

181

號新紀元廣場（低座）

1501

室

經營範圍

電力電子元器件

的研發、生產、銷售；集成電路的研發、銷售和貿

易

股東構成

股東名稱

股權比例

新潔能

100.00%

合計

100.00%

主要財務數據（萬元）

（已經申報會計師審

計）

2019

年

12

月

3

1

日

2018

年

12

月

3

1

日

總資產

61.97

總資產

62.27

淨資產

61.97

淨資產

62.27

2019

年度

2018

年度

淨利潤

-

0.30

淨利潤

5.52

2、電基集成

公司名稱

無錫電基集成科技有限公司

成立時間

2017

年

3

月

21

日

註冊資

本

12,000.00

萬元

實收資本

12,000.00

萬元

註冊地址

無錫市新吳區研發二路以南、研發一路以東

經營範圍

電子元器件、電力電子元器件及半導體模塊產品及其它電子產品的

設計、製造、銷售；集成電路及其它電子產品的研發、設計、技術

轉讓、技術服務、製造、銷售；計算機軟體的研發、技術轉讓；環

境保護專用設備的製造、銷售；自營和代理各類商品及技術的進出

口業務（國家限定企業經營或禁止進出口的商品和技術除外）。（依

法須經批准的項目，經相關部門批准後方可開展經營活動）

股東構成

股東名稱

股權比例

新潔

能

100.00%

合計

100.00%

主要財務數據（萬元）

（已經申報會計師審

計）

2019

年

12

月

31

日

2018

年

12

月

31

日

總資產

13,157.51

總資產

13,368.84

淨資產

11,762.76

淨資產

11,946.87

2019

年度

201

8

年度

淨利潤

-

184.1

1

淨利潤

-

44.70

3、

新潔能

深圳分公司

公司名稱

無錫

新潔能

股份有限公司深圳分

公司

成立時間

2013

年

12

月

4

日

統一社會信用代碼

914403000846106229

營業場所

深圳市寶安區西鄉街道西鄉大

道與前進二路交匯處美蘭商務中心

802

經營範圍

電力電子元器件、集成電路、電子產品的研發、設計、技術轉讓、

技術服務、銷售；計算機軟體的研發、技術轉讓；利用自有資產對

外投資；自營和代理各類商品及技術的進出口業務（法律、行政法

規、國務院決定禁止的項目除外，限制的項目須取得許可後方可經

營）。環境保護專用設備的製造、銷售。

4、

新潔能

寧波分公司

公司名稱

無錫

新潔能

股份有限公司寧波分

公司

成立時間

201

9

年

10

月

1

0

日

統一社會信用代碼

91330212MA2GU7ACX6

營

業場所

浙江省寧波市鄞州區實

怡中心

8

幢

26

號

10

-

6

經營範圍

電力電子元器件、集成電路、電子產品的研發、設計、技術轉讓、

技術服務、銷售；計算機軟體的研發、技術轉讓；環境保護專用設

備銷售；自營和代理各類商品及技術的進出口業務（國家限定企業

經營或禁止進出口的商品和技術除外）。（依法須經批准的項目，經

相關部門批准後方可開展經營活動）

第四節

募集資金運用

根據

2

018

年

1

1

月

1

9

日通過的

2

018

年第三次臨時

股東大會

決議，公司擬申請向

社會公開發行人民幣普通股

A

股，發行數量為不超過

2

,

530

.

00

萬股。募集

資金總額

將根據市場情況和向詢

價對象的詢價情況確定。

根據股東大會的授權，

2020

年

6

月

2

日經公司第三屆董事會第八次會議

及

2

020

年

7

月

3

1

日經公司第三屆董事會第

九

次會議

審議通過，對本次投資項目的募集資金使用金額進行

調整

。

本次發行

A

股募集資金計劃全部用於以下與主營業務相關的項目：

單位：萬元

序

號

項目名

稱

投資總額

募集資金使

用金額

1

超低能耗高可靠性半導體功率器件研發升級及產業化

48

,

118

.

04

20,000.00

2

半導體功率器件封裝測試生產線建設

32

,

014

.

90

20,000.00

3

碳化矽寬禁帶半導體功率器

件研發及產業化

11

,

419

.

27

-

4

研發中心建設

5

,

501

.

86

4

,

8

98.

80

5

補充流動資金

5

,

000

.

00

-

合

計

102

,

054

.

07

4

4

,

8

98.

80

在本次公開發行股票募集資金到位前，公司將根據項目進度的實際情況，暫

以自有資金或負債方式籌集資金，先行投入。本次發行股票募集資金到位後，再

予以置換。如本次發行的實際募集資金量少於投資項目資金需求量，公司將

通過

銀行貸款和其他自籌資金

解決。

一、

超低能耗高可靠性半導體功率器件研發升級及產業化項

目

本項目位於

無錫新吳區，研發

一路以東，研發二路以南地

塊

。

項目

旨在對公

司現有產品升級換代，開發新一代超低能耗高可靠性半導體功率器件，突破超低

能耗功率器件設計技術門檻，打破國外產品在高端應用領域的壟斷地位

。

本項目總投資額為

48

,

118

.

