林蘭英:中國半導體材料科學的先驅

2020-12-04 中國僑網

    所謂半導體,是指導電性能介於金屬和絕緣體之間離子型導電的物質。用它製成的半導體二極體、三極體和集成電路等,是許多現代新科技不可缺少的主要部件。世界第一塊半導體材料鍺單晶,早在1948年已被美國的物理學家研製出來了,而中國半導體材料科學發展史的第一頁,則是由林蘭英來書寫的。

  林蘭英,福建莆田人,1940年畢業於福建協和大學數學系。在留校工作8年之後,1948年赴美國留學。在獲得賓夕法尼亞大學數學學位之後,按照導師的意見,林蘭英是要到芝加哥大學深造數學的,然而當她看到半導體科學正在興起的時候,作出了留在賓大改讀固體物理學的決定。1955年獲得博士之後,林蘭英即在紐約的索菲尼亞公司任高級工程師,當時她從事的就是後來終生為之獻身的半導體材料研製工作。

  在1956年的日內瓦會議上,中美達成協議:中方分批釋放在朝鮮戰場被俘的美軍,而美方則允許部分留學生回中國。消息傳開,1957年春,林蘭英謝絕了公司的挽留並衝破美國有關部門的阻撓,她以母親病重為由,毅然踏上了歸國的路途。在簡單的行李中,林蘭英攜帶的藥盒,裡面放有兩支各150克的鍺單晶和矽單晶。這就是她獻給祖國母親最為珍貴的禮物。

  過去在記敘上世紀50年代回國服務的華僑科學家的文章裡,常常會出現「捨棄海外優厚生活」的字句。其實這並非人為拔高,而是真實情況的寫照。林蘭英剛回國時的月薪為207元人民幣。這是專家、學者的待遇,當時來說算是比較高的。然而這大致只相當於她在美國月工資的三十分之一而已。

  林蘭英在中國科學院應用物理研究所和半導體研究所工作期間,儘管設備條件不盡人意,但她與同事們一道,很快取得了優異的成績。回國半年之後,即拉制出中國第一根鍺單晶。北京電子管廠用這些鍺單晶,製造出中國第一次向市場銷售的半導體收音機。

  此後,林蘭英還在半導體材料研製方面,創造過許多個中國第一。1961年,她主持設計的我國第一臺開門式矽單晶爐研製成功,由於這種爐的技術先進,後來還遠銷多個國家;1962年春,她成功拉制出我國第一根無位錯矽單晶,其質量達到世界先進水平;同年10月,研製出我國第一個砷化鎵單晶樣品,為1964年我國第一隻砷化鎵二極體雷射器的問世準備了條件;1981年,合作完成4千位、16千位大規模集成電路——矽柵MOS隨機存儲器的研製,因而獲得中國科學院重大科技成果一等獎;1987年,她在我國返回式衛星上成功進行生產我國第一根砷化鎵晶體實驗,被譽為「中國太空材料之母」。

  2003年林蘭英辭世,享年85歲。生前她被選為中國科學院院士,並任中國科協副主席等職。鑑於她對中國半導體材料研製所作出的貢獻,1996年獲何梁何利科技進步獎,1998年獲霍英東成就獎。(潭 江)

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