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FinFET是什麼? 移動14nm戰鬥正式開始
手機之家深圳分站2015年3月3日消息——MWC 2015在西班牙的巴塞隆納開幕了,其中在產品方面十分吸引人的是三星發布的新一代旗艦手機GALAXY S6/S6 Edge,而該款手機也如2014年所料,拋棄了高通晶片而採用了三星自家14nm工藝的Exynos 7420處理器,而該款處理器則採用了FinFET封裝
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GLOBALFOUNDRIES推出用於下一代行動裝置的優化的 FinFET 電晶體架構
GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技術將為客戶展現三維 「FinFET」電晶體的性能和功耗優勢,不僅風險更低,而且能夠更快速地推向市場,從而幫助無晶圓廠生態系統在保持其移動市場領先地位的同時,開發新一代智能行動裝置。
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FinFET工藝之後 電晶體技術何去何從?
>FinFET工藝之後 電晶體技術何去何從? 在近期內,從先進的晶片工藝路線圖中看已經相當清楚。晶片會基於今天的FinFET工藝技術或者另一種FDSOI工藝的平面技術,有望可縮小到10nm節點。但是到7nm及以下時,目前的CMOS工藝路線圖已經不十分清晰。 半導體業已經探索了一些下一代電晶體技術的候選者。例如在7nm時,採用高遷移率的FinFET,及用III-V族元素作溝道材料來提高電荷的遷移率。
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別再盯著7nm還是14nm工藝了,都是沒有實際意義的營銷噱頭
相信大家在談論手機或者電腦的時候,說到CPU等半導體器件的規格時,會聽到 7nm工藝,10nm工藝,14nm+++工藝這些詞。那麼,這些詞到底是什麼意思?作為消費者而言,您可以簡單的認為這些數字代表處理器中電晶體(或組件)的大小。電晶體是CPU和數字電路的基礎,當我們以不同方式組合電晶體時,我們將獲得AND,NOT或OR門之類的邏輯電路。
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摩爾定律延壽數十年 FinFET電晶體發明人胡正明獲IEEE榮譽獎章
日前IEEE電子電器工程師協會宣布,FinFET電晶體發明人胡正明(Chenming Hu)獲得了2020年的IEEE 榮譽獎章,這是IEEE協會的最高獎勵,這一技術使得摩爾定律延壽了數十年。自從1965年,Intel聯合創始人戈登·摩爾提出「摩爾定律」以來,半導體工藝一直按照這個規律發展,2年提升一倍的電晶體密度。不過摩爾定律原本應該終結了,因為按照之類的發展,傳統矽基半導體工藝製造難度越來越大,特別是在28nm工藝之後。
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用錢堆出來的FinFET工藝
2017年英特爾宣布了公司第三代10納米FinFET工藝,使用的超微縮技術(hyper scaling),充分運用了多圖案成形設計(multi-patterning schemes),電晶體柵極間距由14納米工藝的70納米減少至10納米工藝的54納米,最小金屬間距由52納米縮小到36納米,據稱10納米工藝晶片邏輯電晶體密度是14納米工藝的2.7倍,達到每平方毫米超過
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晶片中,14nm工藝和7nm工藝有什麼區別?為何華為必須要用7nm工藝
現在手機廠商會給大家一個訊號:處理器工藝製程越好,那麼這款處理器就越優秀。於是,我們似乎都認可了這種說法,只要手機的處理器工藝製程越小,手機的性能就越突出,功耗就越低。事實上,並非完全如此,這裡還看CPU以及GPU,包括全部的設計,能否讓手機的晶片的功耗真的保持在這種優勢下。
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FinFET憑什麼應用於新一代ASIC礦機晶片?
如2018年7月31日,Innosilicon突然宣布其比特幣礦機Terminator系列採用三星最先進的半導體工藝FinFET技術,那麼,這項技術為什麼可以提供最優的礦機伺服器低能耗的半導體工藝方案,來確保ASIC礦機的使用壽命?ASIC礦機是什麼?為什麼要用ASIC晶片挖礦?
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Intel放棄FinFET電晶體轉向GAA電晶體 GAA工藝性能提升或更明顯
打開APP Intel放棄FinFET電晶體轉向GAA電晶體 GAA工藝性能提升或更明顯 憲瑞 發表於 2020-03-11 09:51:09
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科工力量:三星、英特爾轉向GAA FinFET步入歷史終結?