04

萬元，

具體投資構成如下：

單位：萬元

序號

項目

投資額

佔比

第一年

第二年

第三年

1

固定資產投資

6

,

094

.

60

12

.

67

%

3

,

689

.

40

2

,

405

.

20

-

1.1

設備投資

5

,

764

.

60

11

.

98

%

3

,

359

.

40

2

,

405

.

20

-

1.2

土建投資

330

.

0

0

0

.

69

%

330

.

00

-

-

2

研發費用

33

,

782

.

29

70

.

21

%

7

,

067

.

47

11

,

353

.

53

15

,

361

.

29

2.1

開發費用

1

,

182

.

00

2

.

46

%

198

.

00

442

.

00

542

.

00

2.2

試製費用

25

,

486

.

30

52

.

97

%

5

,

394

.

91

8

,

548

.

49

11

,

542

.

90

2.3

封裝測試費用

6

,

763

.

99

14

.

06

%

1

,

424

.

56

2

,

263

.

03

3

,

076

.

39

2.4

IP core

350

.

00

0

.

73

%

5

0

.

00

100

.

00

200

.

00

3

軟體投資

1

,

120

.

00

2

.

33

%

1

,

120

.

00

4

鋪底流動資金

7

,

121

.

15

14

.

80

%

2

,

373

.

72

2

,

373

.

72

2

,

373

.

72

合 計

48

,

118

.

04

100

.

00

%

14

,

250

.

59

16

,

132

.

44

17

,

735

.

01

項目建設期為

36

個月，運營期為

T

+

1

期至

T

+

10

期。根據規劃，項目建成後，

運營期

T+1

期部分開發產品陸續正式投產，

T+1

期達到設計產能的

40%

，

T+2

期產

能達

到

8

0%

，

T+3

期完全達產

。

根據可行性研究報告，在各項經濟因素與可行性研

究報告預期相符的前提下，本項目的經濟效益評價指標測算結果如下：

指標名稱

指標值

年平均銷售收入（萬元）

83

,

144

.

45

年平均利潤總額（萬元）

7

,

491

.

05

年平均上繳所得稅（萬元）

1

,

123

.

66

年平均稅後利潤（萬元）

6

,

367

.

39

年總投資收益率

15

.

57

%

所得稅前

所得稅後

內部收益率

2

4

.

15

%

2

1

.

19

%

財務淨現值（ic=10%）（萬元）

2

4

,

729

.

48

1

8

,

920

.

37

投資回收期（含建設期)

5

.

74

6

.

15

二、半導體功率器件封裝測試生產線建設項目

本項目位於

無錫新吳區，研發一路以東，研發二路以南地

塊

。

主要建設內容

包括

：

針對公司現有的封裝形式（

DPAK/SOT/TO

）進行產業鏈延伸；

TO

-

247/TO

-

3P

IGBT

及大功率

MOSFET

晶片封裝；

低熱阻

SOP

-

8

封裝的產業化；

基於

Cu

-

Clip

工藝

技術，實現高功率密度低功耗器件封裝；晶片封裝集成器件及大功率模塊的研發

和封裝產業化

。

本項目總投資額為

32

,

014

.

90

萬元，

具體投資構成如下：

單位：萬元

序號

項目

投資額

佔比

第一年

第二年

1

固定資產投資

29

,

319

.

40

91

.

58

%

20

,

671

.

40

8

,

648

.

00

1.1

設備投資

25

,

482

.

00

79

.

59

%

16

,

834

.

00

8

,

648

.

00

1.2

土建投資

3

,

837

.

40

11

.

99

%

3

,

837

.

40

-

2

軟體投資

255

.

00

0

.

80

%

-

255

.

00

3

鋪底流動資金

2

,

440

.

50

7

.

62

%

1

,

220

.

25

1

,

220

.

25

合 計

32

,

014

.

90

100

.

00

%

21

,

891

.

65

10

,

123

.

25

項目建設期為

18

個

月，運營期為

T

+

1

期至

T

+

10

期。

運營期

T+1

期公司開始正

式投產，產能利用率為

40%

，

T+2

期為

80%

，

T+3

到

T+10

期

100%

完全達產

。

根據

可行性研究報告，在各項經濟因素與可行性研究報告預期相符的前提下，本項目

的經濟效益評價指標測算結果如下：

指標名稱

指標值

年平均銷售收入（萬元）

2

8

,

494

.

62

年平均利潤總額（萬元）

5

,

107

.

24

年平均上繳所得稅（萬元）

1

,

276

.

81

年平均稅後利潤（萬元）

3

,

830

.

42

年總投資收益率

1

5

.

95

%

所得稅前

所得稅後

內部收益率

1

6

.

52

%

1

2

.

45%

財務淨現值（ic=10%）（萬元）

10

,

670

.

81

3

,

893

.

75

投資回收期（含建設期）

6

.

61

7

.

