「獨當一面」——單一晶面碳化鉬的高效電化學固氮

2020-06-26 研之成理


「獨當一面」——單一晶面碳化鉬的高效電化學固氮

▲第一作者:巴坤;通訊作者:孫正宗,李震宇
通訊單位:復旦大學、中國科技大學

論文DOI:10.1021/acscatal.0c01127

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在常溫常壓條件下可控地進行電催化氮氣還原(NRR)是實現氮氣高效循環利用的關鍵步驟。受天然MoFe固氮酶的啟發,復旦大學孫正宗課題組聯合中國科學技術大學李震宇課題組,藉助於化學氣相沉積法(CVD)合成具有單一(200)晶面的二維碳化鉬(Mo2C),並將其應用到NRR體系中,其FE可高達 40.2 %。同時,密度泛函理論(DFT)計算證實了Mo2C催化氮氣還原的決速步為*NNH2→*NNH3和*NH →*NH2,該反應機理通過質子/電子耦合及末端締合輔助進行,可以有效地降低NRR反應的能壘。此外,為了防止催化劑中Mo原子在NRR過程中流失,作者在Mo2C上生長了單層或少層的石墨烯,為Mo2C提供原子級厚度的保護膜,顯著提升了催化劑的穩定性。

「獨當一面」——單一晶面碳化鉬的高效電化學固氮

▲本文TOC:化學氣相沉積法製備單一晶面Mo2C及graphene/Mo2C異質結用於電催化NRR

背景介紹

NH3被認為是人類最重要的化學物質之一,它徹底改變了農業生產方式,並為不斷增長的全球人口提供營養。空氣中,N2約佔78%,這也為通過氮氣還原製備氨氣提供了豐富的資源。在自然界中,N2的固定往往是通過特定的固氮微生物中的固氮酶實現的。但是,生物固氮的效率和產率遠遠達不到工業規模相當的水平。目前,合成NH3的主要方法仍依賴於Haber-Bosch工藝(HBP),該工藝在高壓(150-350 atm)和高溫(350-550ºC)下進行,但同時其帶來巨大的能源消耗和溫室氣體排放。因此,迫切需要開發一種更加高效的常溫常壓下固氮技術。


其中,電催化NRR因其利用水作為氫源,因而具有重要的優勢。但是,電化學催化氮氣還原仍然面臨許多棘手的挑戰:例如電催化劑不穩定性,較低的NH3產率和FE,以及來自放氫反應(HER)的競爭。


長期以來,人們一直認為貴金屬催化劑(例如Au,Pd,Ru,Rh)實現NRR的有效催化劑。然而,低豐度和高成本阻礙了貴金屬催化劑未來的大規模應用。而在自然界中,固氮菌則可利用周圍更豐富的過渡金屬,如鉬,鐵和釩等,作為催化活性中心進行N2固定。金屬碳化物如Fe3Mo3C,Ru-Mo2CTX在NRR中顯示出巨大潛力。這些金屬的d軌道可接受來自N2分子的電子,從而激活N≡N鍵。此外,先前的實驗表明,Mo2C納米結構材料可在常溫常壓下進行N2固定。但是,大多數Mo2C納米結構材料是利用鉬類化合物經高溫碳化合成;或者從三元MAX相經液相刻蝕法合成。這些類型的Mo2C往往帶有不同類型的缺陷、邊緣、晶面,使得其HER比NRR更具活性。這些均不利於催化劑在NRR領域的廣泛應用。

