「世界上沒有幾個實驗室可以研製5至8微米波段半導體量子級聯雷射器,而且這些實驗室的人員,大多有過在貝爾實驗室工作的經歷。李愛珍能夠獨立地做出來,對中國而言是一個很大的功勞。」
這是美國有名的世界「六冠院士」卓以和教授對我國著名的女科學家李愛珍做出的高度評價。
1936年出生於福建省泉州市石獅市的李愛珍,出身於華僑家庭,雖然生逢亂世,卻一生投身於半導體材料研究,在某些科研成果方面,甚至打破了西方的封鎖,為我國的科技強國事業立下了卓越貢獻。
李愛珍從小就對科學表現了很大的天賦,她從復旦大學畢業後,就分配到了上海冶金所開始了她稀有金屬化學冶金研究、半導體材料研究之路。
那時候,新中國剛剛建立,國家整體處於滿目瘡痍、百廢待興的狀態,經濟、科技等領域全面落後於美歐等發達國家。而且美歐還對新中國實施軍事、科技、經濟封鎖,想要實現「師夷長技以制夷」的目的,非常難。
怎麼辦呢?那就在封鎖之下,靠自己自力更生。
李愛珍在研究所一步一個腳印,苦苦奮戰幾十年,從一個小小的助理研究員,成長為半導體材料的大專家領頭人。
尤其是在分子束外延設備方面,打破了西方的技術封鎖,讓中國成為第一個掌握此技術的亞洲國家!
當時在70年代,外國研製出了分子束外延設備,它是半導體、晶片製造方面的一項十分尖端的技術設備系統,這項技術革新可以說是半導體材料行業的一場科技革命,其技術相關產品直接影響國防、醫療、生活等多個重要領域,精細程度和製造過程以國內的科研實力根本無法實現。
鑑於分子束外延設備對我們的科技發展和社會進步又非常重要。於是在1980年,當時中美剛建交,兩國正處於蜜月期,已44歲的李愛珍公派留美去學習進修,進入了全球頂尖學府美國卡內基·梅隆大學電子工程系(EE系)做訪問學者,開始了分子束外延技術的研究。
不過,她赴美留學進修的計劃並不順暢,一方面李愛珍年齡較大,能否在美國學到有用的知識?另一方面,她是華僑出身,是否會學成後留在美國不回國了?……
這些爭議對李愛珍造成了一些困擾,還是她的導師力排眾議,讓李愛珍成功留學美國的。
事實是,外界對李愛珍的擔憂實屬多餘。
她不僅學成歸國,而且在回國一年後,就研製成功了屬於中國自己的分子束外延設備,徹底打破了西方的技術封鎖,讓中國成為第一個掌握此技術的亞洲國家!
到現在,我們還在運用分子束外延技術,比如車站的預告板、體育場的大顯示屏等場合,其發光元件就是由分子束外延製造的,極大地方便了我們的生活。
除了分子束外延技術以外,李愛珍還在65歲時研製成功了5至8微米波段半導體量子級聯雷射器,實現了亞洲此類雷射器「零突破」,中國由此進入掌握該先進技術的國家之列!
李愛珍在半導體材料領域功勳卓著,不僅留下了眾多科研成果,還為培養後世人才注入了大量心血。她先後創建了上海冶金研究所、分子束外延半導體微結構材料實驗室、固態源分子束外延實驗室、氣態源分子束外延實驗室;參與創建中國科學院,信息功能材料國家重點實驗室;建立了世界銀行貸款信息功能材料國家重點實驗室……
這些成績放在任何一個國家都是功德無量的,可她在國內似乎有些不吃香。
為何這樣說呢?
因為李愛珍競選院士時,在1999年、2001年、2003年、2005年接連四次落選,最後卻在2007年被美國科學院選上了。
李愛珍落選中科院院士的最大阻礙就是年齡,她1999年第一次參加評選時是63歲,當時中科院評選有限制條件,60歲以下的需要2個推薦人,60歲以上的需要6個,而李愛珍年齡已經超過了60歲,最後落選基本都是因為推薦人不夠。
不過,美國國家科學院對評選院士沒有這些無關科學性限制,只要有研究成果、只要科研理論功底紮實,不管你年齡有多大,都有機會成為美國院士。
果然,在2007年,美國國家科學院選舉外籍院士時,看中了李愛珍的研究成果,成功吸納已經71歲的李愛珍,入選為美國國家科學院院士,成為中國第一位入選美國國家科學院院士的女科學家。
李愛珍為祖國的半導體材料研究做出了巨大貢獻,卻沒有機會成為國家級院士,而對美國科研成就沒有絲毫貢獻的她,卻反被吸收為美國院士。
很多人對李愛珍的遭遇感到惋惜、遺憾,而她卻不在乎這些外在的名譽,李愛珍說:為國家做貢獻是最根本的初心所在,不需要這些所謂的光環加持。
針對自己多次落選中國院士,卻獲得美國外籍院士的榮譽,李愛珍也能正常看待,她認為:我能夠當上外籍院士,依仗的是祖國提供的平臺、項目研究經費、科研環境等的支持。不能用我當選美國科學院外籍院士,來作為自己應該當選中科院院士的理由。
因此,李愛珍的一生,就是科研的一生,如何提高祖國的科技水平是她畢生的追求,李愛珍的愛國情懷是我們後輩科研人學習的榜樣。