61

三、

碳化矽寬禁帶半導體功率器件研發及產業化項目

本項目位於

無錫新吳區，研發一路以東，研發二路以南地

塊

。

本項目是基於

寬禁帶半導體碳化矽材料的功率器件研發及產業化，

包括

SiC

SBD

（肖特基二極

管）及

SiC

MOSFET

兩類產品。本項目的實施旨在突破高壓

SiC

功率器件關鍵技術，

重點針對碳化矽二極體浪湧電流能力提升技術、碳化矽二極體

雪崩耐量提升技術、

溝槽底部氧

化層峰值電場抑制技術、器件終端邊緣電場疏導技術

進行研發。

開發

碳化矽功率器件，打破國外產品在碳化矽寬禁帶半導體功率器件技術壟斷，實現

我國碳化矽功率器件的國產化。

本項目總投資額為

11

,

419

.

27

萬元

，具體投資構成如下：

單位：萬元

序號

項目

投資額

佔比

第一年

第二年

第三年

1

固定資產投資

767

.

75

6

.

72

%

426

.

65

341

.

10

-

1.1

設備投資

497

.

75

4

.

36

%

156

.

65

341

.

10

-

1.2

土建投資

270

.

00

2

.

36

%

270

.

00

-

-

2

研發費用

9,561.85

83.73%

1,667.62

2,850.19

5,044.04

2.1

開發費用

848.00

7.43%

224.00

312.00

312.00

2.2

試製費用

8,158.19

71.44%

1,345.55

2,374.71

4,437.93

2.3

封裝測試費用

355.67

3.11%

58.07

103.48

194.11

2.4

IP core

200.00

1.75%

40.00

60.00

100.00

3

軟體投資

280.00

2.45%

280.00

-

-

4

鋪底流動資金

809.67

7.09%

269.89

269.89

269.89

合計

11

,

419

.

27

100

.

00

%

2

,

644

.

16

3

,

461

.

18

5

,

313

.

93

項目建設期為

36

個月，即為

T

+

1

期至

T

+

3

期。根據規劃，項目建設期公司將完

成

SiC

SBD

及

SiC

MOSFET

系列產品的研發。同時，

T

+

1

期部分開發產品陸續正式

投產，

T

+

1

期達到設計產能的

4

0

%

，

T

+

2

期產能達到

80

%

，

T

+

3

期完全達產。

根據

可行性研究報告，在各項經濟因素

與可行性研究報告預期相符的前

提下，本項目

的經濟效益評價指標測算結果如下：

指標名稱

指標值

年平均銷售收入（萬元）

9

,

541

.

13

年平均利潤總額（萬元）

8

55

.

04

年平均上繳所得稅（萬元）

1

28

.

26

年平均稅後利潤（萬元）

7

26

.

78

年總投資收益率

7

.

49

%

所得稅前

所得稅後

內部收益率

16

.

64

%

1

4

.

74

%

財務淨現值（ic=10%）（萬元）

1

,

901

.

29

1

,

304

.

56

投資回收期（含建設期)

7

.

06

7

.

36

四、

研發中心建設項目

本項目位於

無錫

新吳區，研發一路以東，研發二

路以南地塊

。

項目旨在完善

和加強公司在半導體功率器件領域的綜合技術研發能力與項目產業化能力，依託

公司研發中心，充分調動產業鏈核心技術資源，創新開發功率器件領域的新技術、

新產品，打破國際大廠在高端功率器件上的長期壟斷地位

。

研發中心

計劃

開展的

主要

研發項目有：高能效高可靠性電機驅動系統中功率器件的研發與產業化

、低

能耗大功率

MOSFET

模塊的研發及功率器件綜合實驗室的升級

。

項目總投資為

5

,

501

.

86

萬元，

具體投資構成如下：

單位：萬元

序號

項目

投資額

佔比

第一年

1

固定資產投資

5,335.86

96.98%

5,335.86

1.1

設備投資

4

,

870

.

86

88

.

53

%

4

,

870

.

86

1.2

土建投資

465

.

00

8

.

45

%

465

.