研究出發點

在NRR的研究中,HER的有效抑制具有至關重要的作用。而可控地合成特定單一晶面的Mo2C催化劑能否有效抑制其HER性能,對其在NRR領域的實驗和理論的研究具有重要的價值。利用CVD方法可控地合成具有特定單一(200)晶面的Mo2C膜,而其HER在-10 mA cm-2處的過電位高達~432 mV,遠高於已報導的利用高溫碳化或者溼法刻蝕製備Mo2C納米結構材料催化劑,進而可以實現有效抑制HER活性和提升NRR性能。而DFT計算表明Mo2C催化氮氣還原的決速步為*NNH2→*NNH3和*NH →*NH2,可以有效地降低NRR反應的能壘。此外,一步法合成的graphene/Mo2C異質結結構可以有效減緩Mo原子的析出從而進一步提升Mo2C催化劑的穩定性。因此,合成單一晶面Mo2C膜及其graphene/Mo2C異質結結構對其模型化研究過度金屬碳化物的NRR催化性能和穩定性的提升具有重要的價值。

圖文介紹

1.單一晶向催化劑的製備與表徵

如圖1所示,我們利用常壓CVD系統,在1098 ºC和CH4作為碳源的條件下合成a-Mo2C膜。在高溫條件下可促進了Cu-Mo合金的形成,同時Mo原子擴散合金表層,並與C結合成Mo2C。值得注意的是,當CH4流量為0.8 sccm,且生長時間延長至3 h,可以生長連續的Mo2C膜,覆蓋度可高達95%。因此,可以直接作為電催化NRR的電極材料。

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▲圖1. 二維a-Mo2C催化劑製備及其NRR示意圖。


Mo2C的高解析度Mo 3d XPS譜圖如圖2a所示,其中Mo2+峰的結合能分別位於228.3 eV(Mo2+ 3d5/2)和231.5 eV(Mo2+ 3d3/2),而Mo4+則可歸因於亞穩定的Mo端接表面,該表面易受空氣中的氧氣氧化。此外,如圖2b所示,C 1s在283.2 eV和284.6 eV處的主要峰可以歸因於Mo-C和C-C,這是Mo2C中的主要化學組成。還可以分別在286.7 eV和288.2 eV處觀察到小的氧化峰,如C-O和O-C=O。這些結果表明,Mo2C中的Mo和C元素都容易受到氧化。


同時,2D-Mo2C薄片的相應拉曼光譜如圖2c所示,其中652 cm-1附近的特徵峰對應於Mo-C拉伸模式。XRD譜圖(圖2d)中,在37.9°處最強的衍射峰歸因於Mo2C的(200)晶面,而(200)晶面半峰寬(FWHM)僅為~0.1º,表明所生長Mo2C膜具有高度結晶性。由於XRD表徵直接在Cu-Mo合金基底的樣品上進行表徵的,因此也可以檢測到小的Cu(111)衍射峰。


在圖2e中, SAED沿[002]區域軸呈現出典型的六邊形圖案。而其TEM晶格條紋間距為0.255 nm,與a-Mo2C的(002)晶面間距相匹配。如圖2g-i所示的能譜圖(EDS)成像所示,Mo,C,O的原子百分比分別約為58%,33%,9%。晶體的Mo/C原子比為1.76,與先前XPS結果的1.73一致,而9%O應該主要分布在其表面上。


上述表徵結果表明,我們可藉助於CVD系統可控地合成具有單一(200)晶面a-Mo2C。

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▲圖2. 二維a-Mo2C的譜學特徵。


2. a-Mo2C催化劑的NRR性能及反應機理探究

在0.1 M Na2SO4電解液中,a-Mo2C催化氮氣還原成NH3產率和相應的FE均在-0.55 V vs RHE處達到峰值,分別為3.36 µg h-1 cm-2和40.2%。值得注意的是,在產物未檢測到N2H4副產物。表明a-Mo2C催化劑在催化氮氣還原具有高度選擇性。