【文/科工力量 柳葉刀】 在去年的2019年度「三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum)」會議上,三星宣布了3nm工藝,明確會放棄FinFET電晶體,轉向GAA環繞柵極電晶體技術。如今又有消息披露,英特爾在5nm節點將會放棄FinFET,也要轉向GAA。
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詳解先進的半導體工藝之FinFET
FinFET源自於傳統標準的電晶體—場效電晶體(Field-EffectTransistor;FET)的一項創新設計。在傳統電晶體結構中,控制電流通過的閘門,只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開,屬於平面的架構。在FinFET的架構中,閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構,可於電路的兩側控制電路的接通與斷開。這種設計可以大幅改善電路控制並減少漏電流(leakage),也可以大幅縮短電晶體的閘長。
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中芯國際:去年Q4第一代FinFET 14nm貢獻1%營收
2月14日消息,中芯國際昨日披露,去年第四季度,第一代FinFET 14nm貢獻1%營收。中芯國際昨日披露了2019年第四季度財報。在財報中,中芯國際聯合執行長,趙海軍和梁孟松披露,第一代FinFET 14nm順利量產,貢獻當季度1%營收。FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鰭式場效應電晶體,是一種新的互補式金氧半導體電晶體。FinFET命名根據電晶體的形狀與魚鰭的相似性。
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三星推出用於144MP圖像傳感器的14nm FinFET技術!有助於降低功耗
在2019年IEDM大會上,三星的一個團隊展示了一種基於14nm FinFET工藝的144MP圖像傳感器技術。通常情況下,圖像傳感器需要在一個相對高的電壓下工作(2V及以上),所有晶片組設計者的目標都是將電壓控制到最低,因為這樣可以降低功耗和熱量。電壓控制也是這項技術的主要挑戰。
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傳Intel22nm節點製程工藝細節:Finfet+平面型架構
據消息來源稱,Intel這種Finfet/平面型電晶體結構混合的方法可令SRAM部分的電晶體密度更高,且更易於對Vmin值進行控制,與此同時,相對較複雜的邏輯電路部分採用平面型電晶體結構則可降低工藝的複雜性。
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中國微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義?
為何FinFET會成為主流,即便是掌握了22nm FD-SOI工藝的格羅方德還是購買了三星的14nm FinFET技術授權呢?本文將會解析:新型FinFET邏輯器件工藝突破到底有什麼影響?最近,中國微電子所集成電路先導工藝研發中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。
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GF用12nm FinFET工藝製造出新級別Arm 3D晶片,半導體製程競爭正在...
這可能意味著半導體先進工藝的競爭,正在進入一個新的階段。GF(GlobalFoundries,格羅方德)本周宣布,它已採用其12nm FinFET工藝製造出高性能3D Arm晶片。GF認為,這些高密度3D晶片將為計算應用提供「新級別「的系統性能和能耗,例如AI / ML以及高端設備和無線解決方案。」
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FinFET工藝詳解:7nm是物理極限
電晶體FinFET工藝的概念FinFET稱為鰭式場效應電晶體(Fin Field-Effect Transistor),是由美籍華人科學家胡正明教授提出的,其中的Fin在構造上與魚鰭非常相似,所以稱為「鰭式」,而FET的全名是「場效電晶體」 。
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比一億像素更高 三星將使用14nm FinFET工藝製造144MP圖像傳感器
12月16日消息,據媒體報導,在今年的IEE國際電子設備會議(IEDM2019)上,三星展示了14nm FinFET工藝,該工藝將用於超過144MP傳感器。據介紹,14nm FinFET工藝使得界面態密度(Nit)提升了40%以上,閃爍噪聲提高了64%,數字邏輯功能晶片功耗降低34%。
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1nm電晶體誕生 秒殺當前14nm主流晶片製程
【TechWeb報導】10月9日消息,據國外媒體報導,近日,美國勞倫斯伯克力國家實驗室打破物理極限,開發出了全球最小的電晶體僅1nm。這意味著,未來處理器的性能和功耗都能會獲得巨大進步。
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用新的思維方式看待晶片工藝製程
晶片的製程從最初的0.35微米到0.25微米,後來又到0.18微米、0.13微米、90nm、65nm、45nm、32nm和14nm。在提高晶片工藝製程的過程中,大約需要縮小十倍的幾何尺寸及功耗,才能達到10nm甚至7nm。從蘋果與臺積電合作到宣布實現5nm晶片只有短短幾個月的時間,但真正的問題在於,強調納米級製程真的重要嗎?