00

2

軟體投資

166.00

3.02%

166.00

合 計

5,501.86

100.00%

5,501.86

本項目實施後，雖不產生直接的經濟效益，但研發中心的建設將提升公司整

體研發實力、提高核心競爭力，研發實力的提升可增強客戶對公司的信任度，進

一步強化公司的品牌優勢，擴大市場份額，實現公司長遠的戰略目標。

五、補

充流動資金項目

報告期內，公

司發展迅速，經營規模呈現快速增長趨勢。

2016

年至

2018

年，

公司分別實現營業收入

42,211.51

萬元、

50,375.98

萬元和

71,579.03

萬元，年複合

增長率達到

30.22%

。在國家半導體產業政策大力支持以及下遊市場需求持續增長

的背景下，預計未來公司經營規模仍將保持快速增長的趨勢。公司資產主要以流

動資產為主，公司日常經營較多涉及現款支付，折舊、攤銷類的非現金支出相對

較少。因此，公司需要保持較高水平的流動資金用於新產品技術研發、人才引進、

原材料採購、市場銷售等環節，以保持公

司的競爭優勢和行業領先地位，

推動公

司業務可持續發展

。

通過補充流動資金，公司可進一步優化財務結構，防範經營風險，保證公司

業務的順利開展，有利於公司擴大業務規模，提高公司的綜合競爭力，為公司未

來可持續發展創造寬鬆的資金環境和良好的融資條件

。

第五節

風險因素和其他重要事項

一、風險因素

（一）市場風險

1

、市場波動風險

半導體分立器件作為基礎性電子元器件

,

為國民經濟的多個領域所必不可缺

,

因此半導體分立器件行業的下遊分布極為廣泛。廣泛的下遊應用領域提升了公司

應對單一市場波動風險的能力，但半導體分立器件行業與

宏觀經濟的整體發展的

景氣程度

密切相關，國內經濟整體增速放緩及中美貿易摩擦等因素通過對下遊行

業的生產經營產生不利影響進而傳導至半導體分立器件行業。如果宏觀經濟波動

較大或長期處於低谷，半導體分立器件行業的市場需求也將隨之受到影響；下遊

行業的波動和低迷會導致對半導體分立器件的需求下降、價格敏感性提高。雖然

近幾年全球半導體分立器件市場保持穩步增長，且亞洲地區特別是中國市場規模

增幅巨大，但是如果由於中美貿易摩擦等因素引致下遊市場整體持續波動、全球

經濟或國內經濟發生重大不利變化，將對半導體分立器件行業及公司等行業內企

業

的經營業績造成不利影響

。

2

、行業競爭風險

近年來隨著我國消費電子、汽車電子、工業電子等多個行業的蓬勃發展以及

新

能源汽車

/

充電樁、智能裝備製造、物聯網、光伏

新能源

等新興領域凸起，國內

對半導體分立器件的需求迅速擴大，直接拉動了行業的快速發展，也吸引了國內

外企業進入到行業內，市場競爭日趨激烈。

一方面，

國內半導體分立器件企業不

斷增加，且部分企業不斷通過技術升級等措施提高競爭力；另一方面，國外優秀

的半導體分立器件企業進入國內搶佔市場份額。在日趨激烈的市場競爭環境下，

如果公司不能持續進行技術升級、提高產品性能、降低產

品成本以及優化營銷網

絡，則很

可能在未來的市場競爭中喪失優勢，從而對公司持續盈利造成不利影響

。

3

、產品替代風險

半導體分立器件行業屬於技術密集型行業，具有技術和產品更新換代速度較

快的特點。半導體分立器件下遊應用領域

日新月異，產品的形態、功能以及

差異

化

需求在短時間內都可能發生很大變化，

這都導致半導體分立器件

產品生命周期

越來越短

，替代現象日趨顯現。未來，隨著新材料的應用和新技術的不斷突破，

在滿足經濟性條件下，新一代的半導體分立器件產品將可能出現，並對現有的產

品形成一定衝擊。如果公司不能持續緊跟行業發展前沿並進行

技術升級換代、研

發適應行業和

市場的產品，則公司存在產品被替代的風險，從而失去持續經營能

力

。

4

、採購價格波動風險

晶片代工和封測服務為公司主要的採購內容，佔產品成本的比重較大。晶片

代工和封測服務價格的波動將對公司的經營業績產生一定影響。晶片代工價格一

方面受到矽晶圓材料價格和製造成本、人工成本影響，另一方面則受到晶片代工

企業投資規模和產能影響；封測服務價格受到原材料價格和人工成本等影響。報

告期內，公司與國內主要的晶片代工企業和封裝測試企業建立了較為緊密的合作

關係，對其採購價格在一定區間內合理波動，且公司亦能夠

通過適度調整產品結

構和價格、

產品技術升級等方式進行應對。但是，如果晶片代工和封測服務的市

場價格持續大幅上漲、而公司無法採取有力措施進行應對，則將對公司盈利能力

造成不利影響

。

（二）運營風險

1

、供應商依賴

的風險

公司是半導體專業化垂直分工企業，晶片代工及封裝測試環節主要通過向供

應商採購。公司擁有涵蓋了華虹宏力、華潤上華、中芯集成等國內少數幾家具備

MOSFET

、

IGBT

等

8

英寸半導體晶片代工能力的本土晶片代工供應商，並不斷

拓展韓國等地區的晶片代工供應渠道。而在封裝測試環節，公司主要與

長電科技

（

600584

）、

安靠技術（

Amkor

）、通富

微電（

002156

）等全球領先的封裝測試企