穩定性是評估催化劑實際潛力的另一個關鍵因素。在5個循環的實驗中總共10 h後,a-Mo2C只能保持相對中等的穩定性,其保留率分別為37%和69%。為了找出造成這種現象的原因,在NRR實驗之前和之後,使用XPS仔細檢查了Mo2C的價態和化學組成我們發現Mo/C比從1.73降低到1.45,這表明催化劑在反應過程中損失了部分Mo原子。根據先前的研究,Mo2C中的Mo原子在寬pH範圍內表現出化學不穩定性。Mo在空氣中的氧化導致MoO22+或MnO42-的形成,同時在NRR過程匯總Mo原子會以鉬酸鹽的形式析出。這些因素都直接導致a-Mo2C電催化氮氣還原的穩定性降低。

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▲圖3. 二維a-Mo2C電催化NRR性能表徵。


普遍的NRR途徑是質子-電子耦合的末端締合途徑,我們藉助於DFT對於NRR反應機理進行探究。首先,N2分子被Mo2C表面吸收。而在克服~0.15 eV的能壘之後,H可與N2分子結合形成中間體*NNH和*NNH2,從而使得N≡N的長度變長,促使N2解離。具體而言,兩個最高能壘分別出現在*NNH2→*NNH3和*NH→*NH2,分別為0.585 eV和0.586 eV。因此,這兩個步驟是整個反應的速度確定步驟(RDS)。

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▲圖4. a-Mo2C(200)表面上的NRR過程中的自由能曲線及其相應的優化結構。


3. Graphene/Mo2C催化劑的NRR性能及穩定性提升

如上所述,Mo2C催化劑中的Mo原子化學性質不穩定,很容易在寬pH範圍中析出到電解質中。我們藉助於CVD法一步合成大面積且均勻的graphene/Mo2C異質結結構,為Mo2C催化劑提供物理保護。同時,由於graphene薄膜既薄又導電,因此對其下方的催化劑在電化學中具有半透明性。在隨後的NRR性能表徵中,graphene/Mo2C異質結構催化劑表現出「半透明」的NRR性能,其FE為19.2%時,NH3產率為1.32 µg h-1 cm-2。


在NRR反應前後,graphene/Mo2C的Mo/C比從2.06增加到2.36,始終保持在2以上,即在NRR過程未發生Mo原子的流失。相比之下,經過NRR處理後,Mo2C催化劑的Mo/C比從1.73降至1.45。特別是在有graphene保護層後,催化劑的耐久性也顯著提高。在連續5個循環的類似NRR循環測試後,graphene/Mo2C催化劑的FE保留率保持為101.0%,NH3產率的保留率也為70.0%。與未進行保護的Mo2C催化劑相比,graphene/Mo2C異質結構的FE和NH3收率的保留率分別提高了32%和33%。

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▲圖5. Graphene/Mo2C電催化NRR性能表徵。

總結與展望

我們成功合成了具有(200)晶面的二維a-Mo2C催化劑,且在電催化氮氣還原中表現出優異的性能。同時,這種單一晶面的Mo2C催化劑在鹼性和酸性電解質中均表現出高效的NRR催化活性。而一步法合成的graphene/Mo2C垂直異質結構進一步提高了催化劑的穩定性,可有效防止Mo原子在電化學過程中析出流失。通過探究這些二維過渡金屬碳化物和相關的異質結構在NRR中的特性,我們可以更好地效法自然,開發更綠色、高效的電化學方法固定氮氣。

課題組介紹

復旦大學孫正宗課題組主要致力於晶圓尺寸的新型二維材料合成,二維電子器件的異質結構和能帶工程,以及二維電化學器件的機理探索等方面的研究。課題組長孫正宗教授於南京大學、美國萊斯大學分獲化學學士(2004年)與化學碩士(2007年)、化學博士(2011年)學位。2012年在美國加州大學伯克利分校的物理系從事博士後研究。2013年獲中組部青年千人,同年加入復旦大學擔任研究員、博士生導師。已經在Nature,Science,JACS, Adv. Sci., ACS Catal.,Nat. Comm.等重要學術期刊上發表論文,研究成果獲BBC,紐約時報和C&EN等期刊雜誌的正面報導。

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