眾所周知，限制我國晶片產業發展的，並不是集成電路的設計，而是與晶片生產相關的半導體設備。在晶片設計方面，比如華為海思，基本上已經追上了全球領先的水平，而在半導體設備方面，我國仍然依賴於進口，因此難以實現晶片的規模化生產。實際上，近些年來，我國也一直在努力的發展半導體設備相關的產業，至今也有部分企業在一些細分領域達到了全球領先的水平。
中國芯在2019年5月，中國半導體行業協會（CSIA）發布了「2018年度中國10大（強）半導體企業」，在半導體設備企業中，國內僅有5家企業進入了榜單（原本是選10強的，但是最終只能選出5家企業，由此也可以看出我國在半導體設備製造領域的薄弱），它們分別是中微半導體設備股份有限公司、北京北方微電子裝備有限公司、中電科電子裝備集團、盛美半導體設備有限公司、瀋陽芯源微電子設備股份有限公司。其中，中微半導體設備位居第一位，也是我國排名第一的晶片設備企業。
中微半導體設備公司主要研發的產品是薄膜製造設備與等離子體刻蝕設備，這些設備都是半導體生產的關鍵設備。其中，在刻蝕設備這塊，從2007年首次推出介質刻蝕機之後，中微半導體又先後65-45nm的介質刻蝕機、32-22nm的介質刻蝕機、22-14nm的介質刻蝕機。而到如今，中微半導體的最先進的等離子刻蝕機已經做到了5nm，並且在2018年年底通過了全球最大的半導體代工廠臺積電的驗證測試，將被用於全球第一條5nm的半導體生產線。根據中微半導體公開的信息，5nm的等離子刻蝕機將在2020年實現量產，這也意味著，在半導體設備刻蝕機這一領域，我國終於達到了全球領先水平。
等離子刻蝕機而說到中微半導體，那就不得不說到中微半導體的創始人尹志堯博士，中微半導體能取得如今的成績，很大的原因要歸功於尹志堯博士。
尹志堯出生於1944年，大學本科畢業於中科大，隨後在中科院研究所工作了近10年。1978年，尹志堯選擇了繼續深造，先是考上了北京大學化學系，拿下了碩士學位，隨後又赴美留學，在加利福尼亞大學洛杉磯分校拿到了物理化學博士學位。
拿到博士學位後，尹志堯就進入了美國矽谷工作，先後在因特爾公司、泛林半導體公司、應用材料公司等工作了16餘年。這幾家公司可以說都是半導體行業中的佼佼者，其中，因特爾公司大家肯定比較熟悉，而泛林半導體公司與應用材料公司則是全球最大的兩家半導體刻蝕設備廠商，佔據了全球半導體刻蝕設備70%以上的市場份額。而尹志堯在應用材料公司一路做到了副總裁、等離子刻蝕設備事業群總經理、亞洲首席技術官等職位。
尹志堯博士2004年，在國家大力扶持半導體設備企業的政策響應下，60歲的尹志堯最終選擇了回國創業，創辦中微半導體設備股份有限公司。實際上，由於尹志堯擔任應用材料公司高管多年，掌握著許多的核心技術，同樣也是全球半導體行業中的領軍人物。因此，尹志堯的回國也頗費周折，甚至頗有風險。即使回國後，尹志堯創辦的中微半導體也被此前的老東家多次告上法庭。
2004年，尹志堯創辦中微半導體，2007年，推出了第一代介質刻蝕機。隨後，尹志堯此前就職過的應用材料公司就把中微半導體告上了美國法庭，認為其有竊密之嫌。這場官司打了兩年半時間，尹志堯聘請美國律師，對公司的600多萬份文件進行徹查，均沒有找到相應的證據，這場官司最終得到和解。隨後在2009年，泛林半導體又狀告中微半導體專利侵權，這場官司又糾纏了四年，中微半導體不僅取得了官司的勝利，還拿出了泛林半導體竊取機密的證據，反告泛林半導體，並取得了勝利。
連續2次的官司，也讓美國的半導體設備企業意識到，在技術方面，是遏制不了中微半導體的。於是，又開始從供應鏈上來遏制中微半導體的發展。2017年，美國的一家LED設備廠商Veeco狀告中微半導體的MOVCD石墨託盤供應商侵犯了其專利，要求其停止對中微半導體供貨，這一次的博弈，最終對方也妥協了。因為中國同樣禁止了這家供應商對美國廠家出貨。
實際上，縱觀中微半導體的發展，可以說充滿著艱辛與曲折。所幸的是，中微半導體在一系列官司糾紛中並沒有放下研發，如今的等離子刻蝕機更是達到了全球領先水平。除此之外，中微半導體的設備，在國內已經擁有了中芯國際、長江儲存等客戶，並且得到了臺積電、SK海力士等全球知名的半導體生產企業的認可。