業合作，一定程度上也保證了公司產品的領先性。由於半導體行業垂直分工的特

殊性，專注於晶片設計環節的企業在選擇供應商後一般不會輕易更換；同樣，芯

片代工及封裝測試企業如若更換客戶則需重新調整產線、設備技術參數、產能排

期等，這將形成較大的更換成本。因此，雙方在一定程度上相互依賴。如果公司

主要供應商產能嚴重緊張或者雙方關係惡化，則可能導致公司產品無法及時、足

量供應，進而對公司的經營業績產生不利影響

。

2

、供應鏈管理不善風險

半導體分立器件行業高度分

工協作，產業鏈包括晶片設計、

晶片製造、封裝

測試、對外銷售等環節，各個環節相互依存、高度相關。行業內企業根據分工不

同採用垂直一體化或垂直分工模式，其中部分垂直分工模式的企業主要負責晶片

設計研發和銷售環節，而將晶片製造、封裝測試環節主要委託給專業代工廠商完

成，因此，其產品質量、交貨時間、生產能力等都與產業鏈其他環節緊密相關。

公司為專業化垂直分工企業，與行業內優秀的晶片製造和封裝測試廠商建立了長

期、穩定的合作關係。公司建成封裝測試產線，實現少部分功率器件的自主生產，

公司不斷加強生產環節的質量、成本管控，保障產品的

品質。但是，如果公司對

供應鏈

及生產環節管理不善，導致產品質量、交付及時性等出現問題，則會影響

公司產品銷售和品牌聲譽，對公司的經營造成不利影響

。

3

、新產品開發風險

公司銷售的產品按照是否封裝可以分為晶片和功率器件，按照功能分類已形

成

溝槽型功率

MOSFET

、超結功率

MOSFET

、屏蔽柵功率

MOSFET

、絕緣柵雙

極型電晶體（

IGBT

）以及功率模塊等多品類產品系列，

且

MOSFET

等產品系列

較為全面。公司在現有產品的基礎上，仍緊跟半導體分立器件行業發展前沿，以

國際一流企業的最新技術和產品為標杆，以下遊市場需求為導向

，不斷進行新產

品的開發。但是

，半導體功率器件新產品的研發往往需要一定的時間周期，需要

投入較多的人力成本和資金成本，且面臨較大的失敗風險，或者開發的新產品尚

不具備商業價值，可能導致前期的各項成本投入無法收回，從而影響公司經營業

績

。

4

、產品質量控制風險

半導體分立器件屬於基礎性電子元器件，為下遊產品的核心部件之一。半導

體分立器件的下遊產品對性能要求嚴格，電子元器件質量出現問題將對下遊客戶

的銷售和品牌產生不利影響。因此，半導體分立器件下遊行業對器件的質量非常

重視，往往在採購前和合作過程中均需反覆驗證和測試。公司

始終將產品質量控

製作為持續發

展的重要基礎之一，建立了較為健全的質量控制體系，並在各個環

節嚴格把控，產品質量整體保持穩定。但是，半導體分立器件技術和工藝複雜，

在不同環節很可能由於多種因素導致產品質量不佳或性能下降，從而導致質量糾

紛，影響公司的市場地位和品牌影響力

。

5

、

經營模式風險

公司主要採用

Fabless

經營模式，專注於

MOSFET

、

IGBT

等半導體晶片和功

率器件的研發設計及銷售環節，晶片主要由公司設計方案後交由晶片代工企業進

行生產，功率器件主要由公司委託外部封裝測試企業對晶片進行封測代工而成，

儘管

公司已

初步完成先進封裝測試生產線的

建設，將少部分晶片自主封裝後對外

銷售。由於公司本身不具備晶片製造能力以及封裝測試生產線規模相對較小，芯

片製造、封裝測試環節仍需依託晶片代工企業和外部封裝測試企業。為保證公司

產品供應環節的穩定，公司已與多家具有雄厚實力的晶片代工企業和封裝測試企

業建立了長期穩定的合作關係。但在半導體分立器件行業生產旺季，可能會存在

晶片代工企業和封裝測試企業產能不足，不能完全保證公司產品及時供應的風險。

（三）技術風險

1

、技術升級

的風險

半導體分立器件行業為技術密集型行業，行業競爭的關鍵在於新技術、

新產

品的競爭。新技術、新產品

的研發及產業化應用周期長、投入大，且新產品量產

後，還面臨著產品更新換代速度快、產品不能滿足市場需求變化的風險。公司擁

有高素質的技術研發團隊，並與科研院所在半導體功率器件設計領域開展長期合

作。公司還成立了技術研發小組專門從事新技術和新產品的研發，並依據行業技

術發展趨勢、市場動態以及客戶需求確定公司的研發規劃和具體措施。但是，如

果公司的新技術、新工藝的研發未能持續升級換代，新產品的產業化未能保持市

場領先地位，將會對公司的市場競爭和經營產生不利的影響

。

2

、技術人才流失風險

研發設計能

力是半導體分立器件企業競爭力

的核心之一，其主要來源於企業

的研發技術人才，因此半導體分立器件產業的快速發展對專業技術人才產生了巨

大的需求。公司在產品技術升級、新產品推出、產品的售後服務等方面高度依賴

於公司的研發團隊。自成立以來，公司已培養和引進了一批高素質研發人才，並

通過實施股權激勵、籤訂保密協議等多項激勵和約束機制，以維繫研發團隊穩定。

但是，如果公司核心研發人員大量流失，公司的研發能力、新產品開發及持續盈

利能力將受到一定的影響，並可能給公司帶來新的競爭對手

。

（四）財務風險

1

、毛利率下降的風險

2017

年

至

201

9

年

，公司綜合毛利率

分別為

24.69%

、

31.63%

和

20.73%

。

201

7

年至

2018

年，

受益於下遊市場需求的持續增長，積極拓展毛利率較高的下遊應用

行業，大力開發新產品和新技術，積極開拓龍頭客戶從而提升公司品牌影響力和

市場美譽度，公司綜合毛利率保持穩定上升的趨勢。2

019

年

，受中美貿易摩擦及

國內市場競爭有所加劇等因素影響，公司晶片和功率器件毛利率有所下降。

半導

體分立器件企業的經營業績受產品技術水平、市場競爭情況、下遊市場需求等因

素影響較大，如果未來公司產品技術優勢減弱、市場競爭加劇、市場供求形勢出

現重大不利變化、採購成本持續提高或者出現產品銷售價格持續下降等情況，將

導致公司綜合毛利率下降。

2

、應收帳款回收風險

報告期各期末，公司應收帳款

餘

額分別為

6,903.92

萬元、

5,620.98

萬元和

10,588.73

萬元

，佔營業收入的比例分別為

13.70%

、

7.85%

和

13.71%

。雖然報告期

各期末公司應收帳款帳齡結構良好，一年以內帳齡的應收帳款佔比超過99%，與

同行業可比上市公司相比，公司應收帳款佔營業收入比例較低、應收帳款周轉率

較高，發生壞帳損失的風險較小，且公司已制訂合理的壞帳計提政策並有效執行，

但若

公司下遊客戶經營不利或由於其

他原因導致無法按期支付貨款，公司存在因

貨款回收不及時、應收帳款金額增多、應收帳款周轉率下降引致的風險

。

3

、存貨跌價風險

報告期各期末，公司存貨淨額分別為5,321.47萬元、11,124.82萬元和13,703.00

萬元，佔總資產的比例分別為11.53%、18.02%和16.96%。隨著公司業務規模的

擴大，存貨餘額也會進一步上升。公司產品技術更新換代速度較快，如果未來出

現由於公司未及時把握下遊行業變化或其他難以預計的原因導致存貨無法順利實

現銷售，且其價格出現迅速下跌的情況，將增加計提存貨跌價準備的風險，對公

司經營業績及經營現金流產生不利影響。

4

、所得稅優惠政策變動的風險

公司於

2017

年

11

月

17

日通過了高新技術企業覆審，取得了《高新技術企業

證書》（證書編號：

GR201732001619

）。根據財政部和國家稅務總局發布的《關於

實施高新技術企業所得稅優惠有關問題的通知》（國稅函

[2009]203

號），公司享受

高新技術企業的所得稅優惠政策，報告期內企業所得稅實際執行稅率為

15%

。雖

然國家稅收優惠政策具備持續性，但未來如果上述稅收優惠政策發生變化，或者

本公司不再具備享受相應稅收優惠的

資質，則將對公司的經營業績帶

來較大的不

利影響

。

（五）募集資金投資項目風險

1

、募集資金投資項目實施風險

公司本次募集資金投資項目主要包括「超低能耗高可靠性半導體功率器件研

發升級及產業化」、「半導體功率器件封裝測試生產線建設」、「碳化矽寬禁帶半導

體功率器件研發及產業化」和「研發中心建設」等。本次募集資金投資項目以國

家產業政策為基礎，充分把握半導體分立器件行業發展趨勢而確定。上述募投項

目的實施，有利於公司把握行業發展趨勢，進一步鞏固公司現有業務和培育新的

業績增長點，有效提升公司的技術研發實力和市場競爭力。但是

，本次募投項目

的實施，公司仍

然面臨來自市場變化、技術替代、宏觀經濟波動、募投項目管理

等多方面的挑戰和不確定性，因此公司存在無法如期完成募投項目或者項目投資

收益不達預期的風險

。

2

、新增折舊攤銷費用影響業績的風險

公司的固定資產和無形資產整體規模較小。本次募投項目計劃新增設備投入

和生產場地投入，未來將引致公司資產總額增長幅度較高。隨著新增固定資產和

無形資產規模的擴大，募投項目投產後，資產折舊攤銷會出現較快增長。儘管公

司募投項目新增銷售收入及利潤總額較高，足以抵消募投項目新增的投資項目折

舊攤銷費用，但如果市場環

境發生重大不利變化，公司現有

業務及募投項目產生

的收入及利潤水平未實現既定目標，本次募投項目將存在因資產增加而引致的折

舊攤銷費用影響未來經營業績的風險

。

（六）其他風險

1

、關聯交易

風險

報告期內，公司存在向關聯方採購封測服務或銷售產品的情形。針對上述關

聯交易，第一，公司制定了《關聯交易決策制度》，對公司關聯交易定價機制、審

批決策程序等予以規範，並要求公司嚴格執行；第二，公司積極擴大採購渠道，

加大銷售力度，逐步減少與關聯方之間的採購與銷售佔比；第三，公司控股股東、

實際控制人、主要股東及公司董事、監事、高級管理

人員籤署減少和規範關聯交

易的

相關承諾。雖然公司與關聯方之間的關聯購銷主要系受到行業特點、技術要

求、產品質量控制等因素影響而採取的自發市場行為，交易具有其合理性、公允

性，交易佔比逐年下降，但如果未來公司關聯購銷定價不公允，可能對公司和股

東的經濟利益產生不利影響

。

2

、成長性風險

公司的主營業務為

MOSFET

、

IGBT

等半導體晶片和功率器件的研發設計及

銷售。隨著半導體功率器件下遊需求的迅猛增長以及公司產品技術實力不斷提升，

公司經營規模迅速擴大。報告期內，公司營業收入分別為

50,375.98

萬元、

71,579.0

3

萬元和

77,253.69

萬

元，

2018

年和

2019

年分別同比增長

42.09%

和

7.93%

。近年來

國內半導體分立器件行業不斷發展，國際巨頭不斷湧入，國內新進入者不斷增多，

行業競爭日趨激烈。未來公司能否保持持續、快速的增長，仍然受制於產業政策

支持、宏觀經濟發展、下遊行業增長、公司技術實力提升以及經營管理完善等多

方面因素，因此，公司未來的經營業績可能面臨成長性風險

。

3

、攤薄即期回報風險

報告期內，公司扣除非經常性損益後的每股收益分別為

0.98

、

1.84

和

1.15

，

扣除非經常性損益後加權平均淨資產收益率分別為

2

6.04%

、

33.28%

和

1

6.77%

。

本次發行募集資金到位後，公司的總股本和淨資產將會相應增加，通過本次募集

資金提升公司研發實力、資金實力，其綜合經濟效益的產生需要一定的時間，投

資項目回報的實現需要一定周期。本次募集資金到位後的短期內，公司淨利潤增

長幅度可能會低於總股本和淨資產的增長幅度，每股收益和加權平均淨資產收益

率等財務指標將出現一定幅度的下降，股東即期回報存在被攤薄的風險

。

二、其他重要事項

截至2019年12月31日，公司正在履行的重大商務合同如下：

（一）重要合同

1

、

重大

銷售

合同

報告期內，公

司與部分長期合作、採購量大、

採購頻繁的客戶籤訂銷售框架

合同，日常銷售以訂單為交易依據。截至

2

01

9

年

12

月

31

日，公司正在履行的對

生產經營活動有重大影響的主要銷售框架合同如下：

序號

合同相對方

合同編號

合同期限

合同

標的

1

常州力森電子有限公

司

NCEGXHT229

201

8

.0

1

.

01

-

2019.12.31

產品型號、數量

等均以訂單為準

2

星恆電源股份有限公

司

NCEGXHT224

201

8

.0

1

.

01

-

2019.12.31

產品型號、數量

等均以訂單為準

3

蘇州工業

園區東南科

技有限公司

NCEGXHT170

-

1

2019.12.23

-

長期

產品型號、數量

等均以訂單為準

4

無錫市晶匯電子有限

公司

NCEGXHT254

2018.12.30

-

2020.12.29

產品型號、數量

等均以訂單為準

5

上海

晶豐明源

半導體

股份有限公司

NCEGXHT122

2017.09.19

-

20

20

.09.18

產品型號、數量

等均以訂單為準

6

深圳市高斯寶電氣技

術有限公司

HR

-

PU

-

HP10

-

0

8A2

201

7.07.31

-

長期

產品型號、數量

等均以訂單為準

7

廣東科通電子實業有

限公司

NCEGXHT195

201

8.

0

1.

0

1

-

2019.12.31

產品型號、數量

等均以訂單為準

8

南京江智科技有限公

司

NCEGXHT236

2

018.01.01

-

2019.12.31

產品型號、數量

等均以訂單為準

9

傑華特微電子（杭州）

有限公司

NCEGXHT121

2019

.

08

.

01

-

長期

產品型號、數量

等均以訂單為準

1

0

崑山九通電子有限公

司

NCEGXHT251

2018.12.30

-

2020.12.29

產品型號、數量

等均以訂單為準

1

1

揭陽市中晶電子科技

有限公司

NCE

GXHT233

2

018.0

1.01

-

2019.12.31

產品型號、數量

等均以訂單為準

1

2

無錫川本飛龍電子科

技有限公司

080201

201

6.08.

0

2

-

2026.08.01

產品型號、數量

等均以訂單為準

1

3

常州市易爾通電子有

限公司

NCEGXHT253

2018.12.30

-

2020.12.29

產品型號、數量

等均以訂單為準

14

昂寶電子（上海）有

限公司

NCEGXHT208

2

018.01.01

-

2019.12.31

產品型號、數量

等均以訂單為準

1

5

深圳市潤得源電子有

限

公司

NCEGXHT110

-

1

2019.06.10

-

長期

產品型號、數量

等均以訂單為準

16

深圳市粵嘉鴻電子有

限公司

NCEGXHT150

2019.07.20

-

長期

產品型號、數量

等均以訂單為準

17

東莞市盛鋒電子有限

公司

NCEGXHT162

2017.08.25

-

2020.08.24

產品型號、數量

等均以訂單為準

18

深圳市嘉龍騰電子有

限公司

NCEGXHT211

2018.07.16

-

2020.07.15

產品型號、數量

等均以訂單為準

19

安徽省東科半導體有

限公司

NCEG

XHT212

-

1

2019.

11.10

-

長期

產品型號、數量

等均以訂單為準

20

南京高上美電子有限

公司

NCEGXHT277

2019.05.07

-

2021.05.06

產品型號、數量

等均以訂單為準

21

廣州視琨電子科技有

限公司

114

-

SK

2018.09.01

-

長期

產品型號、數量

等均以訂單為準

22

深圳

市

金譽半導體

股

份

有限公司

NCEGXHT

112

-

2

2018.07.01

-

2020.06.30

產品型號、數量

等均以訂單為準

2

、

重大

採購合同

公司採購合同的訂立方式主要是通過籤訂

框架協議，日常採購以訂單作為

交

易依據。截至

201

9

年

12

月

31

日，公司正在履行的

對生產經營活動有重大影響的

主要採購框架合同如下：

序號

合同相對方

合同編號

合同期限

合同

標的

1

華虹宏力

【

2018

】

0602

2018.06.05

-

2

021.06.04

晶片代工

2

華潤上華

WXXJN

-

CSMC

-

1

8120901

2

01

8

.12.0

9

-

2

0

21

.12.08

晶片代工

3

華潤微

r

ev.20170724

2017.08.17

-

長期

晶片代工

4

長電科技

S03001

-

01

2019.0

3.02

-

2021.03.

01

封測服務

5

江陰蘇陽電子

股份有限公司

S03002

-

03

2019.06.17

-

2022.06.16

封測服務

6

上海捷敏

SH-2017-111

2018.01.01

-

2021.12.31

封測服務

7

成都集佳科技

S03016-01

2

017.01.01

-

封測服務

有限公司

2020.12.31

8

中芯集成電路

製造（紹興）有

限公司

20180305-01

2018.03.05

-

2021.03.04

晶片代工

（二）

公司對外擔保情況

截至招股說明書籤署日，公司無對外擔保情況。

（

三

）

重大訴訟及仲裁事項

截至本

招股說明書

籤署日，公司不存在對財務狀況、經營成果、聲譽、業務

活動、未來前景等可能產生較大影響的重大訴訟或仲裁事項

。

截至本招股說明書籤署日，公司主要股東、控股子公司、董事、監事、高級

管理人員和核心技術人員均不存在作為一方當事人的重大訴訟或仲裁事項。

截至本招股說明書籤署日，公司董事、監事、高級管理人員和核心技術人員

不存在涉及刑事訴訟的情況。

第六節 本次發行各方當事人和發行時間安排

一、本次發行各方當事人的情況

名 稱

住所

聯繫電話

傳真

聯繫人

發行人：無錫

新潔能

股份

有限公司

無錫市高浪東路999號B1號

樓2層

0510-85618058

0510-85620175

肖東戈

保薦人（主承銷商）：平

安證券股份有限公司

深圳市福田區福田街道益田

路5023號平安金融中心 B

座第22-25層

0755-22626653

0755-25325422

盛金龍

發行人律師：江蘇世紀同

仁律師事務所

南京市中山東路532-2號D

幢5樓

025-83304480

025-83329335

闞贏

張若愚

申報會計師：天衡會計師

事務所（特殊普通合夥）

南京市建鄴區江東中路106

號萬達廣場商務樓B座（14

幢）20樓

025-84711188

025-84716883

遊世秋

楊賢武

股票登記機構：中國證券

登記結算有限責任公司上

海分公司

上海市浦東新區

陸家嘴

東路

166號中國保險大廈

021-58708888

021-58899400

-

收款銀行：

平安銀行

總行

營業部

-

-

-

-

擬上市的證券交易所：上

海

證券交易所

上海市浦東南路

528

號證券

大廈

021

-

68808888

021-68804868

-

二、本次發行上市的重要日期

初步詢價日期

2

020

年9

月1

0

日

發行公告刊登日期

2

020

年9

月1

5

日

網上網下申購、繳款日期

2

020

年9

月1

6

日、2020年9月18日

股票上市日期

本次股票發行結束後將儘快申請在上海證券交易所上市

第七節 備查文件

投資者可以在下列地點查閱整套發行申請材料和有關備查文件。

（一）發行人：無錫

新潔能

股份有限公司

聯繫地址：無錫市新吳區新加坡工業園新達路延伸段（道路東側）

聯繫人： 肖東戈

聯繫電話：[phone]

傳真： [phone]

（二）保薦人（主承銷商）：

平安證券

股份有限公司

聯繫地址：深圳市福田區福田街道益田路5023號平安金融中心B座第22-25

層

聯繫人： 盛金龍

聯繫電話：[phone]

傳真： [phone]

（此頁無正文，為《無錫

新潔能

股份有限公司首次公開發行股票招股說明書摘要》

之籤署頁）

無錫

新潔能

股份有限公司

年 月 日

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